ProductInformation 製品情報

●製品情報ダイジェスト

1200V耐圧第5世代SiCショットキーダイオード
1200V耐圧第5世代SiCショットキーダイオード
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 ●定格電流:2~40A ●Tj 175度保証 ●高温での低い I r、 4 … 詳細を見る
650V CoolMOS(TM) C7 Goldシリーズ TO-Leadlessパッケージ
650V CoolMOS(TM) C7 Goldシリーズ TO-Leadlessパッケージ
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 GaNに最も近いSi MOSFET 第7世代CoolMOS C7がフルラインナ … 詳細を見る
650V CoolMOS(tm) C7シリーズ: 世界トップクラスのパフォーマンス
650V CoolMOS(tm) C7シリーズ: 世界トップクラスのパフォーマンス
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 CoolMOS(tm) C7シリーズは、TO-247パッケージで19mΩという … 詳細を見る
800V P7シリーズ、第7世代CoolMOSテクノロジー採用でクラス最高の効率と熱性能を実現
800V P7シリーズ、第7世代CoolMOSテクノロジー採用でクラス最高の効率と熱性能を実現
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 ■TO252 (DPAK) でクラス最高のRDS(on)280mΩを達成 ■ … 詳細を見る
CoolMOS(TM) CE TO-220 FullPAK Wide Creepageパッケージ
CoolMOS(TM) CE TO-220 FullPAK Wide Creepageパッケージ
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 オープンフレーム電源向けに沿面距離を改善 ■ピン間の沿面距離を4.25m … 詳細を見る
CoolMOS(tm) P6シリーズ: ハイパフォーマンスと使い勝手のバランスを最適化
CoolMOS(tm) P6シリーズ: ハイパフォーマンスと使い勝手のバランスを最適化
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 CoolMOS(tm) P6シリーズは、最高のパフォーマンスを実現することに力 … 詳細を見る
GaNへの足がかりとなるパワーMOSFET、600V CoolMOS(TM) C7
GaNへの足がかりとなるパワーMOSFET、600V CoolMOS(TM) C7
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 600V CoolMOS(TM) C7は、CoolMOS(TM) CPと比べ、 … 詳細を見る
IGBT+SiCダイオード ハイブリッドモジュール
IGBT+SiCダイオード ハイブリッドモジュール
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 ●3-Level インバータ用モジュール ●クランプダイオードに650V S … 詳細を見る
OptiMOS(TM) Linear FET 100V/150V/200V
OptiMOS(TM) Linear FET 100V/150V/200V
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 低オン抵抗RDS(on) と広い安全動作領域(SOA)を … 詳細を見る
PQFN 2x2パッケージ、ロジックレベルのMOSFET
PQFN 2x2パッケージ、ロジックレベルのMOSFET
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 ゲート電荷(Qg)が低いため、導通損失を増加させることな … 詳細を見る
R<sub>DS(ON)</sub>とQ<sub>rr</sub>を画期的に低減した新世代MOSFET、OptiMOS<sup>TM</sup> 5 150V
RDS(ON)とQrrを画期的に低減した新世代MOSFET、OptiMOSTM 5 150V
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 ■FOMgdやFOMOSSを妥協さ … 詳細を見る
Super Junction高耐圧MOSFET、600V・650V CoolMOS(TM) CE
Super Junction高耐圧MOSFET、600V・650V CoolMOS(TM) CE
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 CoolMOS(TM) CEシリーズは、スーパージャンクション(SJ)構造を採 … 詳細を見る
クラス最高の性能、OptiMOS(TM) 5  25V・30VパワーMOSFET
クラス最高の性能、OptiMOS(TM) 5 25V・30VパワーMOSFET
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 極めて低いゲート電荷および出力電荷と、フットプリントの小さいパッケージで最小の … 詳細を見る
ソフトスイッチングIGBT、IGBT S5
ソフトスイッチングIGBT、IGBT S5
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 ●第5世代 IGBT TRENCHSTOP(TM) 5 S5 ●対応SW周波 … 詳細を見る
