12V〜24Vの双方向ブラシ付きDCモーターを駆動する4つの外部NチャネルMOSFETを使用する、単一のHブリッジ・ゲート・ドライバです。内蔵センスアンプにより、調整可能な電流制御が可能です。 ゲートドライバは、固定オフ時間PWM電流チョッピングを使用して巻線電流を調整する回路を含みます。

12Vおよび24V DCレールに対応した3相ブラシレスDC (BLDC)モータ用の統合型ゲート・ドライバです。BLDCモータの磁界方向制御(FOC)、正弦波電流制御、および台形電流制御に適しています。BLDCモータの相電流を検知する電流センス・アンプ(CSA)を3つ内蔵しているため、最適なFOCおよび電流制御システムを実装できます。

■用途は高速DC/DCコンバータ、RFエンベロープ・トラッキングなど
■伝搬遅延：10ns（代表値） ■可変デッドタイム制御機能
■ハイサイド/ローサイド・マッチング：1.5ns
■パルス幅：3ns以上 ■UVLO、過温度保護
■ピークソース電流：1.5A ■ピークシンク電流：3.1A
■ハイサイド/ローサイド・キャパシタンス：1pF未満
■外付けブートストラップ・ダイオード
■パッケージは4 x 3mmのWQFN

■LiDARなどの高速アプリケーションのGaN FETや
ロジックレベルMOSFETの駆動に最適
■高速伝搬遅延：2.5ns（代表値）、4.5ns（最大値）
■最小パルス：1ns ■低電圧ロックアウト、過温度保護機能
■立ち上がり/立ち下がり時間：400ps（代表値）
■ピークソース電流：7A ■ピークシンク電流：5A
■パッケージは 0.8 x 1.2mm角のWCSP
■評価モジュールも用意

■ピーク電流：最大4.3A
■入力電圧範囲：3～15V ■出力ドライバ電源電圧範囲：13.2～33V
■最大3kV_RMSの絶縁電圧をサポート
■CMOS入力 ■伝搬遅延：75ns（最大）
■最小コモンモード過渡耐性(CMTI) ：100kV/μs
■周囲動作温度範囲：-55～+125℃ ■絶縁サージ耐久電圧：4242V_PK

■4個の外部NチャネルMOSFETで双方向ブラシ付きDCモータを駆動
■AEC-Q100認証済みで動作時周囲温度は-40℃～+125℃
■動作電源電圧範囲：5.5V～45V
■3つの制御インターフェイス・オプション：
PH/EN、独立したHブリッジ、PWM
■5mm x 5mm 32ピンVQFNパッケージに封止
■『DRV8702-Q1EVM』評価モジュールも用意

高電圧の産業機器に最適な高精度タイミング制御を実現
■異なる性能と安全機能に対応する4製品で構成
■業界最高の動作電圧：最大1500Vrms/2121Vpk
■業界最高の同相過渡耐性（CMTI ）：最小100kV/μs
　 （代表値：＞120kV/μs）
■短い伝搬遅延時間：76ns（代表値）/110ns（最大値）
■パッケージは16ピンのSOIC
■評価モジュールも用意

産業用電源に使用される高スイッチング周波数のオフライン
AC/DC電源の電力密度を向上
■伝搬遅延時間：90ns（定格値）、-40℃～+125℃で125ns（最大値）
■4Aのソース/シンク電流容量 ■実装面積を半減
■スイッチ・ノード・ピンは-6Vの負電圧に対応
■数Wから1kWまでの広範な電力範囲のMOSFETを駆動可能
■広い温度範囲で電気的特性の変動が小さい
■パッケージはSOIC-14 ■評価モジュールも用意

用途は産業機器向けの電流型プッシュプル・コンバータ、
ハーフ/フルブリッジ・コンバータ、同期整流降圧型コンバータなど　
■ハイサイドとローサイドのNチャネルMOSFETを駆動
■独立したハイ/ロー・ドライバ・ロジック入力
■高速伝搬時間：25ns（代表値）
■8nsの立ち上がり/立ち下がり時間で1000pF負荷を駆動
■電源レール電圧低下ロックアウト ■低消費電力
■パッケージは10ピンWSON、8ピンSOIC

シングル・ハイサイドから、ハーフブリッジ、3相まであらゆるトポロジーに対応。

インフィニオンの産業用ゲートドライバIC は、1チャネルハイサイドおよび1チャネルローサイドドライバから、3相レベルシフトドライバおよび電流検出 ICまで幅広い品揃えをご用意。

●600V耐圧ハーフブリッジドライバ EiceDRIVER（TM）
●SOI テクノロジー
●高dv/dt 耐量
●ブートストラップダイオード内蔵
●IGBT、MOSFET別のUVLO
●各種保護機能
●姉妹品：フルブリッジ・ドライバ 6EDコンパクトファミリー
●推奨アプリケーション：家電、汎用インバータ

MOSFETやGaNスイッチングデバイスと、制御 ICとの間をつなぐドライバIC ■SMPS内のPFC、LLC回路、同期整流段向け
■業界標準の8ピンパッケージ
■独立した非絶縁型ローサイドチャネルを2チャネル備える
■2チャネルともピーク電流5Aを供給可能
■立ち上がり時間と降下時間はわずか5 ns（標準値）
■システムレベルで高い効率、優れた電力密度、システムの一貫した耐久性を実現

DC-DCコンバータと専用ドライブ回路を内蔵したゲートドライバ。
SiC MOSFETのゲートドライブに必要な機能を集約した製品。
特にコモンモードノイズ対策に重点を置いた高速駆動に最適な
ゲートドライバです。
用途：
産業用パワーコンディショナー・各種インバータ・各種モータドライブ

●スタンダードな高速フォトカプラ・ゲートドライバとピン互換で置換え可能 ●低電力ダイオード・エミュレータによりフォトカプラタイプの入力互換を実現 ●0.6A 及び 4.0Aのピーク出力ドライブ電流に対応した製品ラインアップ ●フォトカプラよりも高い性能と信頼性,長期耐用年数を実現(10倍低いFITレート) ●優れたコモンモード過渡耐久性(CMTI) ： ＞ 50 kV/μs (Typ.) ●ヒステリシスに対応した低電圧保護機能(UVLO) ●伝播遅延時間が短く(60nsec)、広域なVDD レンジ(5～30 V) ●3.75kV 及び 5kV の絶縁耐圧（UL,CSA,VDE準拠） ●AEC-Q100 認定取得