製品情報
小信号 MOS FET
クリックランキング (2020年5月)

低オン抵抗で低消費電力を実現できる車載機器向け小型MOSFET 東芝デバイス&ストレージ コンタクト
低オン抵抗で低消費電力を実現できる車載機器向け小型MOSFET

【SSM6J808R】 -40V耐圧PchMOSFET
オン抵抗:48 mΩ (max) @VGS=-4.5 V
【SSM6K819R】100 V耐圧NchMOSFET
オン抵抗:36.4 mΩ (max) @VGS=4.5 V

■用途:車載ヘッドランプなどの点灯制御用スイッチ
■TSOP6Fパッケージ(SOP-8と比べて実装面積約70 %削減)
■AEC-Q101適合

100V/10A 小型FET 東芝デバイス&ストレージ コンタクト
100V/10A

【SSM6K819R】
コストと高い耐圧の両立が必要なDC-DCコンバーター/電源スイッチ、
48V/60Vなどの高電圧の電源ラインに最適。

■小型パッケージ2.9x2.8mmで100Vの高い耐圧を確保
■VDSS:100V ■ID:10A ■RDS(ON):25.8mΩ@4.5V
■2.9x2.8mm 6ピン リードパッケージ

SSM6K513NU 30V/15A小型でオン抵抗の低いNch MOSFET 東芝デバイス&ストレージ コンタクト
SSM6K513NU

■用途はコストと高い耐圧と低い電力ロスが必要な電源ラインの
 ロードスイッチなど
■小型パッケージ2.0x2.0mmで非常に低い電力損失で
 高い耐圧の電源スイッチを実現できます
■VDSS 30V
■ID 15A
■RDS(ON) 8mΩ@4.5V
■2.0x2.0mm 6ピン リードレスパッケージ

12-800V 小信号用 MOSFET インフィニオン テクノロジーズ 問い合わせはこちら
12-800V 小信号用

インフィニオンが提供する、幅広い小信号MOSFETは、スペースに制約のある自動車やその他用途に最適です。
用途:バッテリ保護、バッテリ充電、LED照明、負荷スイッチ、DCDCコンバータ、レベルシフター、低電圧ドライブなど。

ボトムソースパッケージングXSPairFETTMによるUSB Type-C用バックブーストMOSFET [PDF] Alpha & Omega Semiconductor コンタクト
ボトムソースパッケージングXSPairFET<sup>TM</sup>によるUSB

●30V NチャネルMSFET 2個をデュアルDFN3.3x3.3 XSPairFETTM パッケージに内蔵
●ハイサイドRdson(Max) = 4.7mΩ、ローサイドRdson(max) = 5.8mΩ
●ボトムソースパッケージング技術により、ローサイドMOSFETのソースを裏面電極に直に接続、高い放熱特性を実現
●寄生インダクタンスを最小化し、スイッチングノードのリンギング低減
●代表製品:AONP36336

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前月のクリックランキング 2020年5月のクリックランキング (Best 10)

順位 企業名 クリック割合
1 ローム 14.5%
2 東芝デバイス&ストレージ 14.0%
3 Diodes 7.8%
4 KEC 7.6%
5 インフィニオン テクノロジーズ 6.7%
5 パナソニック インダストリアルソリューションズ社 6.7%
7 Lite-On Semiconductor 6.4%
8 Nexperia 5.2%
9 Microsemi 4.7%
9 Micro Commercial Components (MCC) 4.7%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数
このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。

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