ゲート電荷（Q_g）が低いため、導通損失を増加させることなく、スイッチング損失を低減
■非常に優れた性能指数R_DS(on) x Q_g
■高速スイッチングのために最適化されたQ_g 、C_OSS および Q_rr
■ロジックレベル互換
■小型のPQFN 2 x 2mmパッケージ
■より高い電力密度の設計

従来の60Vロード・スイッチと比較し80%小型で90%の電力損失を削減
■スペースに制約のある産業用ロード・スイッチ機器の
標準的な小信号MOSFETの置替えに最適
■10Vのゲート-ソース電圧時に54mΩと非常に低いオン抵抗
■生産しやすい0.5mmのパッド・ピッチ
■内蔵ESD保護ダイオードによりMOSFETのゲートを過電圧から保護
■パッケージは1.53 x 0.77 x 0.35mmの超小型LGA

0.73 x 0.64 x 0.35mmの超小サイズにより、モバイル/ハンドヘルド
機器に最適
■高速スイッチングを実現 ■標準的な小信号MOSFETを置き換え、
フットプリントの大幅な低減を可能に
■C_iSS、C_OSS、Q_g、Q_gd が非常に低い
■ESD保護ダイオード内蔵
■HBM定格：4kV超、CDM定格：2kV超
■鉛とハロゲン不使用 ■RoHS準拠

■Siの限界を超えるデバイスとして注目のSiCデバイス、新たに1700Vクラス製品のSiC-MOSFETをリリース。発熱低減によるヒートシンクなど部品削減が可能に！
■従来の1500V耐圧のSi-MOSFETと比較して、1700V耐圧と同時に8分の1となるオン抵抗1.15Ωを実現。
■パッケージにTO-3PFMを採用し、産業機器に要求される沿面距離を確保。
■実力を最大限引き出すことが可能な駆動用AC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ-LB」と組み合わせると、最大で6%の高効率化を実現可能

■従来、車載電装に使用されるMOSFETは、品質を維持するために5mm x 6mmサイズのパッケージが主流でしたが、ロームのチップ技術とパッケージング技術のノウハウを駆使することにより、3.3mm x 3.3mmサイズの業界最小クラスの小型パッケージで実現
■車載品質を維持しながら実装面積を最大64%削減
■独自の端子構造により、ゲート端子面積を2倍の太さにし、接合強度をアップすることで、致命リスクとなるゲート端子と実装基板間に発生する半田クラックの進行を半分以下に軽減し、車載品質を確保

電源一体型インバータなどに最適な、高速 trr タイプ 「PrestoMOS(TM)」！　高速スイッチング及び内部 Di の高速 trr 化により、高効率・低損失化、更には、電源基板の小型化に貢献。 また、面実装パッケージの 「CPT3 (D-PAK) 」 「LPT (D2-PAK) 」 を新たにラインアップ予定。　　
■ 低オン抵抗、低 Qg に加えて内部ダイオードの高速 trr 化を実現。　
■ 内部ダイオードの高速 trr による外付けFRD (ファストリカバリDi） の削減が可能。

■OptiMOS(tm)5: インフィニオンの最新世代の車載対応パワーMOSFET
■業界最小クラスの低オン抵抗と優れたスイッチング特性を両立
■小さい特性ばらつきを実現(スレショルド電圧 Vgs(th), ゲート容量 Qg)
■極小パッケージ: S3O8(3.3mm x 3.3mm), SSO8(6.5mm x 5.1mm)
■IPZ40N04S5L-2R8: S3O8, Nch, Vds=40V, Id=40A, Rds(on)=2.8mΩ
■IPC100N04S5L-1R1: SSO8, Nch, Vds=40V, Id=100A, Rds(on)=1.1mΩ ■車載モーター制御、スイッチング電源、ボディアプリケーションなどの小型化・高効率化に貢献

