MAX22701Eはシングルチャネル絶縁型ゲートドライバで、300kV/µs (typ)という超高コモンモード過渡耐性(CMTI)を備えています。
◆最小パルス幅：20ns
◆伝播遅延：35ns (室温)
◆デバイス間伝播遅延マッチング：2ns (室温)
◆絶縁耐圧：3kV_RMS (60秒)
◆連続耐圧：848V_RMS ◆高精度UVLO
◆8ピンナローボディSOICパッケージ(3.90mm x 4.90mm)

■用途は産業用モーター制御駆動、産業用電源など
■強化絶縁定格：5kVRMS ■ピーク出力電流：3A
■ハイサイドとローサイドのパワーFETを駆動
■接合部温度：－40℃～＋130℃ ■最小CMTI：100kV/μs
■出力ドライバ電源電圧：13.2V～33V ■最大伝搬遅延：115ns
■最大部品間遅延マッチング：25ns ■絶縁バリア寿命：40年超
■7.5 x 4.68mmの6ピンSOICパッケージ

■トラクション・インバータ、オンボード・チャージャ、通信機器向け電源、
　産業用モーター駆動などに最適
■最大1700VのSiC MOSFETやIGBTに対応
■内蔵のバッファとセンサが温度、電流、電圧を正確に検知
■最大動作電圧：1.5kVRMS ■最大サージ耐性：12.8kVPK
■絶縁バリア寿命：40年超 ■高い駆動電流とCMTI
■動作電圧範囲：－40℃～＋125℃
■16ピンのSOICパッケージ

■AEC-Q100準拠予定 ■トラクション・インバータ、オンボード・
チャージャ、通信機器向け電源、産業用モーター駆動などに最適
■最大1700VのSiC MOSFETやIGBTに対応
■内蔵のバッファとセンサが温度、電流、電圧を正確に検知
■最大動作電圧：1.5kVRMS ■最大サージ耐性：12.8kVPK
■絶縁バリア寿命：40年超 ■高い駆動電流とCMTI
■低い部品間スキュー ■16ピンのSOICパッケージ

■用途はトラクション・インバータ、オンボード・チャージャ、
　通信機器向け電源、産業用モーター駆動など ■AEC-Q100準拠予定
■最大1700VのSiC MOSFETやIGBTに対応
■内蔵のバッファとセンサが温度、電流、電圧を正確に検知
■最大1.5kVRMSの動作電圧、最大12.8kVPKのサージ耐性、
　40年超の絶縁バリア寿命をサポート ■高い駆動電流とCMTI
■16ピンのSOICパッケージ

■BLDCモーターの磁界方向制御、正弦波電流制御、台形電流制御に最適
■3個の電流シャント・アンプ搭載
■スマート･ゲート･ドライブ･アーキテクチャ採用により外付け部品数を低減
■VM低電圧誤動作防止など各種保護機能内蔵
■用途はドローン、ロボティクスなど
■40ピンWQFNパッケージに封止

世界最小クラスのNch MOSFETドライバーICです。
外付けMOSFET(SSM6K513NU)を用いて極小面積で超低RONの電源スイッチを実現できます。
■入力電圧範囲：2.7 ～ 28 V (最大定格 40V)
■チャージポンプ回路/突入電流抑制回路/過電圧保護回路内蔵
■超小型パッケージ：WCSP6E (1.2 x 0.8 x 0.55mm)
※本製品を使用したリファレンスデザイン”MOSFETドライバーIC TCK401G応用と回路 ”もご用意しております。

パワー素子の過電流による非飽和電圧上昇を検知し、ゲート電圧をソフトターンオフさせる機能を備えた最大4A出力の光絶縁型ゲートドライバーです。
■非飽和検出（DESAT）電圧しきい値　6.5V（標準）
■DESAT立ち上がり時ブランキング機能、DESATフィルタ機能により、スイッチング中やDESAT検出中のパルスノイズによる誤動作を防ぎます。
※本製品を使用したリファレンスデザイン≪スマートゲートドライバカプラTLP5214Aインバータ応用≫もご用意しております。

