製品情報 HEMT (ヘテロ接合 FET) メーカー7社の製品一覧
クリックランキング (2025年5月)HEMT (ヘテロ接合 FET)とは
HEMT (ヘテロ接合 FET)とは、化合物半導体のヘテロ接合面に形成された高純度層の高移動度電子をキャリアとする電界効果トランジスタ。高電子移動度トランジスタとも呼ばれる。HEMTは、High Electron Mobility Transistorの省略名。富士通の技術者が発明したトランジスタである。スイッチング速度が速く、低雑音で、高周波域での利得も高く、高周波増幅や高速演算に適している。車載レーダーや無線設備などに使われている。
-
三菱電機 半導体・デバイス
-
GaN高周波デバイス
移動通信システム基地局用 GaN HEMT, 衛星通信（SATCOM）地球局用GaN HEMT・MMIC
-
住友電工デバイス・イノベーション
-
GaAs FET
HEMT、GaAs FET
-
MACOM
-
RF Power Products
GaN Amplifier、Silicon Bipolar、MOSFET
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B To B）の対象です。各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
HEMT (ヘテロ接合 FET)のクリックランキング
2025年5月 BEST7
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | 三菱電機 半導体・デバイス | 22.5% |
| 2 | ローム | 17.5% |
| 2 | 住友電工デバイス・イノベーション | 17.5% |
| 4 | MACOM | 12.5% |
| 5 | Qorvo | 10.0% |
| 5 | 中央電子工業 | 10.0% |
| 7 | MicroWave Technology (MWT) | 5.0% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。
![[RxxC2T25/R] SiCゲートドライブ用出力可変DC/DCコンバータ](https://www.indexpro.co.jp/AdFiles/recom/2505/rxxc2t25r_s.jpg){kind=small}