テレコム、サーバ電源向けOptiMOS(TM) 5 80V・100VパワーMOSFET
テレコム、サーバ電源向けOptiMOS(TM) 5 80V・100VパワーMOSFET
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 OptiMOS(TM) 5 80V・100VパワーMOSFETは、テレコム、サ … 詳細を見る
ハードスイッチング向けに最適化、OptiMOS(TM) 300VパワーMOSFET
ハードスイッチング向けに最適化、OptiMOS(TM) 300VパワーMOSFET
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 OptiMOS(TM) 300V高速ダイオードパワーMOSFETは、テレコム電 … 詳細を見る
ハードスイッチング用途に最適化した200V~250V OptiMOS (tm) Fast Diode
ハードスイッチング用途に最適化した200V~250V OptiMOS (tm) Fast Diode
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 OptiMOS(tm)FDは、通信システム、産業用電源、D級オーディオアンプ、 … 詳細を見る
リードレスで基板面積を削減、表面実装型TOLLパッケージMOSFET
リードレスで基板面積を削減、表面実装型TOLLパッケージMOSFET
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 ■インフィニオンでは、定番のOptiMOS(TM)及びCoolMOS(TM)シ … 詳細を見る
業界最小クラスのオン抵抗を実現したOptiMOS(tm)5 40V & 60V
業界最小クラスのオン抵抗を実現したOptiMOS(tm)5 40V & 60V
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 インフィニオンの最新世代のパワーMOSFET は、スイッチング電源(SMPS) … 詳細を見る
最新のSuper Junction MOSFET の特長を持つ500V CoolMOS(tm) CE
最新のSuper Junction MOSFET の特長を持つ500V CoolMOS(tm) CE
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 500V CoolMOS(tm) CEシリーズは、オン抵抗の低さなど最新のSu … 詳細を見る
省スペースで高耐久、ロジックレベルのStrongIRFET(TM)
省スペースで高耐久、ロジックレベルのStrongIRFET(TM)
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 インフィニオンの新型40V、60VパワーMOSFET 「Logic Level … 詳細を見る
大電流リードレスパッケージ車載パワーMOSFETファミリ
大電流リードレスパッケージ車載パワーMOSFETファミリ
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 ■48Vアプリケーション、バッテリマネジメントなどの小型化・高効率化に貢献 … 詳細を見る
低オン抵抗 極小パッケージ車載パワーMOSFETファミリ
低オン抵抗 極小パッケージ車載パワーMOSFETファミリ
【 インフィニオン テクノロジーズ 】 ■ モーター制御、スイッチング電源、ボディ系等の小型化・高効率化に貢献 ■ … 詳細を見る
【新製品】 PFC用高破壊耐量ディスクリートIGBT 「GT50J123」
【新製品】 PFC用高破壊耐量ディスクリートIGBT 「GT50J123」
【 東芝デバイス&ストレージ 】 エアコン電源のPFC用途に適した、600V耐圧の ディスクリートIGBT「G … 詳細を見る
CLS10F40  40V 1.0A 小型 低VF ショットキーバリアダイオード
CLS10F40 40V 1.0A 小型 低VF ショットキーバリアダイオード
【 東芝デバイス&ストレージ 】 ■用途は高効率と小型が必要なモジュール等のLEDバックライトの  昇圧回路/ … 詳細を見る
CUHS15F40 40V 1.5A 低VF ショットキーバリアダイオード
CUHS15F40 40V 1.5A 低VF ショットキーバリアダイオード
【 東芝デバイス&ストレージ 】 ■用途は低コストと高効率の両立が必要なLEDバックライトの昇圧回路/逆流   … 詳細を見る
DMOSトランジスタアレイ 「TBD62xxx シリーズ」
DMOSトランジスタアレイ 「TBD62xxx シリーズ」
【 東芝デバイス&ストレージ 】 ■ベストセラーTD62xxxシリーズの後継として、DMOSトランジスタアレイ … 詳細を見る
SSM6K513NU 30V/15A小型でオン抵抗の低いNch MOSFET
SSM6K513NU 30V/15A小型でオン抵抗の低いNch MOSFET
【 東芝デバイス&ストレージ 】 ■用途はコストと高い耐圧と低い電力ロスが必要な電源ラインの  ロードスイッチ … 詳細を見る
各種産業、電源向けスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFET
各種産業、電源向けスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFET
【 東芝デバイス&ストレージ 】 DTMOSⅤプロセスを採用した650V系スーパージャンクションMOSFET製品 … 詳細を見る
車載用-40 V耐圧PチャネルパワーMOSFET 「XPH3R114MC」
車載用-40 V耐圧PチャネルパワーMOSFET 「XPH3R114MC」