「デュアルパワーMOSFET用高速ドライバ OptiMOS^TM PX3517 & PX3519」
通信事業者等のPOL（ポイント オブ ロード）電源などのアプリケーションで、ハイサイドおよびローサイドのNチャネルパワーMOSFETを駆動可能です。(ゲート駆動電圧を4.5V～8Vの範囲内で調整可能)

「OptiMOS^TMドライバ PX3515 & PX3516」
最高の効率で大電流DC-DC変換を行うための高速インテリジェントゲートドライバを実現する、先進のスマートパワーICテクノロジーです。

インフィニオンは、絶縁ゲートドライバ、レベルシフトゲートドライバ、非絶縁ローサイドゲートドライバなど、500種類以上のEiceDRIVER^TM ゲートドライバソリューションを提供し、幅広いパワー半導体トポロジー、電力変換トポロジーの設計要件に対応しています。

【CoolSiC^TMMOSFETに最適なゲートドライバIC】
優れた伝搬遅延マッチング、正確な入力フィルタ、広い出力側供給範囲、負のゲート電圧駆動能力、高い同相過渡除去特性（CMTI）、アクティブミラークランプ、DESAT保護機能など、SiC MOSFETを駆動するうえで重要な機能やパラメータを実装しています。

MOSFET、IGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、およびGaN HEMT用。
耐久性が高く、強力な高性能シングルチャネルおよびデュアルチャネル、絶縁ゲートドライバです。
最大10Aのゲート駆動電流で、優れたパワースイッチ効率を実現します。
短絡保護、高精度な入力フィルタ、100 kV/μsの高い同相過渡電圧耐性、アクティブミラークランプ、DESAT保護、広い出力側電源電圧範囲、負のゲート電圧対応、ソフトターンオフ、2段階ターンオフなど、幅広い機能を提供します。

インフィニオンは、500Vから700Vの機能絶縁が必要なアプリケーション向けに、業界トップレベルのレベルシフトゲートドライバIC製品をご提供しています。
インフィニオンのゲートドライバICは、3相、ハーフブリッジ、ハイサイドやローサイドなど様々な構成で、過電流保護(OCP)や非飽和(DESAT)、低電圧ロックアウト(UVLO)などの保護機能を備えています。
ステータス表示(障害)、イネーブル機能、シャットダウン機能もご利用いただけます。

インフィニオンは、1200Vの機能絶縁が必要なアプリケーション向けに、業界トップレベルのレベルシフトゲートドライバIC製品をご提供しています。
インフィニオンのゲートドライバICは、3相、ハーフブリッジ、ハイサイドやローサイドなど様々な構成で、過電流保護(OCP)や非飽和(DESAT)、低電圧ロックアウト(UVLO)などの保護機能を備えています。
ステータス表示(障害)、イネーブル機能、シャットダウン機能もご利用いただけます。

インフィニオンは、200Vレベルシフトゲートドライバの包括的なラインナップを取り揃えており、低電圧（24V、36V、48V）および中電圧（60V、80V、100V、120V)のモータ制御アプリケーション向けの3相、ハーフブリッジ、ハイサイドおよびローサイドドライバを提供しております。

シングル・ハイサイドから、ハーフブリッジ、3相まであらゆるトポロジーに対応。

インフィニオンの産業用ゲートドライバIC は、1チャネルハイサイドおよび1チャネルローサイドドライバから、3相レベルシフトドライバおよび電流検出 ICまで幅広い品揃えをご用意。

DC-DCコンバータと専用ドライブ回路を内蔵したゲートドライバ。
SiC MOSFETのゲートドライブに必要な機能を集約した製品。
特にコモンモードノイズ対策に重点を置いた高速駆動に最適な
ゲートドライバです。
用途：
産業用パワーコンディショナー・各種インバータ・各種モータドライブ