製品情報 ゲートドライバ IC　メーカー30社の製品一覧

■用途はブラッシュレスDCモータ・モジュールなど
■65V三相ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
■統合された電流センサアンプ
■スピードループ精度：＜3%
■最大100KHzのPWM周波数をサポート
■独立したドライバシャットダウンパス（DRVOFF）
■5.00 mm × 4.00 mmのVQFNパッケージ（36ピン）

■用途はEV および HEV トラクション・インバータなど
■ドライブ強度をプログラム可能なデュアル出力の分割ドライバ
■内部および外部電源の低電圧および過電圧保護
■ドライバ・ダイ温度センシングおよび過熱保護機能
■高度なVCE/VDSクランプ回路
■SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能
■10.5mm × 7.5mmのSSOPパッケージ（32ピン）

■用途はEV 用トラクション・インバータなど
■5.7kVRMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
■高速過電流保護、270ns の応答時間
■±10A の駆動能力と分割出力
■最高出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V
■動作時の接合部温度：-40℃～150℃
■10.3mm × 7.5mmのSOICパッケージ（16ピン）

■用途はオンボードバッテリチャージャなど
■AEC-Q100適合：温度グレード1など
■ジャンクション温度範囲：-40～+150℃
■VDD出力ドライブ供給：最大25V
■スイッチングパラメータ：伝搬遅延33ns
■すべての電力供給にUVLO保護
■コモンモード過渡耐圧（CMTI）：125V/ns超
■12.83 mm × 7.50 mmのSSOP（36ピン）

■用途はEV向けトラクション・インバータなど
■絶縁型シングルチャネル・ゲート・ドライバ
■AEC-Q100適合、温度グレード0：-40℃～+150℃
■先進的な保護機能：高速過電流、短絡回路検知など
■最大2121VpkのSiC MOSFETとIGBT
■10.3mm×7.5mmのSOIC-16パッケージ

■用途は産業用モーター制御駆動、産業用電源など
■強化絶縁定格：5kVRMS ■ピーク出力電流：3A
■ハイサイドとローサイドのパワーFETを駆動
■接合部温度：－40℃～＋130℃ ■最小CMTI：100kV/μs
■出力ドライバ電源電圧：13.2V～33V ■最大伝搬遅延：115ns
■最大部品間遅延マッチング：25ns ■絶縁バリア寿命：40年超
■7.5 x 4.68mmの6ピンSOICパッケージ

LT8418 は100VハーフブリッジGaNドライバで、上下ドライバステージ、ドライバロジック制御、保護機能を集積しています。同期ハーフブリッジ、フルブリッジトポロジ、または降圧、昇圧、降圧-昇圧を構成できます。0.6Ωのプルアップ抵抗と0.2Ωのプルダウン抵抗により、強力な電流ソース/シンク機能を提供します。また、最小ドロップアウト電圧でV_CCからバランスの取れたブートストラップ電圧を生成するスイッチを内蔵しています。

MAX22701Eはシングルチャネル絶縁型ゲートドライバで、300kV/µs (typ)という超高コモンモード過渡耐性(CMTI)を備えています。
◆最小パルス幅：20ns
◆伝播遅延：35ns (室温)
◆デバイス間伝播遅延マッチング：2ns (室温)
◆絶縁耐圧：3kV_RMS (60秒)
◆連続耐圧：848V_RMS ◆高精度UVLO
◆8ピンナローボディSOICパッケージ(3.90mm x 4.90mm)

実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICのラインアップを追加しました。
【TCK42xGシリーズ】
●チャージポンプ回路内蔵
●入力電圧に応じたゲート・ソース電圧設定 (5.6V、10V)
●過電圧保護：5V～24Vに対応
●低入力オフ電流 : I_Q(OFF)=0.5μA (max) @V_IN=5V
●パッケージ：実装面積1.2mm × 0.8mmのWCSP6Gを採用

【TCK401G】　世界最小クラスのNch MOSFETドライバーIC。
外付けMOSFET(SSM6K513NU)を用いて極小面積で超低RONの電源スイッチを実現。
■入力電圧範囲: 2.7 ～ 28 V (最大定格 40V)
■チャージポンプ回路/突入電流抑制回路/過電圧保護回路内蔵
■超小型パッケージ：WCSP6E (1.2 x 0.8 x 0.55mm)
※本製品を使用したリファレンスデザイン”MOSFETドライバーIC TCK401G応用と回路 ”もご用意。

SiC MOSFETを駆動するために欠かせない機能を実装した、CoolSiC^TMMOSFETに最適なゲートドライバICのラインナップ。
■負のゲート電圧駆動
■高い同相過渡除去特性（CMTI）
■アクティブミラークランプ
■DESAT保護機能　他

EiceDRIVER^TMの中でも耐久性が高く高性能な絶縁型ゲートドライバICのラインナップ。
■MOSFET、 IGBTに加えSiC MOSFET、GaN HEMTにも利用可能　
■最大10Aのゲート駆動電流で優れた効率
■負ゲート電圧対応
■2段階ターンオフ、ソフトターンオフ対応
■高精度な入力フィルタ、同相過電圧耐性100kV/µs、
　アクティブミラークランプ、短絡保護、DESAT保護など

EiceDRIVER^TMファミリーから、1200クラス レベルシフトゲートドライバICのラインナップ。
■過電流保護（OCP）、非飽和（DESAT）、低電圧ロックアウト（UVLO）などの保護機能
■ハイサイド/ローサイド/ハーフブリッジ/三相など様々な構成
■ステータス表示、イネーブル、シャットダウンの機能も利用可能

EiceDRIVER^TMファミリーから、500V～700Vクラス レベルシフトゲートドライバICのラインナップ。
■過電流保護（OCP）、非飽和（DESAT）、低電圧ロックアウ（UVLO）などの保護機能
■ハイサイド/ローサイド/ハーフブリッジ/三相など様々な構成
■ステータス表示、イネーブル、シャットダウンの機能も利用可能

EiceDRIVER^TMファミリーから、200Vクラス レベルシフトゲートドライバICのラインナップ。
■低電圧（24V/36V/48V）および中耐圧（60V/80V/100V/120V）のモータ制御アプリケーション向け
■ハーフブリッジ/ハイサイド/ローサイドなど様々な構成

200V～1200Vまでの幅広い電圧レベルの製品を取り揃えた、インフィニオンのゲートドライバIC「EiceDRIVER^TM」ファミリー。
■シングル・ハイサイド・ローサイドから、ハーフブリッジ、三相までのあらゆるトポロジーに対応
■ガルバニック絶縁内蔵品や、SiC、GaNデバイスに対応可能なラインナップも提供