製品情報
ゲートドライバ IC
クリックランキング (2019年2月)
- 100V 3相スマート・ゲート・ドライバ 『DRV8353』 テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
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■BLDCモーターの磁界方向制御、正弦波電流制御、台形電流制御に最適
■3個の電流シャント・アンプ搭載
■スマート･ゲート･ドライブ･アーキテクチャ採用により外付け部品数を低減
■VM低電圧誤動作防止など各種保護機能内蔵
■用途はドローン、ロボティクスなど
■40ピンWQFNパッケージに封止
- 50MHz、200Vハーフブリッジ高性能GaN FETドライバ『LMG1210』 テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
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■用途は高速DC/DCコンバータ、RFエンベロープ・トラッキングなど
■伝搬遅延：10ns（代表値） ■可変デッドタイム制御機能
■ハイサイド/ローサイド・マッチング：1.5ns
■パルス幅：3ns以上 ■UVLO、過温度保護
■ピークソース電流：1.5A ■ピークシンク電流：3.1A
■ハイサイド/ローサイド・キャパシタンス：1pF未満
■外付けブートストラップ・ダイオード
■パッケージは4 x 3mmのWQFN
- 超高速5VローサイドGaN FETドライバ『LMG1020』 テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
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■LiDARなどの高速アプリケーションのGaN FETや
ロジックレベルMOSFETの駆動に最適
■高速伝搬遅延：2.5ns（代表値）、4.5ns（最大値）
■最小パルス：1ns ■低電圧ロックアウト、過温度保護機能
■立ち上がり/立ち下がり時間：400ps（代表値）
■ピークソース電流：7A ■ピークシンク電流：5A
■パッケージは 0.8 x 1.2mm角のWCSP
■評価モジュールも用意
- CMTIが高く、構成可能なシングルチャネル絶縁型IGBTゲート・ドライバ『UCC5320』 テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
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■ピーク電流：最大4.3A
■入力電圧範囲：3～15V ■出力ドライバ電源電圧範囲：13.2～33V
■最大3kVRMSの絶縁電圧をサポート
■CMOS入力 ■伝搬遅延：75ns（最大）
■最小コモンモード過渡耐性(CMTI) ：100kV/μs
■周囲動作温度範囲：-55～+125℃ ■絶縁サージ耐久電圧：4242VPK
- インフィニオンの産業用ゲートドライバIC インフィニオン テクノロジーズ コンタクト
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シングル・ハイサイドから、ハーフブリッジ、3相まであらゆるトポロジーに対応。
インフィニオンの産業用ゲートドライバIC は、1チャネルハイサイドおよび1チャネルローサイドドライバから、3相レベルシフトドライバおよび電流検出 ICまで幅広い品揃えをご用意。
- IGBT/MOSFETゲートドライバ 2ED Compact Family インフィニオン テクノロジーズ ご購入はこちら
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●600V耐圧ハーフブリッジドライバ EiceDRIVER（TM）
●SOI テクノロジー
●高dv/dt 耐量
●ブートストラップダイオード内蔵
●IGBT、MOSFET別のUVLO
●各種保護機能
●姉妹品：フルブリッジ・ドライバ 6EDコンパクトファミリー
●推奨アプリケーション：家電、汎用インバータ
- MOSFET用ゲートドライバIC 「EiceDRIVER（TM）」 インフィニオン テクノロジーズ ご購入はこちら
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MOSFETやGaNスイッチングデバイスと、制御 ICとの間をつなぐドライバIC ■SMPS内のPFC、LLC回路、同期整流段向け
■業界標準の8ピンパッケージ
■独立した非絶縁型ローサイドチャネルを2チャネル備える
■2チャネルともピーク電流5Aを供給可能
■立ち上がり時間と降下時間はわずか5 ns（標準値）
■システムレベルで高い効率、優れた電力密度、システムの一貫した耐久性を実現
- SiC MOSFETのゲートドライブ専用のモジュール！ タムラ製作所 電子部品 サンプル希望
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DC-DCコンバータと専用ドライブ回路を内蔵したゲートドライバ。
SiC MOSFETのゲートドライブに必要な機能を集約した製品。
特にコモンモードノイズ対策に重点を置いた高速駆動に最適な
ゲートドライバです。
用途：
産業用パワーコンディショナー・各種インバータ・各種モータドライブ
- Si826x 信頼性の高いCMOS絶縁型ゲート・ドライバ シリコン・ラボラトリーズ ダウンロード
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●スタンダードな高速フォトカプラ・ゲートドライバとピン互換で置換え可能 ●低電力ダイオード・エミュレータによりフォトカプラタイプの入力互換を実現 ●0.6A 及び 4.0Aのピーク出力ドライブ電流に対応した製品ラインアップ ●フォトカプラよりも高い性能と信頼性,長期耐用年数を実現(10倍低いFITレート) ●優れたコモンモード過渡耐久性(CMTI) ： ＞ 50 kV/μs (Typ.) ●ヒステリシスに対応した低電圧保護機能(UVLO) ●伝播遅延時間が短く(60nsec)、広域なVDD レンジ(5～30 V) ●3.75kV 及び 5kV の絶縁耐圧（UL,CSA,VDE準拠） ●AEC-Q100 認定取得
- 新日本無線（JRC） [代理店/取扱店情報]
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スイッチングドライバIC
ゲートドライバ、ハーフ/フルブリッジドライバ
- IXYS Integrated Circuits [代理店/取扱店情報]
- ePaper Source & Gate Drivers
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Gate Drivers
MOSFET & IGBT Gate Drivers, Optically Isolated Gate Drivers
- ルネサス エレクトロニクス [代理店/取扱店情報]
- GaN FET Driver / MOSFET Driver (Space & Harsh Environment)
- MOSFET Driver
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フォトカプラ モータ駆動
モータ駆動用（インバータ用）、IGBT駆動用
- Melexis [代理店/取扱店情報]
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Pre driver
For automotive DC applications
- Cissoid [代理店/取扱店情報]
- High-Temperature Half-Bridge Isolated Gate-Driver
- High-Temperature Gate-Driver Chipset
- Elmos Semiconductor [代理店/取扱店情報]
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IGBT Driver
for Spark Plug Coils / for Spark Plugs
ご注意ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
2019年2月のクリックランキング (Best 10)
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | テキサス・インスツルメンツ(TI) | 21.8% |
| 2 | インフィニオン テクノロジーズ | 18.2% |
| 3 | アナログ・デバイセズ | 8.3% |
| 4 | 新日本無線（JRC） | 8.0% |
| 5 | ルネサス エレクトロニクス | 7.2% |
| 6 | ローム | 6.6% |
| 7 | オン・セミコンダクター | 5.8% |
| 8 | タムラ製作所 電子部品 | 4.7% |
| 9 | 日立パワーデバイス | 3.6% |
| 9 | STマイクロエレクトロニクス | 3.6% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数
このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。
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