製品情報 SiC ショットキーバリアダイオード　メーカー20社の製品一覧

クリックランキング (2024年3月)

SiC ショットキーバリアダイオードとは

SiC ショットキーバリアダイオードとは、シリコンカーバイド（SiC、炭化ケイ素)を用いて作ったショットキ―バリアダイオード（SBD）。シリコン（Si）と比べてシリコンカーバイド（SiC）は、高い絶縁破壊電界強度、高いバンドギャップ、熱伝導率の良好な半導体材料。そのためSiCショットキ―バリアダイオードは、高速性がありながら高耐圧であり、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用される。

機器の高効率化に貢献する650V第3世代SiCショットキーバリアダイオード
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新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー(JBS)構造を最適化しています。これにより、低い順方向電圧1.2V(typ.) を実現しました。また、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しており、損失を低減し機器の高効率化に貢献します。

電源PFCの省電力・高効率化に貢献する650 V/12 AのSiC SBD
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TRS12A65F/TRS12E65Fは第2世代の改良型JBS 構造を使用しています。最大97Aの高い非繰り返しピーク順電流と標準1.45Vの低い順方向電圧、性能指数 (VF・Q_cj) を第1世代と比べて約67%に低減し、改善したことで破壊しにくく低損失の特性を実現しました。SiC SBDは、Si FRDと比べて高耐圧・低損失のため、同一サイズのパッケージでも、より高電圧・大電流の動作ができます。低損失化によって発熱が減るため、機器の高効率化や放熱設計に余裕ができます。

電源PFCの高効率化に貢献する650 V SiC SBDのラインアップ拡充
東芝デバイス＆ストレージコンタクト
電源PFCの高効率化が可能な新素材シリコンカーバイド (SiC) を用いた650Vショットキーバリアダイオード (SBD)　TRS12N65FB、TRS16N65FB、TRS20N65FB、TRS24N65FBです。TO-247パッケージを採用し、直流順電流定格は12A、16A、20A、24Aの製品で機器の大電力化に対応します。当社旧世代品と比べ、非繰り返しピーク順電流定格を約53 %改善、標準順電圧 (Per Leg) を約6%低減しています。

インフィニオンテクノロジーズ

[代理店/取扱店情報]
ショットキーダイオード
CoolSiC(TM) ショットキーダイオード

リテルヒューズ

[代理店/取扱店情報]
SiC ショットキーダイオード
シリコンバイポーラダイオードと比べて逆回復がごくわずかなため、スイッチングロスが少なく、システムの効率が劇的に向上

Cissoid

[代理店/取扱店情報]
High Temperature SiC Schottky Diode
(-55°C TO 225°C)

Alpha & Omega Semiconductor

[代理店/取扱店情報]
Silicon Carbide (SiC) Diodes
高いスイッチング周波数と電力密度の高い設計に対して、低い順方向降下とゼロ逆回復性能

【ご注意】ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B To B）の対象です。各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。

SiC ショットキーバリアダイオードのクリックランキング 2024年3月 BEST12

順位	企業名	クリック割合
1	インフィニオンテクノロジーズ	24.1%
2	ローム	20.7%
3	東芝デバイス＆ストレージ	17.2%
4	STマイクロエレクトロニクス	6.9%
4	富士電機	6.9%
6	マイクロチップ	3.4%
6	三菱電機　半導体・デバイス	3.4%
6	オンセミ	3.4%
6	リテルヒューズ	3.4%
6	PANJIT	3.4%
6	Wolfspeed	3.4%
6	Cissoid	3.4%