データセンターや太陽光発電パワーコンディショナーなどの
スイッチング電源向けに650 V耐圧のスーパージャンクション構造
NチャネルパワーMOSFET　DTMOSVI (ディーティーモスシックス)
シリーズ6品種を製品化。
●TK040Z65Z
●TK065N65Z、TK065Z65Z
●TK090N65Z、TK090Z65Z、TK090A65Z

バッテリー電圧低下時でも駆動可能な－4.5 V駆動の車載用－40 V耐圧
PチャネルパワーMOSFETを製品化。
　XPH3R114MC　RDS(ON)=3.1 mΩ (max) @VGS=－10 V
　XPH4R714MC　RDS(ON)=4.7 mΩ (max) @VGS=－10 V
　XPN9R614MC　RDS(ON)=9.6 mΩ (max) @VGS=－10 V

DTMOSⅤプロセスを採用した650V系スーパージャンクションMOSFET製品「TK290A65Y」。
■主な用途：各種産業・オフィス装置向け電源、ノートPC・携帯端末用アダプター・チャージャー　■低オン抵抗：RDS(ON) = 2.3 Ω (標準)
■ゲートスイッチングスピードの最適化
■プロセス最適化により低EMIを実現
※本製品を使用したリファレンスデザイン≪200W AC-DC電源≫もご用意しております。

DTMOS IV-Hプロセスを採用した高速スイッチングスーパージャンクションMOSFET製品。
■主な用途：情報通信機器用電源、産業用電源
■低オン抵抗：RDS(ON) = 0.105 Ω (標準)
■低ゲート電荷：Qgd = 15 nC (標準)
■取り扱いが容易なエンハンスメントタイプ
※本製品を使用したリファレンスデザイン≪1.6kW、80Plus Platinum級高効率 AC-DC サーバ用電源≫もご用意しております。

低耐圧トレンチ構造の最新世代U-MOS Ⅸ-Hプロセスを採用した100 V耐圧製品「TPH3R70APL」
■主な用途：情報通信機器用電源、産業用電源
■低オン抵抗：RDS(ON) = 3.1 mΩ (標準)
■低出⼒電荷量：Qoss = 74 nC (標準)
■低ゲートスイッチ電荷量：QSW = 21 nC (標準)
※本製品を使用したリファレンスデザイン≪300W 絶縁型DC-DCコンバータ≫もご用意しております。

低耐圧トレンチ構造の最新世代U-MOS Ⅸ-Hプロセスを採用した100 V耐圧製品「TPN1200APL」。
■主な用途：情報通信機器用電源、産業用電源
■低オン抵抗：RDS(ON) = 9.8 mΩ (標準)
■低出力電荷量：Qoss = 24 nC (標準)
■低ゲートスイッチ電荷量：QSW = 7.5 nC (標準)
※本製品を使用したリファレンスデザイン≪48Vバス電圧対応1.2 V/100 A出力DC-DCコンバータ≫もご用意しております。

両面放熱・低抵抗・小型化を図ったDSOP Advance(WF)パッケージを
採用した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET
「TPWR7904PB」および「TPW1R104PB」を製品化。

　■車載用途に適したAEC-Q101適合
　■AOI視認性向上
　■トッププレートとドレイン電極による両面放熱パッケージ
　■低オン抵抗、低ノイズ特性のU-MOSⅨ-Hシリーズ

データセンター、太陽光発電パワーコンディショナーなどの産業機器用電源向けに、650V耐圧の新世代スーパージャンクション パワーMOSFET
「DTMOS Ⅵ (ディーティーモス・シックス) シリーズ」の第一弾となる
「TK040N65Z」を製品化。
　
　■低RDS(ON)×Qgd化を実現し、
　　　スイッチング電源の高効率化が可能

■48Vアプリケーション、バッテリマネジメントなどの小型化・高効率化に貢献
■業界最小クラスの低オン抵抗と優れたスイッチング特性を両立
■大電流リードレスパッケージ: TOLL(11.7x9.9mm2), sTOLL(7x8mm2)
■従来のTO263から実装面積の削減(sTOLL:-63%, TOLL:-23%)
■IAUA200N04S5N007: sTOLL, 40V, 200A, 0.7mΩ, Nch
■IAUT300N08S5N012: TOLL, 80V, 300A, 1.2mΩ, Nch
■IAUT300N10S5N015: TOLL, 100V, 300A, 1.5mΩ, Nch

