■出力ピンあたり2Aの出力電流(＜3Ω R_DSON_x) ■3Aピーク短絡電流3.3V～6.5V､V_DD1 ■4.5V～35V､V_DD2 ■Positive Going Threshold､3.3V V_DD1でのUVLO ■複数のPositive Going Threshold､V_DD2でのUVLOオプション ■高精度タイミング特性 ■CMOS入力ロジック・レベル ■高いコモンモード過渡耐圧：＞150kV/µs 高いジャンクション温度動作：125°C ■デフォルトのロー・レベル出力 ■選択可能なスルー・レート制御

■用途は産業用モーター制御駆動、産業用電源など
■強化絶縁定格：5kVRMS ■ピーク出力電流：3A
■ハイサイドとローサイドのパワーFETを駆動
■接合部温度：－40℃～＋130℃ ■最小CMTI：100kV/μs
■出力ドライバ電源電圧：13.2V～33V ■最大伝搬遅延：115ns
■最大部品間遅延マッチング：25ns ■絶縁バリア寿命：40年超
■7.5 x 4.68mmの6ピンSOICパッケージ

■トラクション・インバータ、オンボード・チャージャ、通信機器向け電源、
　産業用モーター駆動などに最適
■最大1700VのSiC MOSFETやIGBTに対応
■内蔵のバッファとセンサが温度、電流、電圧を正確に検知
■最大動作電圧：1.5kVRMS ■最大サージ耐性：12.8kVPK
■絶縁バリア寿命：40年超 ■高い駆動電流とCMTI
■動作電圧範囲：－40℃～＋125℃
■16ピンのSOICパッケージ

■AEC-Q100準拠予定 ■トラクション・インバータ、オンボード・
チャージャ、通信機器向け電源、産業用モーター駆動などに最適
■最大1700VのSiC MOSFETやIGBTに対応
■内蔵のバッファとセンサが温度、電流、電圧を正確に検知
■最大動作電圧：1.5kVRMS ■最大サージ耐性：12.8kVPK
■絶縁バリア寿命：40年超 ■高い駆動電流とCMTI
■低い部品間スキュー ■16ピンのSOICパッケージ

■用途はトラクション・インバータ、オンボード・チャージャ、
　通信機器向け電源、産業用モーター駆動など ■AEC-Q100準拠予定
■最大1700VのSiC MOSFETやIGBTに対応
■内蔵のバッファとセンサが温度、電流、電圧を正確に検知
■最大1.5kVRMSの動作電圧、最大12.8kVPKのサージ耐性、
　40年超の絶縁バリア寿命をサポート ■高い駆動電流とCMTI
■16ピンのSOICパッケージ

■BLDCモーターの磁界方向制御、正弦波電流制御、台形電流制御に最適
■3個の電流シャント・アンプ搭載
■スマート･ゲート･ドライブ･アーキテクチャ採用により外付け部品数を低減
■VM低電圧誤動作防止など各種保護機能内蔵
■用途はドローン、ロボティクスなど
■40ピンWQFNパッケージに封止

■用途は高速DC/DCコンバータ、RFエンベロープ・トラッキングなど
■伝搬遅延：10ns（代表値） ■可変デッドタイム制御機能
■ハイサイド/ローサイド・マッチング：1.5ns
■パルス幅：3ns以上 ■UVLO、過温度保護
■ピークソース電流：1.5A ■ピークシンク電流：3.1A
■ハイサイド/ローサイド・キャパシタンス：1pF未満
■外付けブートストラップ・ダイオード
■パッケージは4 x 3mmのWQFN

世界最小クラスのNch MOSFETドライバーICです。
外付けMOSFET(SSM6K513NU)を用いて極小面積で超低RONの電源スイッチを実現できます。
■入力電圧範囲：2.7 ～ 28 V (最大定格 40V)
■チャージポンプ回路/突入電流抑制回路/過電圧保護回路内蔵
■超小型パッケージ：WCSP6E (1.2 x 0.8 x 0.55mm)
※本製品を使用したリファレンスデザイン”MOSFETドライバーIC TCK401G応用と回路 ”もご用意しております。

パワー素子の過電流による非飽和電圧上昇を検知し、ゲート電圧をソフトターンオフさせる機能を備えた最大4A出力の光絶縁型ゲートドライバーです。
■非飽和検出（DESAT）電圧しきい値　6.5V（標準）
■DESAT立ち上がり時ブランキング機能、DESATフィルタ機能により、スイッチング中やDESAT検出中のパルスノイズによる誤動作を防ぎます。
※本製品を使用したリファレンスデザイン≪スマートゲートドライバカプラTLP5214Aインバータ応用≫もご用意しております。

シングル・ハイサイドから、ハーフブリッジ、3相まであらゆるトポロジーに対応。

インフィニオンの産業用ゲートドライバIC は、1チャネルハイサイドおよび1チャネルローサイドドライバから、3相レベルシフトドライバおよび電流検出 ICまで幅広い品揃えをご用意。

●600V耐圧ハーフブリッジドライバ EiceDRIVER（TM）
●SOI テクノロジー
●高dv/dt 耐量
●ブートストラップダイオード内蔵
●IGBT、MOSFET別のUVLO
●各種保護機能
●姉妹品：フルブリッジ・ドライバ 6EDコンパクトファミリー
●推奨アプリケーション：家電、汎用インバータ

MOSFETやGaNスイッチングデバイスと、制御 ICとの間をつなぐドライバIC ■SMPS内のPFC、LLC回路、同期整流段向け
■業界標準の8ピンパッケージ
■独立した非絶縁型ローサイドチャネルを2チャネル備える
■2チャネルともピーク電流5Aを供給可能
■立ち上がり時間と降下時間はわずか5 ns（標準値）
■システムレベルで高い効率、優れた電力密度、システムの一貫した耐久性を実現

DC-DCコンバータと専用ドライブ回路を内蔵したゲートドライバ。
SiC MOSFETのゲートドライブに必要な機能を集約した製品。
特にコモンモードノイズ対策に重点を置いた高速駆動に最適な
ゲートドライバです。
用途：
産業用パワーコンディショナー・各種インバータ・各種モータドライブ