製品情報 SiC MOSFET メーカー17社の製品一覧
クリックランキング (2025年11月)SiC MOSFETとは
SiC MOSFETとは、SiC（炭化ケイ素）を材料とする高耐圧、低ON抵抗のMOSFET。炭化ケイ素の英名からSiCをシリコンカーバイド（Silicon Carbide）と呼ぶ。Si（シリコン）に比較してSiCは約10倍の絶縁破壊電界強度を持ち高耐圧であり、低喪失、高速、高温動作などが優れている。またIGBTのスイッチング損失が大きいという欠点もSiC MOSFETはクリアしたことで、600V以上の高速スイッチング動作が可能となった。SiC MOSFETは、高耐圧化、低損失化、小型化が必要な電力変換用途に適している。
- 表面実装パッケージTOLL採用の650V耐圧SiC MOSFET
- 東芝デバイス＆ストレージ
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スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの産業機器向けシリコンカーバイド（SiC）MOSFETです。小型表面実装パッケージTOLL採用で、機器の電力密度向上に貢献し、リード挿入型パッケージと比べて寄生インピーダンスが小さく、スイッチング損失を低減します。また、ケルビン接続可能な4端子タイプにより、パッケージ内部のソースワイヤのインダクタンスによる影響を抑え、高速スイッチングを実現します。
- 小型面実装パッケージに搭載した650V耐圧第3世代SiC MOSFET
- 東芝デバイス＆ストレージ
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スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの産業用機器向けに、小型面実装パッケージDFN8×8に搭載した650V耐圧のシリコンカーバイド (SiC) MOSFETです。従来のリード挿入型パッケージと比べて体積を90％以上削減と寄生インピーダンス成分が低減、4端子タイプでケルビン接続を可能にし、機器の電力密度向上と高速スイッチングに貢献します。
- スイッチング損失の低減に寄与する4端子パッケージ採用のSiC MOSFET
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新製品は、650V/1200V耐圧で、4端子タイプのTO-247-4L(X)パッケージを採用しています。4端子タイプのため、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続することができます。そのため、ソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を低減でき、スイッチング性能が向上しました。
- 産業用機器の高効率化に貢献する第3世代SiC MOSFET
- 東芝デバイス＆ストレージ 在庫検索・ご購入
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第3世代SiC MOSFET 「TWxxxNxxxCシリーズ」として、TW015N120Cなど10品種（1200V/650V耐圧）をラインアップに追加。
●SBD内蔵により、低VFと高信頼性を実現（第2世代SiC MOSFET技術を
踏襲)
●オン抵抗とスイッチング損失を大幅に改善
●耐ノイズ性が高く、使いやすい
などの特長を備えています。
- 高い電力変換効率と低損失の「CoolSiC™ MOSFET G2」で高性能を実現
- インフィニオン テクノロジーズ お問い合わせはこちら
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CoolSiCTM MOSFET G2は、高性能を実現するトレンチ テクノロジーを採用した新しいSiC MOSFET
■高い電力変換効率と低損失 ■高速スイッチング能力と高温動作
■業界最小のRDS(on)と幅広い製品ラインアップ ■独自の堅牢性と高信頼性
■太陽光発電インバーター、蓄電システム、EV充電、産業用電源、モーター駆動製品などを高性能に
■G1より性能と価格力が飛躍的に向上
■改良された.XT技術を搭載放熱性能の向上
- 「CoolSiCTM」 SiC MOSFETディスクリート 650V/1200V/1700V
- インフィニオン テクノロジーズ お問い合わせはこちら
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TOパッケージおよびSMDパッケージを取り揃えた、インフィニオンのCoolSiCTM MOSFETディスクリート製品のラインナップ。
■クラス最低水準のスイッチング損失および導通損失
■優れた短絡耐量およびアバランシェ耐量
■LLCやZVSなどのハードおよび共振スイッチングトポロジーに最適
■標準的なドライバで駆動可能
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インフィニオン テクノロジーズ
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CoolSiC™ MOSFET
CoolSiC(TM)MOSFET
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リテルヒューズ
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SiC MOSFET
極めて低いゲート電荷と出力キャパシタンス、高周波スイッチングを考慮した低ゲート抵抗
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Alpha & Omega Semiconductor
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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
優れたスイッチング速度、超低 Qrr、高温での低 DC 損失、および堅牢な UIS 機能
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Cissoid
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High Temperature SiC MOSFET
(-55°C TO 225°C)
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B To B）の対象です。各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
SiC MOSFETのクリックランキング
2025年11月 BEST11
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | 東芝デバイス＆ストレージ | 30.0% |
| 2 | インフィニオン テクノロジーズ | 15.0% |
| 3 | ローム | 12.5% |
| 4 | 三社電機製作所 | 7.5% |
| 4 | リテルヒューズ | 7.5% |
| 4 | Anbon Semiconductor | 7.5% |
| 7 | STマイクロエレクトロニクス | 5.0% |
| 7 | オンセミ | 5.0% |
| 7 | Wolfspeed | 5.0% |
| 10 | マイクロチップ | 2.5% |
| 10 | Good-Ark | 2.5% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。
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