製品情報 SiC ショットキーバリアダイオード　メーカー21社の製品一覧

クリックランキング (2026年4月)

SiC ショットキーバリアダイオードとは

SiC ショットキーバリアダイオードとは、シリコンカーバイド（SiC、炭化ケイ素)を用いて作ったショットキ―バリアダイオード（SBD）。シリコン（Si）と比べてシリコンカーバイド（SiC）は、高い絶縁破壊電界強度、高いバンドギャップ、熱伝導率の良好な半導体材料。そのためSiCショットキ―バリアダイオードは、高速性がありながら高耐圧であり、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用される。

機器の高効率化に貢献する650V第3世代SiCショットキーバリアダイオード
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新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー(JBS)構造を最適化しています。これにより、低い順方向電圧1.2V(typ.) を実現しました。また、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しており、損失を低減し機器の高効率化に貢献します。

AEC-Q101準拠　1200V　SiCショットキーダイオード
Taiwan Semiconductor コンタクト
本1200V SiCショットキーダイオードは、MPS (Merged PIN Schottky) 構造を特長とし、高い順方向サージ電流耐量、低い順方向電圧降下、低リーク電流、および低静電容量により優れた性能を有しています。これらの特性は、高周波および高電圧アプリケーションにおける効率と堅牢性の向上に貢献します。
全デバイスはAEC-Q101認定済みで、最大ジャンクション温度175℃に対応し、EV急速充電、蓄電装置、産業用及び通信電源などの要求の厳しい環境で高い信頼性と熱安定性を確保します。

インフィニオンテクノロジーズ

[代理店/取扱店情報]
ショットキーダイオード
CoolSiC(TM) ショットキーダイオード

Alpha & Omega Semiconductor

[代理店/取扱店情報]
Silicon Carbide (SiC) Diodes
高いスイッチング周波数と電力密度の高い設計に対して、低い順方向降下とゼロ逆回復性能

リテルヒューズ

[代理店/取扱店情報]
ショットキー（Si/SiC）
シリコンバイポーラダイオードと比べて逆回復がごくわずかなため、スイッチングロスが少なく、システムの効率が劇的に向上

Cissoid

[代理店/取扱店情報]
High Temperature SiC Schottky Diode
(-55°C TO 225°C)

【ご注意】ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B To B）の対象です。各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。

SiC ショットキーバリアダイオードのクリックランキング 2026年4月 BEST17

順位	企業名	クリック割合
1	富士電機	15.2%
1	インフィニオンテクノロジーズ	15.2%
1	東芝デバイス＆ストレージ	15.2%
4	ローム	10.9%
5	Taiwan Semiconductor	8.7%
6	Micro Commercial Components (MCC)	4.3%
6	Diodes	4.3%
6	Wolfspeed	4.3%
6	Alpha & Omega Semiconductor	4.3%
10	STマイクロエレクトロニクス	2.2%
10	オンセミ	2.2%
10	Mospec Semiconductor	2.2%
10	Good-Ark	2.2%
10	PANJIT	2.2%
10	Sensitron Semiconductor	2.2%
10	HY Electronic (Cayman)	2.2%
10	Anbon Semiconductor	2.2%