従来では困難だった1pA以下の極小漏れ電流を実現したMOS FETリレーモジュールG3VM-□MTを発売。高い測定精度を必要とする試験計測機器などでリードリレーと同等の測定精度を維持しながら、小型化と長寿命化に貢献。
■耐久性：開閉寿命レス
■漏れ電流：1pA以下（リードリレーと同等*）
■サイズ：5mm×3.75mm×2.7mm
■出力定格：20V/60V/100V　*2021年7月当社調べ

【TLP4590A】はオン電流定格1.2Aで、当社既存製品TLP4176Aと比べて140%アップしています。また、最大動作温度定格110℃を実現。b接点が多く使われるHVAC、セキュリティシステム、ビルオートメーションシステム機器に適しています。加えて最小絶縁耐圧5000Vrmsを実現、高い絶縁性能が必要な機器に使用可能です。
■小型パッケージ：DIP6（7.12×7.62×3.65mm）採用

TLP3106A他2製品は従来製品に比べてオン電流定格を大きくした2.54SOP6パッケージの大電流フォトリレーです。受光側に当社最新のトレンチ構造U-MOSプロセスのMOSFETチップを搭載し、従来製品に比べて低オン抵抗を実現しました。これにより、オン電流定格を約113～150%に大きくすることができ、各種DC/AC用途の1a接点メカニカルリレーの置き換えが容易となりました。メカニカルリレーよりも信頼性が向上し、リレードライバーを含めた省スペース設計に貢献します。

低トリガーLED 電流を実現した4ピンSO6パッケージのフォトリレー「TLP170AM」(阻止電圧60V)および「TLP170GM」(同350V)です。
フォトダイオードアレイの感度を上げることにより、最大トリガーLED電流1mAを実現し、入力側電力損失を低減しています。そのため、電池で駆動するセキュリティー機器や各種センサーなどのON/OFF制御する出力として使用することで、機器の低消費電力化や長期動作化に貢献します。さらに、最小絶縁耐圧3750V_rmsを実現しています。

TLP3407SRA、TLP3475SRHA、TLP3412SRHAは最大動作温度定格125℃へ拡張した業界最小実装面積の電圧駆動型フォトリレーです。温度が高いエリアの実装、機器の温度設計マージンを確保しやくなります。S-VSON4Tパッケージ採用により、実装基板の省スペース化や、フォトリレーの搭載数増加ができます。これにより、半導体テスターやプローブカードなどへのフォトリレーの集積密度向上に貢献します。

新パッケージP-SON4は、実装面積7.2mm²(typ.)で、従来パッケージ　2.54SOP4パッケージと比べて約74%、2.54SOP6パッケージと比べて約84%小型化しました。これにより高密度実装に貢献できます。また、受光側に当社最新のMOSFETチップを使用することで、低オン抵抗化を実現しました。30V/4.5Aから100V/2AのTLP348xシリーズ３製品です。

DIP4パッケージ：TLP3556A、TLP3558A、TLP241A
DIP6パッケージ：TLP3543A、TLP3545A、TLP3546A
DIP8パッケージ：TLP3547、TLP3548、TLP3549。
米国安全規格UL 508認定を取得した産業用制御機器向けフォトリレー。

■UL 1577認定製品
■ケース温度 (Max): T_c=105℃

[1] 過電流による回路破壊を防止する保護回路内蔵
[2] 保護回路内蔵により、設計の効率化、省スペース化を実現
[3] 過電流で出力側のOFFを維持するラッチタイプと
　　自己復帰するノンラッチタイプを品揃え

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