【 東芝デバイス&ストレージ 】 バッテリー電圧低下時でも駆動可能な-4.5 V駆動の車載用-40 V耐圧 P … 詳細を見る
小型パッケージ搭載500mA、PNPトランジスタ『TTA1713』
小型パッケージ搭載500mA、PNPトランジスタ『TTA1713』
【 東芝デバイス&ストレージ 】 汎用中電流トランジスタを開発いたしました。 家電・車載・ウェアラブルなど各種 … 詳細を見る
新パッケージを採用、車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET
新パッケージを採用、車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET
【 東芝デバイス&ストレージ 】 両面放熱・低抵抗・小型化を図ったDSOP Advance(WF)パッケージを … 詳細を見る
新製品 機器の消費電力を低減可能な高静電気耐量の一般整流用ダイオード
新製品 機器の消費電力を低減可能な高静電気耐量の一般整流用ダイオード
【 東芝デバイス&ストレージ 】 車載機器などの逆接続保護や逆電流保護に 適した一般整流用ダイオードを製品化し … 詳細を見る
低オン抵抗スーパージャンクションパワーMOSFET 「TK25N60X」
低オン抵抗スーパージャンクションパワーMOSFET 「TK25N60X」
【 東芝デバイス&ストレージ 】 DTMOS IV-Hプロセスを採用した高速スイッチングスーパージャンクションM … 詳細を見る
電源の高効率化、小型化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFET TPH3R70APL
電源の高効率化、小型化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFET TPH3R70APL
【 東芝デバイス&ストレージ 】 低耐圧トレンチ構造の最新世代U-MOS Ⅸ-Hプロセスを採用した100 V耐圧 … 詳細を見る
電源の高効率化、小型化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFET TPN1200APL
電源の高効率化、小型化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFET TPN1200APL
【 東芝デバイス&ストレージ 】 低耐圧トレンチ構造の最新世代U-MOS Ⅸ-Hプロセスを採用した100 V耐圧 … 詳細を見る
電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション パワーMOSFET
電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション パワーMOSFET
【 東芝デバイス&ストレージ 】 データセンター、太陽光発電パワーコンディショナーなどの産業機器用電源向けに、6 … 詳細を見る
150V超低リーク ショットキーバリアダイオード
150V超低リーク ショットキーバリアダイオード
【 京セラ 】 京セラの高耐圧超低リークショットキーバリアダイオード(SBD)は、順方向電圧特 … 詳細を見る
600V対応 ファストリカバリダイオード(FRD)モジュール
600V対応 ファストリカバリダイオード(FRD)モジュール
【 京セラ 】 京セラの600V対応ファストリカバリダイオード(FRD)モジュールは、従来製品 … 詳細を見る
PFC回路用 ファストリカバリダイオード(FRD)
PFC回路用 ファストリカバリダイオード(FRD)
【 京セラ 】 京セラのPFC回路用 ファストリカバリダイオード(FRD)は、不連続方式用の低 … 詳細を見る
AOE693x : 最新の低耐圧MOSFET技術を用いたPairFET<sup>TM</sup>
AOE693x : 最新の低耐圧MOSFET技術を用いたPairFETTM
【 Alpha & Omega Semiconductor 】 ●最新の低耐圧MOSFETテクノロジーXSFETTMを使 … 詳細を見る
Mシリーズ IGBT : 高効率低EMIのモータ駆動用IGBTシリーズ
Mシリーズ IGBT : 高効率低EMIのモータ駆動用IGBTシリーズ
【 Alpha & Omega Semiconductor 】 ●650V IGBT(高速ソフトスイッチング還流ダイオード付き) ●低 di … 詳細を見る
αMOS5<sup>TM</sup> - 最新のSuper Junction MOSFETプラットフォーム
αMOS5TM - 最新のSuper Junction MOSFETプラットフォーム
【 Alpha & Omega Semiconductor 】 ● 最新のSuper Junctionテクノロジーによるデバイスの発熱を低減 … 詳細を見る
高電流アプリケーション向けTOLLパッケージ 40V Shielded-Gate Technology MOSFET
高電流アプリケーション向けTOLLパッケージ 40V Shielded-Gate Technology MOSFET
【 Alpha & Omega Semiconductor 】 ● 最新のトレンチパワーMOSFETテクノロジー AlphaSGTT … 詳細を見る
Voltage Multipliers Inc.(VMI) 高耐圧ダイオード
Voltage Multipliers Inc.(VMI) 高耐圧ダイオード
【 High Voltage Asia 】 パーツ番号:SMF150 ●パッケージ:超小型モールドタイプ ●サイズ … 詳細を見る
  • 産業用ラズパイ RevPi Core 3 MISUMI-VONA
  • RICOH Web Sample shop Web販売

