製品情報
GaN パワーデバイス
クリックランキング (2019年10月)
- 過電流保護内蔵、600V、50mΩ集積型GaNパワー・ステージ 『LMG3410R050』 テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
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■100V/nsのスイッチングを可能にするゲート・ドライバ内蔵
■用途は高集積産業/コンシューマ機器向け電源、産業用モーター・ドライブ、高電圧バッテリ・チャージャなど
■カスコード接続/スタンドアローンGaN FETに比べ設計の簡素化、信頼性向上、電源性能の最適化を実現
■>150V/nsのスルーレート耐性、過渡電圧耐性、過温度保護、UVLO保護などの堅牢な保護機能
■8mm角の32ピンVQFNパッケージ
- 50MHz、200Vハーフブリッジ高性能GaN FETドライバ『LMG1210』 テキサス・インスツルメンツ(TI) 無償サンプル請求
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■用途は高速DC/DCコンバータ、RFエンベロープ・トラッキングなど
■伝搬遅延：10ns（代表値） ■可変デッドタイム制御機能
■ハイサイド/ローサイド・マッチング：1.5ns
■パルス幅：3ns以上 ■UVLO、過温度保護
■ピークソース電流：1.5A ■ピークシンク電流：3.1A
■ハイサイド/ローサイド・キャパシタンス：1pF未満
■外付けブートストラップ・ダイオード
■パッケージは4 x 3mmのWQFN
- インフィニオン テクノロジーズ [代理店/取扱店情報]
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窒化ガリウム（GaN）デバイス
CoolGaN(TM)
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