製品情報 GaN パワーデバイス

クリックランキング (2022年4月)

GaN パワーデバイスとは

GaN パワーデバイスとは、窒化ガリウム（ガリウムナイトライド）を材料とする半導体。SiC（シリコンカーバイド）半導体と並ぶ化合物半導体である。絶縁破壊電界強度や電子の飽和速度が高く、ON抵抗は低く、熱に強く、放熱性も良い。スイッチングが速く、省電力であることから、GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）として高周波用途が先行していたが、コストの低下と製造技術の進歩から、一般パワーデバイス用途にも広がっている。

過電流保護内蔵、600V、50mΩ集積型GaNパワー・ステージ『LMG3410R050』テキサス・インスツルメンツ(TI) オンライン購入: ■100V/nsのスイッチングを可能にするゲート・ドライバ内蔵
■用途は高集積産業/コンシューマ機器向け電源、産業用
モーター・ドライブ、高電圧バッテリ・チャージャなど
■カスコード接続/スタンドアローンGaN FETに比べ設計の簡素化、
信頼性向上、電源性能の最適化を実現
■>150V/nsのスルーレート耐性、過渡電圧耐性、過温度保護、
UVLO保護などの堅牢な保護機能
■8mm角の32ピンVQFNパッケージ

600V 12A シングルチャネル GaN パワー・ステージ『LMG3410R150』テキサス・インスツルメンツ(TI) オンライン購入: ■用途は高密度の産業用および民生用電源、または産業用モーター・ドライブ
■カスコードまたはスタンドアロンの GaN FET で優れたシステム性能を実現
■スイッチング性能と EMI 制御のため駆動強度を変更可能
■応答時間 100ns 未満の過電流保護
■スルーレートを25～100V/ns範囲でユーザー設定可能
■レイアウトが容易な8 x 8mm 32ピンQFNパッケージ

窒化ガリウム「CoolGaN^TM」インフィニオンテクノロジーズお問い合わせはこちら: 最高の効率と信頼性～新たなパワー・パラダイム～
■シリコンを凌ぐ基本的な利点がある窒化ガリウム（GaN）。
■特にGaNの優れた臨界電場はパワー半導体としてきわめて魅力的な特性。
■シリコンスイッチよりもオン抵抗とキャパシタンスがはるかに低いGaN HEMTは、高速スイッチングに最適。

Nexperia
[代理店/取扱店情報]
GaN FETs
Efficient and effective high-power FETs

【ご注意】ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。

GaN パワーデバイスのクリックランキング 2022年4月 BEST7

順位	企業名	クリック割合
1	インフィニオンテクノロジーズ	24.2%
2	テキサス・インスツルメンツ(TI)	20.0%
3	Transphorm	15.0%
4	ルネサスエレクトロニクス	13.3%
4	GaN Systems	13.3%
6	Nexperia	7.5%
7	Efficient Power Conversion (EPC)	6.7%