製品情報 高周波IC メーカー31社の製品一覧
クリックランキング (2023年11月)高周波ICとは
高周波ICとは、無線周波領域の電気信号処理を行なう半導体集積回路。RF IC(Radio Frequency IC)ともいう。「高周波」の範囲は難しい。無線周波の範囲としては1kHz~1THzくらいだろうが、無線通信用領域に限れば10kHz~10GHzか。いずれにせよ明確な定義はない。このカテゴリの製品には、変調、復調、ミキサ、デバイダ、アンプ、ローノイズアンプ(LNA)、RFスイッチ、チューナーなど様々な製品がある。
- NEW『ADL5960』~20 GHzベクトル・ネットワーク・アナライザ・フロントエンド
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広帯域、小型フォーム・ファクタのベクトル・ネットワーク・アナライザ・フロントエンドで、抵抗双方向ブリッジ、ダウンコンバージョン・ミキサ、プログラマブルIFアンプ/フィルタ、柔軟性の高い局部発振器(LO)インタフェースで構成されています。ブリッジは17GHzまで14dB以上の指向性を提供する。RFINからRFOUTへの一次伝送ラインは50Ωに広帯域整合され、低周波数での損失はわずか1.1dB、20GHzでは1.8dBに増加する。
- 『ADRF5534』 3.1GHz~4.2GHzのレシーバー・フロント・エンド
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時分割複信(TDD)アプリケーション用に設計された統合型RFフロント・エンド・マルチチップ・モジュールです。このデバイスは3.1GHz~4.2GHzの範囲で動作します。LNAと高出力シリコンSPDTスイッチを備えた構成となっています。
3.6GHzの受信動作において、LNAは、1.3dBの低ノイズ指数(NF)と35.5dBの高ゲイン、−4dBmの3次入力インターセプト・ポイント(IIP3)を備えています。
- 『ADL8106』GaAs、pHEMT、低ノイズ・アンプ、20GHz~54GHz
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ADL8106 は、ガリウムヒ素(GaAs)、擬似高電子移動度移動(pHEMT)、モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)、20 GHz~54 GHz で動作する広帯域低雑音増幅器です。 30GHz~44GHzにおいて、利得21.5dB、1dB圧縮時の出力電力(OP1dB)14dBm、標準出力3次インターセプト(OIP3)21.5dBmを提供します。
■電源電圧:3V/120mA
■50Ωに整合した入出力
■15mm x 15mm、24リードLGAパッケージ
- 『ADL8142』 GaAs、pHEMT、MMIC、低ノイズ・アンプ、23GHz~31GHz
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ADL8142は、ガリウムヒ素(GaAs)、モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)、擬似高電子移動度トランジスタ(pHEMT)、低雑音広帯域アンプで、23GHzから31GHzで動作します。また、ADL8142は、入力と出力がAC結合され内部で50Ωに整合されているため、大容量のマイクロ波無線アプリケーションに理想的な製品となっています。
■27dBゲインと1.6dBの低雑音指数
■2Vの電源電圧で25mAの低消費電力
■2mm×2mmの小型パッケージ
- 『CN0534』 出力電力保護機能付きUSB給電5.8GHz RF LNAレシーバー
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USBで動く5.8GHz RF LNA レシーバーレファレンスキット。
■23.5dBゲイン
■5.8GHz最適化LNA
■ISMバンド対応
■USB電源
- 『HMC1126』 GaAs pHEMT パワー・アンプ、2GHz~50GHz
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HMC1126は、ガリウム・ヒ素(GaAs)、擬似格子整合型高電子移動度転送(pHEMT)、モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の分布型パワー・アンプで、動作範囲は2GHz~50GHz です。
■1dB圧縮ポイント(P1dB)の出力電力: 17.5dB
■飽和出力電力(PSAT): 21dBm
■ゲイン: 11dB
■出力3次インターセプト・ポイント(IP3): 28dBm
■電源電圧: 5V/65mA ■ダイ・サイズ: 2.3 mm x 1.45 mm x 0.05 mm
- 『ADMV4540』 フラクショナルN PLLおよびVCO内蔵 Kバンド直交復調器
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ADMV4540は、高集積直交復調器で、シンセサイザを内蔵しており、次世代のKバンド衛星通信に最適です。
■低位相ノイズのVCOを備えたフラクショナルNシンセサイザ
■4線式SPIを介してプログラム可能 ■RF動作周波数範囲:17GHz~22GHz
■LO内部周波数範囲:17GHz~21.5GHz
■両側波帯ノイズ指数:5dB(最大変換ゲイン時)
■出力積分位相ノイズ1kHz~10MHz:<1°
■最大変換ゲイン>50dB ■変換ゲイン制御範囲>50dB
- 超広帯域対応!SPDTスイッチ NJG1801BKGC-A
- 日清紡マイクロデバイス 問合せ
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●広帯域動作
0.3 ~ 8.5GHzという広い周波数範囲内において
挿入損失:0.35 ~ 0.6dB / アイソレーション:18 ~ 28dB
●車載向け0.5mmピンピッチかつウェッタブルフランクパッケージ
●広動作温度範囲 (-40 to 125℃)、車載適合規格
●切替電圧:3.0 V typ. ●低消費電流:5.0 μA typ.