■OptiMOS(tm)シリーズ : インフィニオンの最新世代の車載対応パワーMOSFET ■業界最小クラスの低オン抵抗と優れたスイッチング特性を両立 ■大電流リードレスパッケージ: TOLL(11.7mm x 9.9mm), sTOLL(7mm x 8mm) ■従来のD2PAK(TO263)に対して40％のパッケージ面積削減(sTOLL) ■IAUA200N04S5N007: sTOLL, Nch, Vds=40V, Id=200A, Rds(on)=0.75mΩ ■IPLU300N04S4-R8: TOLL, Nch, Vds=40V, Id=300A, Rds(on)=0.77mΩ ■車載モーター制御、スイッチング電源、バッテリマネジメントなどの小型化・高効率化に貢献

インフィニオンの新型40V、60VパワーMOSFET 「Logic Level StrongIRFET（TM）」 は、コードレス型の電動ドリルや電動ノコギリなどのDIYツールのバッテリー駆動向けに省スペース性と堅牢性を備えたデバイスです。マイクロコントローラから直接駆動可能なため、スペースを節約できる上、コスト削減に貢献します。低オン抵抗（Typ.値0.52mΩ、最大値0.97mΩ）による損失の削減、高い電流取扱い能力による出力パワーの向上、堅牢なシリコンによって、システムでは高い信頼性が得られます。

極めて低いゲート電荷および出力電荷と、フットプリントの小さいパッケージで最小のオン抵抗を実現した OptiMOS（TM） 5 25V・30VパワーMOSFETは、 サーバー電源、データコム、および テレコム電源アプリケーションにおける電圧レギュレーターソリューションの厳しい要件に最適です。 OptiMOS（TM） 5 25V・30V製品は、EMI 動作の改善やバッテリー寿命の延長など、ノートパソコンの電力管理のニーズに対応します。

OptiMOS（TM） 5 80V・100VパワーMOSFETは、テレコム、サーバ電源の同期整流用に開発された製品です。ソーラーシステム、低電圧駆動アプリケーションにも適しています。パッケージは7種類をご用意しており、いずれも業界最高レベルの低オン抵抗を誇ります。SO-8の場合オン抵抗は2.7mΩで、業界最高レベルの電力密度と高い効率を提供します。

OptiMOS（TM） 300V高速ダイオードパワーMOSFETは、テレコム電源、インダストリアル電源、 無停電電源（UPS）等のハードスイッチングアプリケーションの過酷な使用に耐えるよう最適化された製品です。優れたオン抵抗（R_DS(on)）と性能指数（FOM）のみならず、低Q _rr 、ピーク逆回復電荷も低減しています。D²PAKパッケージ品のオン抵抗は40.7mΩ。導通損失を低減し、モーター制御など大電流用途において効率を改良します。同等製品と比べ30%以上低いFOMを有し、システム全体のパワー損失も削減します。

600V CoolMOS（TM） C7は、CoolMOS（TM） CPと比べ、ターンオフ損失（Eoss）が最大50%抑えられ、PFC、TTFその他のハードスイッチング トポロジでGaN並みの性能を発揮。効率や総所有コストが重視されるアプリケーションの場合、600V CoolMOS（TM） C7により効率を向上できます。PFCトポロジで0.3%～0.7%、LLCトポロジで0.1%の効率向上が可能です。2.5kWのサーバ電源（PSU）の場合、4ピンTO-247パッケージの600V CoolMOS（TM） C7を使用すると、PSUのエネルギー損失低減により最大10%の電力コスト削減が可能です。

CoolMOS（TM） CEシリーズは、スーパージャンクション（SJ）構造を採用し、家電・照明用途向けに最高の価格性能比を実現した高耐圧パワーMOSFETです。幅広い製品ファミリにより、モバイル機器や電動工具用の低電力充電器、液晶ディスプレイ（LCD）、LEDテレビ、LED照明用途向けに600Vおよび650Vデバイスを提供しています。このCoolMOS（TM）の新シリーズCEは、実績あるCoolMOS（TM）の品質と信頼性を妥協することなく、家電製品の標準的な要件を満たすとともに、コストも最適化されています。

