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電源PFCの省電力・高効率化に貢献する650 V/12 AのSiC SBD 東芝デバイス&ストレージ 在庫検索・ご購入
電源PFCの省電力・高効率化に貢献する650

TRS12A65F/TRS12E65Fは第2世代の改良型JBS 構造を使用しています。最大97Aの高い非繰り返しピーク順電流と標準1.45Vの低い順方向電圧、性能指数 (VF・Qcj) を第1世代と比べて約67%に低減し、改善したことで破壊しにくく低損失の特性を実現しました。SiC SBDは、Si FRDと比べて高耐圧・低損失のため、同一サイズのパッケージでも、より高電圧・大電流の動作ができます。低損失化によって発熱が減るため、機器の高効率化や放熱設計に余裕ができます。

電源PFCの高効率化に貢献する650 V SiC SBDのラインアップ拡充 東芝デバイス&ストレージ コンタクト
電源PFCの高効率化に貢献する650

電源PFCの高効率化が可能な新素材シリコンカーバイド (SiC) を用いた650Vショットキーバリアダイオード (SBD) TRS12N65FB、TRS16N65FB、TRS20N65FB、TRS24N65FBです。TO-247パッケージを採用し、直流順電流定格 は12A、16A、20A、24Aの製品で機器の大電力化に対応します。当社旧世代品と比べ、非繰り返しピーク順電流定格 を約53 %改善、標準順電圧 (Per Leg) を約6%低減しています。

「世界最小クラス」と高放熱の両立を実現したSiC-SBD 新日本無線(JRC) お問い合わせ
「世界最小クラス<sup>※</sup>」と高放熱の両立を実現したSiC-SBD

【製品名:NJDCD010A065AA3PS】
●世界最小クラス:4.0 x 6.5 x 0.9 mm
●高放熱:Rthjc=2.1℃/W typ.
●最大定格:650V/10A
●銅クリップパッケージを採用
●基板レイアウトや筐体サイズの最適化が可能
●アプリケーションの更なる高効率化・小型軽量化・省資源化に貢献
※2021.03 当社調べ

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2 インフィニオン テクノロジーズ 12.9%
2 ローム 12.9%
4 ルネサス エレクトロニクス 8.2%
5 オンセミ 7.1%
5 富士電機 7.1%
5 三菱電機 半導体・デバイス 7.1%
8 マイクロチップ 5.9%
9 STマイクロエレクトロニクス 4.7%
10 Lite-On Semiconductor 3.5%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数
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