製品情報
SiC MOSFET
クリックランキング (2021年8月)

SuperSO8パッケージ ロジックレベルMOSFET 40V インフィニオン テクノロジーズ 問い合わせはこちら
SuperSO8パッケージ ロジックレベルMOSFET

インフィニオンの新しいOptiMOSTM 6 MOSFET 40Vファミリーは、ロジックレベルのゲート駆動を必要とするアプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。オン抵抗の改善により、高効率な設計、熱設計も容易になります。 並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にもつながります。
【主な特長・利点】●Nチャネル:エンハンスメントモード●超低オン抵抗 RDS(on)●優れた熱抵抗●175℃定格●100%アバランシェ試験済み●ハロゲンフリー (IEC61249-2-21準拠)●同期型アプリケーションに最適化

TOLTに搭載されたOptiMOSTM パワーMOSFET インフィニオン テクノロジーズ 問い合わせはこちら
TOLTに搭載されたOptiMOS<sup>TM</sup>

80Vおよび100Vにおけるインフィニオンの新しいOptiMOSTM TOLTは、優れた熱性能を可能にする 新しいトップサイド冷却パッケージです。TOLT パッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、最適な熱性能を実現するトップ サイドクーリングの利点を備えています。
【主な特長・利点】●低RDS(on) ●高電流定格 ●上面冷却 ●ネガティブスタンドオフ ●伝導損失の低減 ●高電流対応 ●優れた熱性能 ●ヒートシンクへの熱抵抗の最小化

TOLGパッケージのOptiMOSTMパワーMOSFET インフィニオン テクノロジーズ 問い合わせはこちら
TOLGパッケージのOptiMOS<sup>TM</sup>パワーMOSFET

TOLGはTOLxファミリーに新たに加わったパッケージで、TCoB(Thermal Cycling on Board Performance:基板実装時の熱サイクル試験)に対し優れた性能を実現しています。TO-Leadless(TOLL)パッケージ同様に、大電流対応の薄型パッケージです。TOLGはTO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィングリードの採用で高い温度サイクル耐量を実現しています。【主な特長・利点】●最高クラスのテクノロジー ●高い電流定格 ●D2PAK 7ピンパッケージに比べてボードサイズを60%低減 ●ガルウィングリード ●高いシステム信頼性 ●高効率及び低EMI ●高い電力密度 ●優れたTCoB

SiC MOSFET ディスクリート650V/1200V/1700V インフィニオン テクノロジーズ 問い合わせはこちら
SiC

●TOパッケージおよびSMDパッケージ ●低いデバイス容量
●温度非依存のスイッチング損失
●クラス最高のスイッチング損失と導通損失
●IGBT互換の駆動(+18V) ●しきい値電圧Vth>4V
●高い短絡耐性とアバランシェ耐性
●LLCやZVS等のハードおよび共振スイッチングトポロジに最適
●標準的なドライバで駆動可能

電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFET 東芝デバイス&ストレージ 在庫検索・ご購入
電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFET

【TW070J120B】は、SiC MOSFETの信頼性を向上させる当社第2世代チップデザインを採用し、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低ドレイン・ソース間オン抵抗を実現しています。また、ゲートしきい値電圧を4.2V~5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)しにくくなっています。さらに、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵したことで、電力損失を低減します。

【ご注意】
ここで紹介する製品・サービスは企業間取引(B to B)の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。

前月のクリックランキング 2021年8月のクリックランキング (Best 9)

順位 企業名 クリック割合
1 インフィニオン テクノロジーズ 21.9%
2 東芝デバイス&ストレージ 15.6%
3 マイクロチップ 12.5%
4 Cissoid 10.4%
4 ローム 10.4%
4 オンセミ 10.4%
7 STマイクロエレクトロニクス 7.3%
8 Wolfspeed 6.3%
9 UnitedSiC 5.2%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数
このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。

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