セミナー・イベント情報

無料ウェブセミナー9月18日開催: 30分でわかる! 振動監視による予知保全
産業機器の予知保全の概要や設計上での振動監視の課題を実例とともに解説します。
<2020年4月施行予定>IoT機器の電気通信事業法認証取得に際するセキュリティ基準を解説
①総務省より本省令の背景や改正概要を解説    ②技術適合認定サポート業務を紹介【参加無料】
無料ウェブセミナー:モーター・ドライブの性能と信頼性を向上させる方法とは?
容量性結合方式の絶縁型ゲート・ドライバによる高性能と高信頼性を実現する方法を紹介。
組込み開発に不可欠で最適なツールを紹介 -バーチャル展示会-
動的テストツール・JTAGエミュレータ・フラッシュプログラマを"ITmedia Virtual EXPO 2019 秋"に出展
【7セグホルダー】7SWシリーズ 信和産業
【7セグホルダー】7SWシリーズ

■チップLED実装後にカ
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プロテクタおよびSHA-256認証内蔵残量ゲージ

MAX17301は、1セルリチウムイオン/ポリマーバッテリ用の24μA IQのスタンドアロンパック側残量ゲージICで、プロテクタおよびオプションのSHA-256認証を内蔵。◆バッテリ特性評価不要

  • 評価ボードプレゼントキャンペーン 東芝
電源ICに関するトレーニングを大公開! テキサス・インスツルメンツ(TI)
電源ICに関するトレーニングを大公開!

製品カテゴリごとのおすすめ日本語トレーニング・ビデオを紹介。
設計・動作原理の基礎から実際に設計する際に留意すべき点、設計方法や比較等を短いビデオで解説。

  • EPSON SG8000シリーズ タクミ商事
  • ゲートドライバ専用モジュール
逃げミゾ付 SUS303×モリブデン処理 廣杉計器
逃げミゾ付 SUS303×モリブデン処理

【逃げミゾ付・バリ吸収スペーサー】 バリ取り不要。相手材の面取り不要。材質:黄銅・SUS303
【モリブデン処理スペーサー】 潤滑性、軽荷重耐性、耐蝕性の向上に。材質:SUS303

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  • 国内最大 約3900社 の代理店・取扱店情報を掲載中