■堅牢な保護を提供する過渡電圧サプレッサ
■非常に低くフラットなクランピング電圧
■スタンドオフ電圧: 33V
■低漏洩電流（19nA@27℃、28nA@85℃）
■ESD、EFT、サージ保護機能搭載
■アプリケーション: IO-Link、フィールド・トランスミッタなど
■4ピンWCSPまたは6ピンSONパッケージに封止
■評価モジュールも用意

■用途はUSB Vbusや電源ラインなどで発生する静電気サージやノイズからの
　保護用途
■高い保護性能とESD自身の耐量で半導体部品を保護
■使いやすい2.5x1.25mmパッケージ
■12V保護に最適 VRWM 12.6V
■高いESD除去能力 低クランプ電圧
■静電気耐量 30kV

■用途は各インターフェースポートなどで発生する静電気やノイズからの
　保護用途
■高い保護性能とESD自身の耐量で半導体部品を保護　
■レイアウト自由な0.62x0.32mmパッケージ
■5V保護に最適 VRWM 5.5V
■端子間容量 12pF
■静電気耐量 30kV

サージ保護性能を向上するためにピークパルス電流定格を上げた標準容量タイプのTVSダイオード(ESD保護ダイオード)「DF2B5BSL」を製品化しました。
　■高ピークパルス電流定格：IPP=8A
　　 IEC61000-4-5準拠
　■高静電気耐量定格：VESD= ±23kV
　　 IEC61000-4-2準拠 (接触放電)
　■低クランプ電圧：VC=9.6V (typ.) @IPP=8 A
　　 IEC61000-4-5規格の8/20μsパルスで測定

高速信号ラインの静電気放電 (ESD) に対する保護性能を向上したTVSダイオードを製品化しました。
「DF2B5M5SL」、「DF2B6M5SL」
「DF2S5M5SL」、「DF2S6M5SL」
　■3V/5Vライン用低容量タイプ
　■低ファーストピーク電圧：Vpeak=67 V (typ.)
　■高静電気耐量[注]：VESD ＝ ±20 kV
　[注] IEC61000-4-2 (接触放電)

●実装性に優れたAVX独自の5面電極構造により小型0603mm、1005mmサイズを実現。 ●双方向サージに対する保護が可能な無極性構造。 ●スマートフォン、小型液晶、産業用小型センサなど小型化・薄型化を必要とするアプリケーションのESD対策に最適。 ●最小静電容量0.3pF、低クランプ電圧≦12V@1AによりUSB2.0/3.0、ギガビットイーサネット等の高速信号回路のESD対策に最適。 ●IEC61000-4-2 レベル4の±20kV気中放電/直接放電準拠の高いESD耐性。

AOZ8858 (DFN2.5x1.0): USB3.0/3.1用ESD保護デバイス
　●超低容量 : 0.25pF (I/O-GND間)/ 0.12pF (I/O-I/O間)
　●挿入損失: -3dB @ > 6 GHz

AOZ8101 (SOT23-3L) ： USB2.0用ESD保護デバイス
　●ESD：±30KV
　●低容量：0.7pF (I/O - GND間)