■ モーター制御、スイッチング電源、ボディ系等の小型化・高効率化に貢献
■ OptiMOS(tm)5: 最新世代の車載対応パワーMOSFET
■ 業界最小クラスの低オン抵抗と優れたスイッチング特性を両立
■ 小さい特性ばらつきを実現
■ 極小パッケージ: S3O8(3.3x3.3mm2), SSO8(6.5x5.1mm2)
■ IPZ40N04S5L-2R8: S3O8, 40V, 40A, 2.8mΩ, Nch
■ IPC100N04S5L-1R1: SSO8, 40V, 100A, 1.1mΩ, Nch

低オン抵抗R_DS(on) と広い安全動作領域（SOA）を両立したMOSFET
■高い最大パルス電流
■高い連続パルス電流
■堅牢なリニアモード動作
■低い導通損失
■より高い突入電流に対応可能で、起動迅速化とダウンタイム短縮を実現
■テレコム、バッテリ管理向け

ゲート電荷（Q_g）が低いため、導通損失を増加させることなく、スイッチング損失を低減
■非常に優れた性能指数R_DS(on) x Q_g
■高速スイッチングのために最適化されたQ_g 、C_OSS および Q_rr
■ロジックレベル互換
■小型のPQFN 2 x 2mmパッケージ
■より高い電力密度の設計

■FOM_gdやFOM_OSSを妥協させることなく、R_DS(on)（SuperSO8の次位代替製品と比べて最大25%低減）およびQ_rrを画期的に低減
■きわめて低い逆回復電荷（SuperSO8の最小Q_rr = 26nC）により、コミュテーションの堅牢性を向上
■低電圧ドライブ、テレコム、太陽光発電向け

■インフィニオンでは、定番のOptiMOS(TM)及びCoolMOS(TM)シリーズで表面実装型のTOリードレス（TOLL）パッケージMOSFETを豊富にご用意。
■オン抵抗 = 0.4mΩ (Max)の業界最高水準のシリコンを搭載（30V耐圧製品 IPT004N03Lの場合）。
■TO-247 、TO-220 等の挿入型パッケージと比較して、効率の向上だけでなく、BOMコスト・実装コスト低減も期待できる。
■フォークリフト、軽量電気自動車、POL、テレコム向け

■TO252 (DPAK) でクラス最高のRDS(on)280mΩを達成
■ゲートドライブ特性の最適化、V(GS)th 3 V ± 0.5 V
■ツェナーダイオードを内蔵、HBM Class2のESD特性
■280mΩ～4.5Ω、6種類のパッケージ多彩なポートフォリオ
■LED照明、アダプター/チャージャーアプリケーションに最適化

オープンフレーム電源向けに沿面距離を改善

■ピン間の沿面距離を4.25mmに拡張　
■リードフォーミングなどの対策不要でコスト削減が可能
■テレビ、PC電源、産業用電源などオープンフレーム電源向け

GaNに最も近いSi MOSFET 第7世代CoolMOS C7がフルラインナップ

■リードレス超小型表面実装パッケージ
■クラス最高の電力密度：650V/33mΩを11.7mm x 9.9mmに
■650Vで業界最高の効率性
■TOLLパッケージの低寄生ソースインダクタンスとケルビンソース採用によりスイッチング速度の高速化と高効率を両立

インフィニオンの新型40V、60VパワーMOSFET 「Logic Level StrongIRFET（TM）」 は、コードレス型の電動ドリルや電動ノコギリなどのDIYツールのバッテリー駆動向けに省スペース性と堅牢性を備えたデバイスです。マイクロコントローラから直接駆動可能なため、スペースを節約できる上、コスト削減に貢献します。低オン抵抗（Typ.値0.52mΩ、最大値0.97mΩ）による損失の削減、高い電流取扱い能力による出力パワーの向上、堅牢なシリコンによって、システムでは高い信頼性が得られます。

極めて低いゲート電荷および出力電荷と、フットプリントの小さいパッケージで最小のオン抵抗を実現した OptiMOS（TM） 5 25V・30VパワーMOSFETは、 サーバー電源、データコム、および テレコム電源アプリケーションにおける電圧レギュレーターソリューションの厳しい要件に最適です。 OptiMOS（TM） 5 25V・30V製品は、EMI 動作の改善やバッテリー寿命の延長など、ノートパソコンの電力管理のニーズに対応します。

OptiMOS（TM） 5 80V・100VパワーMOSFETは、テレコム、サーバ電源の同期整流用に開発された製品です。ソーラーシステム、低電圧駆動アプリケーションにも適しています。パッケージは7種類をご用意しており、いずれも業界最高レベルの低オン抵抗を誇ります。SO-8の場合オン抵抗は2.7mΩで、業界最高レベルの電力密度と高い効率を提供します。

