製品情報
GaN パワーデバイス
クリックランキング (2020年10月)
- 過電流保護内蔵、600V、50mΩ集積型GaNパワー・ステージ 『LMG3410R050』 テキサス・インスツルメンツ(TI) オンライン購入
-
■100V/nsのスイッチングを可能にするゲート・ドライバ内蔵
■用途は高集積産業/コンシューマ機器向け電源、産業用
モーター・ドライブ、高電圧バッテリ・チャージャなど
■カスコード接続/スタンドアローンGaN FETに比べ設計の簡素化、
信頼性向上、電源性能の最適化を実現
■>150V/nsのスルーレート耐性、過渡電圧耐性、過温度保護、
UVLO保護などの堅牢な保護機能
■8mm角の32ピンVQFNパッケージ
- 600V 12A シングルチャネル GaN パワー・ステージ『LMG3410R150』 テキサス・インスツルメンツ(TI) オンライン購入
-
■用途は高密度の産業用および民生用電源、または産業用モーター・ドライブ
■カスコードまたはスタンドアロンの GaN FET で優れたシステム性能を実現
■スイッチング性能と EMI 制御のため駆動強度を変更可能
■応答時間 100ns 未満の過電流保護
■スルーレートを25～100V/ns範囲でユーザー設定可能
■レイアウトが容易な8 x 8mm 32ピンQFNパッケージ
- 窒化ガリウム(GaN) “CoolGaNTM” インフィニオン テクノロジーズ 問い合わせはこちら
-
【最高の効率と信頼性 -新たなパワー・パラダイム-】
窒化ガリウム（GaN）には、シリコンを凌ぐ基本的な利点があります。特にGaNの優れた臨界電場はパワー半導体としてきわめて魅力的な特性です。またシリコンスイッチよりもオン抵抗とキャパシタンスがはるかに低いGaN HEMTは、高速スイッチングに最適です。
- αGaN : 650V GaNトランジスタ供給開始 [PDF] Alpha & Omega Semiconductor コンタクト
-
●GaN-on-Siサブストレートテクノロジー
●50%以上のダイサイズ低減と1/10のゲートチャージ(Qg)
●DFN8x8パッケージ
●代表製品：AONV070V65G1
- インフィニオン テクノロジーズ [代理店/取扱店情報]
-
窒化ガリウム（GaN）デバイス
CoolGaN(TM)
ご注意ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
2020年10月のクリックランキング (Best 8)
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | テキサス・インスツルメンツ(TI) | 24.2% |
| 2 | インフィニオン テクノロジーズ | 21.3% |
| 3 | パナソニック インダストリアルソリューションズ社 | 14.7% |
| 4 | Transphorm | 10.9% |
| 5 | ルネサス エレクトロニクス | 7.6% |
| 5 | Efficient Power Conversion (EPC) | 7.6% |
| 7 | GaN Systems | 7.1% |
| 8 | Alpha & Omega Semiconductor | 6.6% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数
このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。
「GaN パワーデバイス」 に関連するニュース
- 車載機器向けに、ドライバ、保護回路や能動的な電力管理機能を集積した業界初のGaN FET製品ポートフォリオを発表 【 日本TI 】
- ゲート・ドライバとGaN パワー･トランジスタを集積した世界初のソリューションを発表 【 STマイクロエレクトロニクス 】
- 業界トップの性能を持つ高効率のGaN FETをリリース 【 Nexperia 】
![JEDEC標準 xSPI Flash IS25LX/WXシリーズ [PDF]](https://www.indexpro.co.jp/AdFiles/issi/2010/xspioctalflash_p.jpg){kind=small}
