"三菱電機 半導体・デバイス" の製品情報一覧
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三菱電機 半導体・デバイス
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光通信デバイス
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GaAs高周波デバイス
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IGBTモジュール
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整流ダイオード
商用周波数を整流する一般用整流平形ダイオード
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サイリスタモジュール
400~1600V/20~400Aをラインアップ
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HVIC
パルストランスやフォトカプラを用いたパワーMOSFETやIGBTのゲート駆動に代わり、マイコンなどの入力信号で直接ゲートを駆動する高耐圧IC
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MOSFETモジュール
トレンチゲート構造MOSFETを搭載、ゲート・ソース信号配線にコネクタ端子を採用、温度センサー内蔵
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サイリスタモジュール
400~1600V/20~400Aをラインアップ
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ダイオードモジュール
一般整流用ダイオードモジュール、ACスイッチ用ダイオードモジュール、高速スイッチング用ダイオードモジュール(トランジスタモジュール用及びIGBT/IPM用に対応)などをラインアップ
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IGBTモジュール
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IPM/DIPIPM
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光デバイス
プロジェクター用光デバイス、光ファイバー通信用光デバイス
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サイリスタ
■GCTサイリスタは、6,000V~6,500V / 400A~6,000Aをラインアップ
■GTOサイリスタは、2,500V~4,500V / 1,000A~4,000Aをラインアップ
■高圧逆阻止サイリスタは、12,000V / 1,500Aをラインアップ -
SiC パワーモジュール
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SiC-SBD
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サーマルダイオード赤外線センサ MelDIR
200℃まで測定可能な80×60画素 赤外線センサ
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SiC-MOSFET