SiC MOSFETとは

SiC MOSFETとは、SiC(炭化ケイ素)を材料とする高耐圧、低ON抵抗のMOSFET。炭化ケイ素の英名からSiCをシリコンカーバイド(Silicon Carbide)と呼ぶ。Si(シリコン)に比較してSiCは約10倍の絶縁破壊電界強度を持ち高耐圧であり、低喪失、高速、高温動作などが優れている。またIGBTのスイッチング損失が大きいという欠点もSiC MOSFETはクリアしたことで、600V以上の高速スイッチング動作が可能となった。SiC MOSFETは、高耐圧化、低損失化、小型化が必要な電力変換用途に適している。

NEW D2PAK-7Lパッケージの750VGen4 SiC FET UnitedSiC
D2PAK-7Lパッケージの750VGen4

●低RDS(on)、9mΩから60mΩ
●Id max:26A~106A
●シンプルな 0-12V、0-15V ゲートドライブ
●低Rth、J-C、標準0.31℃/W
●沿面距離6.7mm、クリアランス距離7.3mm
●良好な順方向電圧(通常1.0~1.5V)と低い逆回復電荷(Qrr)を備えた内蔵ダイオード

「CoolSiCTM」 SiC MOSFETディスクリート 650V/1200V/1700V インフィニオン テクノロジーズ お問い合わせはこちら
「CoolSiC<sup>TM</sup>」

TOパッケージおよびSMDパッケージを取り揃えた、インフィニオンのCoolSiCTM MOSFETディスクリート製品のラインナップ。
■クラス最低水準のスイッチング損失および導通損失
■優れた短絡耐量およびアバランシェ耐量
■LLCやZVSなどのハードおよび共振スイッチングトポロジーに最適
■標準的なドライバで駆動可能

SuperSO8パッケージ「OptiMOSTM 6 40V」 インフィニオン テクノロジーズ お問い合わせはこちら
SuperSO8パッケージ「OptiMOS<sup>TM</sup>

新しいOptiMOSTM 6 MOSFET 40Vファミリーは、ロジックレベルのゲート駆動を必要とするアプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供。オン抵抗の改善により、高効率な設計、熱設計も容易。 並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも貢献。
■Nチャネル:エンハンスメントモード 
■超低オン抵抗 RDS(on) ■優れた熱抵抗 ■175℃定格 
■100%アバランシェ試験済み ■ハロゲンフリー (IEC61249-2-21準拠) 
■同期型アプリケーションに最適化

TOLTに搭載された「OptiMOSTM」パワーMOSFET インフィニオン テクノロジーズ お問い合わせはこちら
TOLTに搭載された「OptiMOS<sup>TM</sup>」パワーMOSFET

80Vおよび100Vにおける新しいOptiMOSTM TOLTは、優れた熱性能を可能にする 新しいトップサイド冷却パッケージ。TOLT パッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、最適な熱性能を実現するトップ サイドクーリングの利点を備えています。
■低RDS(on) ■高電流定格 
■上面冷却 ■ネガティブスタンドオフ 
■伝導損失の低減 ■高電流対応 ■優れた熱性能 
■ヒートシンクへの熱抵抗の最小化

TOLGパッケージ「OptiMOSTM」パワーMOSFET インフィニオン テクノロジーズ お問い合わせはこちら
TOLGパッケージ「OptiMOS<sup>TM</sup>」パワーMOSFET

TOLGはTOLxファミリーに新たに加わったパッケージ。TCoB(基板実装時の熱サイクル試験)に対し優れた性能を実現。TOLLパッケージ同様に、大電流対応の薄型パッケージ。TOLLとフットプリント互換性があり、さらにガルウィングリードの採用で高い温度サイクル耐量を実現。
■最高クラスのテクノロジー ■高い電流定格 
■D2PAK 7ピンパッケージに比べてボードサイズを60%低減 
■ガルウィングリード ■高いシステム信頼性 ■高効率及び低EMI 
■高い電力密度 ■優れたTCoB

電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFET 東芝デバイス&ストレージ 在庫検索・ご購入
電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFET

【TW070J120B】は、SiC MOSFETの信頼性を向上させる当社第2世代チップデザインを採用し、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低ドレイン・ソース間オン抵抗を実現しています。また、ゲートしきい値電圧を4.2V~5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)しにくくなっています。さらに、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵したことで、電力損失を低減します。

【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引(B to B)の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。

前月のクリックランキング SiC MOSFETのクリックランキング 2022年7月 BEST10

順位 企業名 クリック割合
1 オンセミ 22.3%
2 インフィニオン テクノロジーズ 15.5%
3 UnitedSiC 12.6%
4 ローム 9.7%
5 マイクロチップ 7.8%
6 東芝デバイス&ストレージ 6.8%
7 Wolfspeed 5.8%
7 三菱電機 半導体・デバイス 5.8%
7 STマイクロエレクトロニクス 5.8%
10 Sensitron Semiconductor 2.9%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。

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【Works With 2022】Amazon、Google、Silicon LabsなどのIoT巨大企業が基調講演を予定
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