製品情報
GaN パワーデバイス
クリックランキング (2020年10月)

過電流保護内蔵、600V、50mΩ集積型GaNパワー・ステージ 『LMG3410R050』 テキサス・インスツルメンツ(TI) オンライン購入
過電流保護内蔵、600V、50mΩ集積型GaNパワー・ステージ

■100V/nsのスイッチングを可能にするゲート・ドライバ内蔵
■用途は高集積産業/コンシューマ機器向け電源、産業用
モーター・ドライブ、高電圧バッテリ・チャージャなど
■カスコード接続/スタンドアローンGaN FETに比べ設計の簡素化、
信頼性向上、電源性能の最適化を実現
■>150V/nsのスルーレート耐性、過渡電圧耐性、過温度保護、
UVLO保護などの堅牢な保護機能
■8mm角の32ピンVQFNパッケージ

600V 12A シングルチャネル GaN パワー・ステージ『LMG3410R150』 テキサス・インスツルメンツ(TI) オンライン購入
600V

■用途は高密度の産業用および民生用電源、または産業用モーター・ドライブ
■カスコードまたはスタンドアロンの GaN FET で優れたシステム性能を実現
■スイッチング性能と EMI 制御のため駆動強度を変更可能
■応答時間 100ns 未満の過電流保護
■スルーレートを25~100V/ns範囲でユーザー設定可能
■レイアウトが容易な8 x 8mm 32ピンQFNパッケージ

窒化ガリウム(GaN)  “CoolGaNTM インフィニオン テクノロジーズ 問い合わせはこちら
窒化ガリウム(GaN) 

【最高の効率と信頼性 -新たなパワー・パラダイム-】
窒化ガリウム(GaN)には、シリコンを凌ぐ基本的な利点があります。特にGaNの優れた臨界電場はパワー半導体としてきわめて魅力的な特性です。またシリコンスイッチよりもオン抵抗とキャパシタンスがはるかに低いGaN HEMTは、高速スイッチングに最適です。

αGaN : 650V GaNトランジスタ供給開始 [PDF] Alpha & Omega Semiconductor コンタクト
αGaN

●GaN-on-Siサブストレートテクノロジー
●50%以上のダイサイズ低減と1/10のゲートチャージ(Qg)
●DFN8x8パッケージ
●代表製品:AONV070V65G1

ご注意ここで紹介する製品・サービスは企業間取引(B to B)の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。

前月のクリックランキング 2020年10月のクリックランキング (Best 8)

順位 企業名 クリック割合
1 テキサス・インスツルメンツ(TI) 24.2%
2 インフィニオン テクノロジーズ 21.3%
3 パナソニック インダストリアルソリューションズ社 14.7%
4 Transphorm 10.9%
5 ルネサス エレクトロニクス 7.6%
5 Efficient Power Conversion (EPC) 7.6%
7 GaN Systems 7.1%
8 Alpha & Omega Semiconductor 6.6%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数
このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。

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