インフィニオンの最新世代のパワーMOSFET は、スイッチング電源（SMPS）の同期整流に最適なFETです。他にも、モータ制御、通信、ソーラー マイクロインバータ、高速スイッチングDC/DCコンバータなど、広範な産業用アプリケーションにとって、これ以上ない選択肢となっています。OptiMOS(tm) 5 40V & 60Vは、業界最小のオン抵抗を誇り、従来製品との比較では、オン抵抗が15%低く、FOM（オン抵抗 x ゲート電荷（Qg））は31%向上しました。高効率が求められるアプリケーションに最適なスイッチング動作を提供します。

CoolMOS(tm) P6シリーズは、最高のパフォーマンスを実現することに力点を置いた技術（高性能CoolMOS(tm) CPシリーズなど）と、使い勝手をより重視する技術（CoolMOS(tm) C6/E6シリーズなど）のバランスを最適化し、ハード/ソフトスイッチングのPFC（力率改善回路）とPWM（パルス幅モジュレーション）のトポロジで優れた性能を発揮します。

CoolMOS(tm) C7シリーズは、TO-247パッケージで19mΩという世界最小クラスとなるオン抵抗（R DS(on)）/パッケージを実現したのみならず、小さいスイッチング損失によって負荷範囲全体で効率を向上させるなど、テクノロジーの画期的な進歩となるパワーMOSFET製品です。
CoolMOS(tm) C7シリーズは、連続導通モード力率改善回路（CCM PFC）、トゥートランジスタ フォワード（TTF）、ソーラーブーストといったハードスイッチング トポロジ向けに最適化されています。

500V CoolMOS（tm） CEシリーズは、オン抵抗の低さなど最新のSuper Junction（SJ）MOSFETが持つすべてのメリットと共に、ボディダイオードの高度な高い堅牢性と極めて低い導通およびスイッチング損失を備えています。これらの特長により500V CoolMOS（tm） CEシリーズは、スイッチングアプリケーションの効率を高め、小型化し、軽量化し、また発熱を抑えることに貢献します。

OptiMOS（tm）FDは、通信システム、産業用電源、D級オーディオアンプ、モータ制御、直流/交流インバータなどをはじめとするハードスイッチング用途に最適なデバイスです。ハードコミュテーションの耐性が改善され、より高いdv/dt、di/dt、電流密度など、厳しい条件下での使用が可能となるため設計が簡素化されます。またOptiMOS（tm）FDは、従来製品より40%低い逆回復電荷（Qrr）を達成しています。電圧オーバーシュートが抑えられ必要最小限のスナバ回路で済み、高効率、高品質のシステムを実現できます。

◆サンケン電気の新世代MOSFET　72製品を一挙ラインアップ！！
低オン抵抗と低ゲート容量(Qg)を両立しスイッチング性能指数を大幅改善
◆30V、40V、60V、75V、100Vの耐圧ラインアップ
◆パッケージは5種類：DFN5 x6、TO252、TO263、TO220、TO220F
◆全て4.5V駆動に対応。回路効率向上・高周波対応・周辺部品を小型化
◆特にDC/DCコンバータ、AC/DC2次側整流などスイッチング損失が重要なアプリケーションに最適

パッケージの上下両面からの放熱が可能な表面実装型「DSOP Advance パッケージ（5 x 6mm）」シリーズ4製品（TPWR8503NL、TPWR8004PL、TPW4R008NH、TPW4R50ANH）を製品化！

■効率的な放熱を可能にし、小型パッケージでの大電流化要求に
お応えします！

業界トップクラス（*）の低オン抵抗特性を実現した「TJ200F04M3L」を製品化！機器の導通損失の低減に貢献

■低オン抵抗：
・RDS（ON）=1.8mΩ（max） ＠VGS=-10V
■Tch=175℃保証
（*）2015年3月時点、同定格の製品において。東芝調べ。