●主な用途:車載向けRKE用途、BLE・UWB用途、WLAN用途、その他汎用切替用途
- 業界トップレベル※の超低消費電流SPDTスイッチ NJG1816K75
- 日清紡マイクロデバイス 問合せ
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●業界トップレベル※の超低消費電流:0.1µA typ. ※2021.06 当社調べ
●1.6Vからの広い切替電圧:1.6V to 4.0V
●小型パッケージ:DFN6-75 (1.0mm x 1.0mm)
●低挿入損失:0.45dB typ. @f=920MHz
●高アイソレーション:30dB typ. @f=920MHz
●0.1dB圧縮時入力電力:+30dBm typ. @f=920MHz
●主な用途:アンテナ切替、経路切替およびその他汎用用途、LPWA用途 (Sigfox、LoRaWAN、Wi-SUN)
- 1.8V低動作電圧対応 汎用SPDTスイッチ NJG1818K75
- 日清紡マイクロデバイス 問合せ
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●1.8Vの低動作電圧対応、且つ6GHz帯において、業界トップレベル※の低損失特性 ●1.6V~5.0Vの広い動作電圧範囲への対応
●外付けキャパシタの内蔵及び小型パッケージへの搭載
●動作電流:15 µA typ. @ 1.8 V
●切替電圧:1.8V typ. (1.35V to 5.0V)
●主な用途:802.11a/ b/ n/ ac/ axなど無線通信システム、通信モジュール、アクセスポイント及びスマートフォンなどモバイル端末、送受信、アンテナの切替及びその他の汎用切替用途 ※2021.07 当社調べ
- 10W 大電力 SPDTスイッチ NJG1817ME4
- 日清紡マイクロデバイス 問合せ
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●低挿入損失:2G~6GHzの帯域において0.35~0.45dB
●5G通信に最適な高速切替特性:150 ns typ.
●小型薄型パッケージ:EQEN12-E4 (2.0mm x 2.0mm x 0.397mm typ.)
