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小信号 MOS FET
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バッテリーの長時間動作に貢献する小型・低オン抵抗のドレインコモンMOSFET 東芝デバイス&ストレージ 在庫検索・ご購入
バッテリーの長時間動作に貢献する小型・低オン抵抗のドレインコモンMOSFET

急速充電などに代表される将来にわたる技術要求に応えるため、低オン抵抗特性にすぐれた専用微細プロセスを開発し、SSM6N951Lに採用しました。業界トップクラスの低オン抵抗特性による低電力損失に加えて、低いゲートからの漏れ電流(低ゲート・ソース間漏れ電流)特性による低待機電力化を両立することで、バッテリーの長時間動作に貢献します。さらに、超小型かつ薄型のChip scale package を用いることで、電池パックに必要となる薄型で限られた実装エリアにも使用可能です。

低オン抵抗で低消費電力を実現できる車載機器向け小型MOSFET 東芝デバイス&ストレージ コンタクト
低オン抵抗で低消費電力を実現できる車載機器向け小型MOSFET

【SSM6J808R】 -40V耐圧PchMOSFET
オン抵抗:48 mΩ (max) @VGS=-4.5 V
【SSM6K819R】100 V耐圧NchMOSFET
オン抵抗:36.4 mΩ (max) @VGS=4.5 V

■用途:車載ヘッドランプなどの点灯制御用スイッチ
■TSOP6Fパッケージ(SOP-8と比べて実装面積約70 %削減)
■AEC-Q101適合

100V/10A 小型FET 東芝デバイス&ストレージ コンタクト
100V/10A

【SSM6K819R】
コストと高い耐圧の両立が必要なDC-DCコンバーター/電源スイッチ、
48V/60Vなどの高電圧の電源ラインに最適。

■小型パッケージ2.9x2.8mmで100Vの高い耐圧を確保
■VDSS:100V ■ID:10A ■RDS(ON):25.8mΩ@4.5V
■2.9x2.8mm 6ピン リードパッケージ

12-800V 小信号用 MOSFET インフィニオン テクノロジーズ 問い合わせはこちら
12-800V 小信号用

インフィニオンが提供する、幅広い小信号MOSFETは、スペースに制約のある自動車やその他用途に最適です。
用途:バッテリ保護、バッテリ充電、LED照明、負荷スイッチ、DCDCコンバータ、レベルシフター、低電圧ドライブなど。

ボトムソースパッケージングXSPairFETTMによるUSB Type-C用バックブーストMOSFET [PDF] Alpha & Omega Semiconductor コンタクト
ボトムソースパッケージングXSPairFET<sup>TM</sup>によるUSB

●30V NチャネルMSFET 2個をデュアルDFN3.3x3.3 XSPairFETTM パッケージに内蔵
●ハイサイドRdson(Max) = 4.7mΩ、ローサイドRdson(max) = 5.8mΩ
●ボトムソースパッケージング技術により、ローサイドMOSFETのソースを裏面電極に直に接続、高い放熱特性を実現
●寄生インダクタンスを最小化し、スイッチングノードのリンギング低減
●代表製品:AONP36336

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順位 企業名 クリック割合
1 東芝デバイス&ストレージ 19.2%
2 ローム 13.8%
3 インフィニオン テクノロジーズ 12.6%
4 パナソニック インダストリアルソリューションズ社 9.1%
5 Diodes 6.9%
6 KEC 4.1%
6 Nexperia 4.1%
8 エルムテクノロジー 3.8%
9 Lite-On Semiconductor 3.5%
9 PANJIT 3.5%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数
このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。

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