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ゲートドライバ IC
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CMTIが高く、構成可能なシングルチャネル絶縁型IGBTゲート・ドライバ『UCC5320』 テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
CMTIが高く、構成可能なシングルチャネル絶縁型IGBTゲート・ドライバ『UCC5320』

■ピーク電流:最大4.3A
■入力電圧範囲:3~15V ■出力ドライバ電源電圧範囲:13.2~33V
■最大3kVRMSの絶縁電圧をサポート
■CMOS入力 ■伝搬遅延:75ns(最大)
■最小コモンモード過渡耐性(CMTI) :100kV/μs
■周囲動作温度範囲:-55~+125℃ ■絶縁サージ耐久電圧:4242VPK

車載用Hブリッジ・ゲート・ドライバ 『DRV870x-Q1』 テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
車載用Hブリッジ・ゲート・ドライバ

■4個の外部NチャネルMOSFETで双方向ブラシ付きDCモータを駆動
■AEC-Q100認証済みで動作時周囲温度は-40℃~+125℃
■動作電源電圧範囲:5.5V~45V
■3つの制御インターフェイス・オプション:
PH/EN、独立したHブリッジ、PWM
■5mm x 5mm 32ピンVQFNパッケージに封止
■『DRV8702-Q1EVM』評価モジュールも用意

パワートレイン向け車載3相ブラシレスDCゲート・ドライバ 『DRV8305-Q1』 テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
パワートレイン向け車載3相ブラシレスDCゲート・ドライバ

制御用MOSFETをEMC要件に対して簡単に最適化できる
プログラマブルなスルーレート制御
■最小4.4Vで動作し、スタート/ストップ動作をサポート
■基板実装面積を大幅に低減
■詳細な故障診断を備えたオンチップ保護機能
■動作周囲温度範囲:-40~+150℃
■AEC-Q100 Grade 0の車載温度要件に適合 ■評価モジュールも用意
■パッケージは放熱特性を強化した9mm角の48ピンHTQFP

3つの電流シャントアンプ内蔵3相車載ゲート・ドライバ 『DRV3205-Q1』 テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
3つの電流シャントアンプ内蔵3相車載ゲート・ドライバ

■3相ブラシレスDCモーター制御機器向け
■強化保護/診断/監視機能内蔵
■標準レベルNチャネルMOSFETトランジスタ向けの6つの
専用ドライバを提供
■高電流機器に最適で、ピーク出力電流制限用にプログラム可能
■48ピンHTQFP熱特性強化型パッケージに封止
■用途はパワーステアリング、電動ブレーキ/ブレーキアシスト、
トランスミッションなど ■『DRV3205EVM評価モジュール』も用意

強化絶縁型 IGBTゲート・ドライバ 『ISO5852S』 ファミリ テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
強化絶縁型

高電圧の産業機器に最適な高精度タイミング制御を実現
■異なる性能と安全機能に対応する4製品で構成
■業界最高の動作電圧:最大1500Vrms/2121Vpk
■業界最高の同相過渡耐性(CMTI ):最小100kV/μs
  (代表値:>120kV/μs)
■短い伝搬遅延時間:76ns(代表値)/110ns(最大値)
■パッケージは16ピンのSOIC
■評価モジュールも用意

車載100Vハーフブリッジ・ゲート・ドライバ 『UCC27211A-Q1』 テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
車載100Vハーフブリッジ・ゲート・ドライバ

ブラシ付き/ブラシレスDCモーターに対応
■業界最小伝搬遅延時間:15ns
■高速立ち上がり/立ち下がり時間:7ns
■ゲート駆動能力:4A(ピーク時)
■-12Vの負極性定格により、潜在的な損傷を与える電圧スパイク
への保護機能を提供
■パッケージは4.89 x 3.9mmのPowerPADTM付き8ピンSOIC

業界最速の600Vハイサイド/ローサイド・ゲート・ドライバ 『UCC27714』 テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
業界最速の600Vハイサイド/ローサイド・ゲート・ドライバ

産業用電源に使用される高スイッチング周波数のオフライン
AC/DC電源の電力密度を向上
■伝搬遅延時間:90ns(定格値)、-40℃~+125℃で125ns(最大値)
■4Aのソース/シンク電流容量 ■実装面積を半減
■スイッチ・ノード・ピンは-6Vの負電圧に対応
■数Wから1kWまでの広範な電力範囲のMOSFETを駆動可能
■広い温度範囲で電気的特性の変動が小さい
■パッケージはSOIC-14 ■評価モジュールも用意

2A、100V耐圧ハイサイド/ローサイド・ゲート・ドライバ 『LM5101B』 テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
2A、100V耐圧ハイサイド/ローサイド・ゲート・ドライバ

