製品情報 SiC MOSFETパワーモジュール メーカー13社の製品一覧
クリックランキング (2026年7月)SiC MOSFETパワーモジュールとは
SiC MOSFETパワーモジュールとは、単数または複数のシリコンカーバイド（SiC）MOSFETと一部の周縁部品を一体型とした複合部品。Si（シリコン）に比較してSiCは約10倍の絶縁破壊電界強度を持つため高耐圧であり、また空乏層を狭くできるのでON抵抗が小さい。また、IGBTに比べて高速スイッチングが可能。SiC MOSFETをモジュール化したことで出力容量が格段に大きくなり、高電圧・高電流のアプリケーションに適したデバイス。
- 【車載用】Si/SiC トラクションインバーター パワーモジュール
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HybridPACKTM Driveは、ハイブリッド車および電気自動車のトラクションアプリケーション向けに最適化されたコンパクトなパワーモジュールで、750Vと1200Vクラス内で100kW～250kWの電力拡張性を提供
●クラス最高のSiおよびSiC技術 ●ベンチマーク性能と効率
●業界標準のフットプリント ●拡張性と設計の容易さ、AQG324 車載用認定
G1の利点: クラス最高のEDT2チップセット
G2の利点: 新しいベンチマークパフォーマンスと効率を備えたEDT3とCoolSiCTM G2チップセット
- 「CoolSiCTM」 SiC MOSFET モジュール
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3レベル/ハーフブリッジ/4パック/6パック/ブースターなど様々なトポロジーを取り揃えた、インフィニオンのCoolSiCTM MOSFETモジュール製品のラインナップ。
■Si IGBTと比べて高温動作および高スイッチング周波数
■SiCデバイスに適した低インダクタンスパッケージ
■熱伝導材料（TIM）カスタム可能
- Apex Microtechnology社 SA111: 650V, 24A SiCハーフブリッジパワーモジュール
- GT INTERNATIONAL JAPAN お問い合わせ
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●主な用途：DC/AC または DC/DC コンバータ、モータードライプ
●動作供給電圧：650V、連続出力電流：24A（Aグレードの場合32A）
●スイッチング周波数：1MHz
●低電圧ロックアウトとアクティブミラークランプを備えた統合型ゲート・ドライブ
●動作温度：-40℃～＋125℃
●コンパクトな表面実装パッケージ（23.3mm×23.3mm）、トップサイトヒートシンク付き
●52 ピンQFP パッケージ
- Apex Microtechnology社 SA310: 650V、30A SiC 完全一体型三相パワーモジュール
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●主な用途：
・DC/ACコンバータ ・モーターコントロール ・パワーインバーター
・テスト機器
●最大650V 電源電圧
●各相30A連続出力電流、80Aピーク
●最大400kHz スイッチング周波数
●デジタル制御ゲートドライブ内蔵 ●不足電圧ロックアウト
●16-pin Power DIP ●動作温度：-40℃～＋125℃
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東芝デバイス＆ストレージ
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SiC MOSFETモジュール
SiC MOSFETモジュールは、高速スイッチング性を有しており、電鉄用インバーター、コンバーター、太陽光インバーター等
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富士電機
- ハイブリッドSiCモジュール
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All-SiCモジュール
２個組 1200V, 1700V クラス
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SEMIKRON-Danfoss
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SiC Modules
SiC MOSFET搭載パワーモジュール
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Cissoid
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SiC MOSFET Intelligent Power Module
(-55°C/-40°C TO 175°C)
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B To B）の対象です。各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
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