●主な用途:5G(Sub-6)基地局システム、業務用無線通信端末、送信と受信の切替/アンテナ切替/PA出力切替、 及びその他汎用用途
- 広帯域特性を持つ低雑音増幅器(LNA)
- アスニクス コンタクト
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BeRex社の広帯域LNA(BLシリーズ)は、温度特性補償された独自のバイアス回路を用いることで、温度や電圧変化に対する消費電流の変動が少ないデバイスを実現しています。その為、幅広いアプリケーションでご利用頂けます。
その他、ハイパワー増幅器/RFスイッチ/ミキサー/パワーデバイダについてもお取り扱いしております。
<仕様例>
周波数:5~6000MHz NF:0.3~1.5dB 電圧:3.0~5.0V
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アナログ・デバイセズ
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ワイヤレス・センサー・ネットワーク
SmartMesh IP, SmartMesh WirelessHART
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RF / マイクロ波
RFアンプ、通信アナログ・フロントエンド、RFモジュール、ダイレクト・デジタル・シンセサイザ、RFパワー・ディテクタ、RFプリディストーションIC、RF集積化トランシーバ、トランスミッタ、レシーバ、RFスイッチ、I/Q変調器/復調器、RF ミキサー、チューナブル・フィルタ、可変ゲイン・アンプ(VGA)、直交型デジタル・アップ・コンバータ(QDUC)
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日清紡マイクロデバイス
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車載用RFデバイス
車載用RFスイッチ、車載用フロントエンドモジュール
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通信用IC & RFデバイス
FM IF検波IC、変調/復調/ミキサ IC、高周波アンプ/PLL IC、ローノイズアンプ(LNA)、RFスイッチ、フロントエンドモジュール、SAWフィルタ、AM/FMラジオチューナーIC、パワーラインコミュニケーションIC
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ローム
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LPWA無線
ラピステクノロジー
IEEE802.15.4kとSigfoxのデュアルモードLPWAに対応した無線LSI -
特定小電力無線 (Sub-GHz帯無線)
ラピステクノロジー
日本、欧州、中国、ワールドワイドのスマートメータの規格に準拠した無線LSI。テレメータ用、テレコントロール用及びデータ伝送用無線局(429MHz・920MHz)、小電力セキュリティシステム(426MHz)の特定小電力無線局用
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Altum RF
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Power Amplifier
MMICパワーアンプ、ガリウムヒ素Eバンドパワーアンプ、Xバンド向け、高データレート向けリニアアンプ、Kuバンド向け、Kバンド向け
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Low Noise Amplifier(LNA)
LNA、driver amplifier
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Distributed Amplifier
広帯域分布型アンプ
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pSemi
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RF device
Switch, Tuning control switch(TCS), Digital step attenuator(DSA), Digitally tunable capacitor(DTC), Power limiter, Mixer, Prescaler, Monolithic phase & amplitude controller(MPAC), Wi-Fi front-end module(FEM), Digital phase shifter(DPS), Switch + low-noise amplifier(LNA)
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Linx Technologies
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RF Modules
315/418/433/868/869/900/916MHz、トランスミッタ、レシーバ、エンコーダ、デコーダ
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Melexis
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RF receiver/transceiver/transmitter
LIN transceiver, CAN transceiver, 125kHz RFID transceiver, NFC Sensor Tag IC
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AMCOM Communications
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Hybrid Power Modules
High Power Amplifier Module
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旭化成エレクトロニクス
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無線通信IC
ダイレクトコンバージョントランシーバー IC、無線機用ベースバンド IC、狭帯域可変型 IF フィルター内蔵 FM IF 検波 IC
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Cermetek Microelectronics
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Embedded Wireless Devices
900 MHz and 2.4 GHz wireless modules
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ReliaSat
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K/Ka band Synthesizer
Fixed Frequency Surface Mount Synthesizer、Programmable Surface Mount Frequency Synthesizer
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Nordic Semiconductor
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ANT(TM)
ANTのプロトコルスタックとANTの接続RF IC, スポーツ、フィットネスとヘルスケア製品のためのワイヤレスセンサとハブを含む超低消費電力無線センサネットワークのアプリケーション
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2.4GHz RF
超低消費電力2.4GHz帯 RF IC
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Micro Analog Systems (MAS)
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Time code receiver IC
AM receiver IC
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引(B To B)の対象です。各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
高周波ICのクリックランキング
2023年11月 BEST13

順位 | 企業名 | クリック割合 |
---|---|---|
1 | アナログ・デバイセズ | 13.0% |
2 | 日清紡マイクロデバイス | 12.0% |
3 | アスニクス | 9.3% |
4 | Altum RF | 6.5% |
5 | ASB | 5.6% |
6 | インフィニオン テクノロジーズ | 4.6% |
7 | pSemi | 3.7% |
7 | RFIC | 3.7% |
9 | マイクロチップ | 2.8% |
9 | Skyworks | 2.8% |
9 | MicroWave Technology (MWT) | 2.8% |
9 | Vectrawave | 2.8% |
9 | Linx Technologies | 2.8% |
※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。
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