用途は産業機器向けの電流型プッシュプル・コンバータ、
ハーフ/フルブリッジ・コンバータ、同期整流降圧型コンバータなど 
■ハイサイドとローサイドのNチャネルMOSFETを駆動
■独立したハイ/ロー・ドライバ・ロジック入力
■高速伝搬時間:25ns(代表値)
■8nsの立ち上がり/立ち下がり時間で1000pF負荷を駆動
■電源レール電圧低下ロックアウト ■低消費電力
■パッケージは10ピンWSON、8ピンSOIC

■ローム■ 絶縁電圧2500Vrms 絶縁素子内蔵1ch ゲートドライバ BM6104FV-C ローム お問合せはこちら
■ローム■ 絶縁電圧2500Vrms

SiCや IGBTの駆動に最適

■最大ゲート駆動電圧:24V
■入出力遅延時間:150ns(Max)
■出力電流能力:3A(Min.)
■安全監視機能(OSFB:Output State Feed Back)内蔵
■充実の保護機能(Desat、SCP、Miller clamp、UVLO、Fault output)

インフィニオンの産業用ゲートドライバIC インフィニオン テクノロジーズ コンタクト
インフィニオンの産業用ゲートドライバIC

シングル・ハイサイドから、ハーフブリッジ、3相まであらゆるトポロジーに対応。

インフィニオンの産業用ゲートドライバIC は、1チャネルハイサイドおよび1チャネルローサイドドライバから、3相レベルシフトドライバおよび電流検出 ICまで幅広い品揃えをご用意。

IGBT/MOSFETゲートドライバ 2ED Compact Family インフィニオン テクノロジーズ
IGBT/MOSFETゲートドライバ

●600V耐圧ハーフブリッジドライバ EiceDRIVER(TM)
●SOI テクノロジー
●高dv/dt 耐量
●ブートストラップダイオード内蔵
●IGBT、MOSFET別のUVLO
●各種保護機能
●姉妹品:フルブリッジ・ドライバ 6EDコンパクトファミリー
●推奨アプリケーション:家電、汎用インバータ

MOSFET用ゲートドライバIC 「EiceDRIVER(TM)」 インフィニオン テクノロジーズ
MOSFET用ゲートドライバIC

MOSFETやGaNスイッチングデバイスと、制御 ICとの間をつなぐドライバIC ■SMPS内のPFC、LLC回路、同期整流段向け
■業界標準の8ピンパッケージ
■独立した非絶縁型ローサイドチャネルを2チャネル備える
■2チャネルともピーク電流5Aを供給可能
■立ち上がり時間と降下時間はわずか5 ns(標準値)
■システムレベルで高い効率、優れた電力密度、システムの一貫した耐久性を実現

SiC MOSFETのゲートドライブ専用のモジュール! タムラ製作所 電子部品 サンプル希望
SiC

DC-DCコンバータと専用ドライブ回路を内蔵したゲートドライバ。
SiC MOSFETのゲートドライブに必要な機能を集約した製品。
特にコモンモードノイズ対策に重点を置いた高速駆動に最適な
ゲートドライバです。
用途:
産業用パワーコンディショナー・各種インバータ・各種モータドライブ

Si826x 信頼性の高いCMOS絶縁型ゲート・ドライバ シリコン・ラボラトリーズ ダウンロード
Si826x

●スタンダードな高速フォトカプラ・ゲートドライバとピン互換で置換え可能 ●低電力ダイオード・エミュレータによりフォトカプラタイプの入力互換を実現 ●0.6A 及び 4.0Aのピーク出力ドライブ電流に対応した製品ラインアップ ●フォトカプラよりも高い性能と信頼性,長期耐用年数を実現(10倍低いFITレート) ●優れたコモンモード過渡耐久性(CMTI) : > 50 kV/μs (Typ.) ●ヒステリシスに対応した低電圧保護機能(UVLO) ●伝播遅延時間が短く(60nsec)、広域なVDD レンジ(5~30 V) ●3.75kV 及び 5kV の絶縁耐圧(UL,CSA,VDE準拠) ●AEC-Q100 認定取得

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2017年10月 (Best 10)

順位 企業名 クリック割合
1 テキサス・インスツルメンツ(TI) 29.0%
2 インフィニオン テクノロジーズ 19.1%
3 ローム 8.4%
4 日立パワーデバイス 5.4%
5 オン・セミコンダクター 5.0%
6 アナログ・デバイセズ 4.2%
7 タムラ製作所 電子部品 4.0%
8 Vishay 3.7%
9 インターシル 3.2%
10 STマイクロエレクトロニクス 3.0%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数
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