製品情報
GaN パワーデバイス
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過電流保護内蔵、600V、50mΩ集積型GaNパワー・ステージ 『LMG3410R050』 テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
過電流保護内蔵、600V、50mΩ集積型GaNパワー・ステージ 『LMG3410R050』

■100V/nsのスイッチングを可能にするゲート・ドライバ内蔵
■用途は高集積産業/コンシューマ機器向け電源、産業用モーター・ドライブ、高電圧バッテリ・チャージャなど
■カスコード接続/スタンドアローンGaN FETに比べ設計の簡素化、信頼性向上、電源性能の最適化を実現
■>150V/nsのスルーレート耐性、過渡電圧耐性、過温度保護、UVLO保護などの堅牢な保護機能
■8mm角の32ピンVQFNパッケージ

50MHz、200Vハーフブリッジ高性能GaN FETドライバ『LMG1210』 テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
50MHz、200Vハーフブリッジ高性能GaN

■用途は高速DC/DCコンバータ、RFエンベロープ・トラッキングなど
■伝搬遅延:10ns(代表値) ■可変デッドタイム制御機能
■ハイサイド/ローサイド・マッチング:1.5ns
■パルス幅:3ns以上 ■UVLO、過温度保護
■ピークソース電流:1.5A ■ピークシンク電流:3.1A
■ハイサイド/ローサイド・キャパシタンス:1pF未満
■外付けブートストラップ・ダイオード
■パッケージは4 x 3mmのWQFN

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