製品情報 SiC MOSFET メーカー16社の製品一覧
クリックランキング (2024年2月)SiC MOSFETとは
SiC MOSFETとは、SiC(炭化ケイ素)を材料とする高耐圧、低ON抵抗のMOSFET。炭化ケイ素の英名からSiCをシリコンカーバイド(Silicon Carbide)と呼ぶ。Si(シリコン)に比較してSiCは約10倍の絶縁破壊電界強度を持ち高耐圧であり、低喪失、高速、高温動作などが優れている。またIGBTのスイッチング損失が大きいという欠点もSiC MOSFETはクリアしたことで、600V以上の高速スイッチング動作が可能となった。SiC MOSFETは、高耐圧化、低損失化、小型化が必要な電力変換用途に適している。
- スイッチング損失の低減に寄与する4端子パッケージ採用のSiC MOSFET
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新製品は、650V/1200V耐圧で、4端子タイプのTO-247-4L(X)パッケージを採用しています。4端子タイプのため、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続することができます。そのため、ソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を低減でき、スイッチング性能が向上しました。
- 産業用機器の高効率化に貢献する第3世代SiC MOSFET
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第3世代SiC MOSFET 「TWxxxNxxxCシリーズ」として、TW015N120Cなど10品種(1200V/650V耐圧)をラインアップに追加。
●SBD内蔵により、低VFと高信頼性を実現(第2世代SiC MOSFET技術を
踏襲)
●オン抵抗とスイッチング損失を大幅に改善
●耐ノイズ性が高く、使いやすい
などの特長を備えています。
- 「CoolSiCTM」 SiC MOSFETディスクリート 650V/1200V/1700V
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TOパッケージおよびSMDパッケージを取り揃えた、インフィニオンのCoolSiCTM MOSFETディスクリート製品のラインナップ。
■クラス最低水準のスイッチング損失および導通損失
■優れた短絡耐量およびアバランシェ耐量
■LLCやZVSなどのハードおよび共振スイッチングトポロジーに最適
■標準的なドライバで駆動可能
- SuperSO8パッケージ「OptiMOSTM 6 40V」
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新しいOptiMOSTM 6 MOSFET 40Vファミリーは、ロジックレベルのゲート駆動を必要とするアプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供。オン抵抗の改善により、高効率な設計、熱設計も容易。 並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも貢献。
■Nチャネル:エンハンスメントモード
■超低オン抵抗 RDS(on) ■優れた熱抵抗 ■175℃定格
■100%アバランシェ試験済み ■ハロゲンフリー (IEC61249-2-21準拠)
■同期型アプリケーションに最適化
- TOLTに搭載された「OptiMOSTM」パワーMOSFET
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80Vおよび100Vにおける新しいOptiMOSTM TOLTは、優れた熱性能を可能にする 新しいトップサイド冷却パッケージ。TOLT パッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、最適な熱性能を実現するトップ サイドクーリングの利点を備えています。
■低RDS(on) ■高電流定格
■上面冷却 ■ネガティブスタンドオフ
■伝導損失の低減 ■高電流対応 ■優れた熱性能
■ヒートシンクへの熱抵抗の最小化
- TOLGパッケージ「OptiMOSTM」パワーMOSFET
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TOLGはTOLxファミリーに新たに加わったパッケージ。TCoB(基板実装時の熱サイクル試験)に対し優れた性能を実現。TOLLパッケージ同様に、大電流対応の薄型パッケージ。TOLLとフットプリント互換性があり、さらにガルウィングリードの採用で高い温度サイクル耐量を実現。
■最高クラスのテクノロジー ■高い電流定格
■D2PAK 7ピンパッケージに比べてボードサイズを60%低減
■ガルウィングリード ■高いシステム信頼性 ■高効率及び低EMI
■高い電力密度 ■優れたTCoB
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インフィニオン テクノロジーズ
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SiC MOSFET
CoolSiC(TM)MOSFET
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リテルヒューズ
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SiC MOSFET
極めて低いゲート電荷と出力キャパシタンス、高周波スイッチングを考慮した低ゲート抵抗
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Alpha & Omega Semiconductor
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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
優れたスイッチング速度、超低 Qrr、高温での低 DC 損失、および堅牢な UIS 機能
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Cissoid
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High Temperature SiC MOSFET
(-55°C TO 225°C)
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引(B To B)の対象です。各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
SiC MOSFETのクリックランキング 2024年2月 BEST10
順位 | 企業名 | クリック割合 |
---|---|---|
1 | 東芝デバイス&ストレージ | 23.6% |
2 | インフィニオン テクノロジーズ | 19.1% |
3 | ローム | 11.2% |
4 | STマイクロエレクトロニクス | 10.1% |
5 | 三菱電機 半導体・デバイス | 6.7% |
5 | Qorvo | 6.7% |
7 | オンセミ | 5.6% |
7 | リテルヒューズ | 5.6% |
9 | マイクロチップ | 4.5% |
10 | Alpha & Omega Semiconductor | 3.4% |
※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。
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