OptiMOS（TM） 300V高速ダイオードパワーMOSFETは、テレコム電源、インダストリアル電源、 無停電電源（UPS）等のハードスイッチングアプリケーションの過酷な使用に耐えるよう最適化された製品です。優れたオン抵抗（R_DS(on)）と性能指数（FOM）のみならず、低Q _rr 、ピーク逆回復電荷も低減しています。D²PAKパッケージ品のオン抵抗は40.7mΩ。導通損失を低減し、モーター制御など大電流用途において効率を改良します。同等製品と比べ30%以上低いFOMを有し、システム全体のパワー損失も削減します。

600V CoolMOS（TM） C7は、CoolMOS（TM） CPと比べ、ターンオフ損失（Eoss）が最大50%抑えられ、PFC、TTFその他のハードスイッチング トポロジでGaN並みの性能を発揮。効率や総所有コストが重視されるアプリケーションの場合、600V CoolMOS（TM） C7により効率を向上できます。PFCトポロジで0.3%～0.7%、LLCトポロジで0.1%の効率向上が可能です。2.5kWのサーバ電源（PSU）の場合、4ピンTO-247パッケージの600V CoolMOS（TM） C7を使用すると、PSUのエネルギー損失低減により最大10%の電力コスト削減が可能です。

CoolMOS（TM） CEシリーズは、スーパージャンクション（SJ）構造を採用し、家電・照明用途向けに最高の価格性能比を実現した高耐圧パワーMOSFETです。幅広い製品ファミリにより、モバイル機器や電動工具用の低電力充電器、液晶ディスプレイ（LCD）、LEDテレビ、LED照明用途向けに600Vおよび650Vデバイスを提供しています。このCoolMOS（TM）の新シリーズCEは、実績あるCoolMOS（TM）の品質と信頼性を妥協することなく、家電製品の標準的な要件を満たすとともに、コストも最適化されています。

インフィニオンの最新世代のパワーMOSFET は、スイッチング電源（SMPS）の同期整流に最適なFETです。他にも、モータ制御、通信、ソーラー マイクロインバータ、高速スイッチングDC/DCコンバータなど、広範な産業用アプリケーションにとって、これ以上ない選択肢となっています。OptiMOS(tm) 5 40V & 60Vは、業界最小のオン抵抗を誇り、従来製品との比較では、オン抵抗が15%低く、FOM（オン抵抗 x ゲート電荷（Qg））は31%向上しました。高効率が求められるアプリケーションに最適なスイッチング動作を提供します。

CoolMOS(tm) P6シリーズは、最高のパフォーマンスを実現することに力点を置いた技術（高性能CoolMOS(tm) CPシリーズなど）と、使い勝手をより重視する技術（CoolMOS(tm) C6/E6シリーズなど）のバランスを最適化し、ハード/ソフトスイッチングのPFC（力率改善回路）とPWM（パルス幅モジュレーション）のトポロジで優れた性能を発揮します。

CoolMOS(tm) C7シリーズは、TO-247パッケージで19mΩという世界最小クラスとなるオン抵抗（R DS(on)）/パッケージを実現したのみならず、小さいスイッチング損失によって負荷範囲全体で効率を向上させるなど、テクノロジーの画期的な進歩となるパワーMOSFET製品です。
CoolMOS(tm) C7シリーズは、連続導通モード力率改善回路（CCM PFC）、トゥートランジスタ フォワード（TTF）、ソーラーブーストといったハードスイッチング トポロジ向けに最適化されています。

500V CoolMOS（tm） CEシリーズは、オン抵抗の低さなど最新のSuper Junction（SJ）MOSFETが持つすべてのメリットと共に、ボディダイオードの高度な高い堅牢性と極めて低い導通およびスイッチング損失を備えています。これらの特長により500V CoolMOS（tm） CEシリーズは、スイッチングアプリケーションの効率を高め、小型化し、軽量化し、また発熱を抑えることに貢献します。

OptiMOS（tm）FDは、通信システム、産業用電源、D級オーディオアンプ、モータ制御、直流/交流インバータなどをはじめとするハードスイッチング用途に最適なデバイスです。ハードコミュテーションの耐性が改善され、より高いdv/dt、di/dt、電流密度など、厳しい条件下での使用が可能となるため設計が簡素化されます。またOptiMOS（tm）FDは、従来製品より40%低い逆回復電荷（Qrr）を達成しています。電圧オーバーシュートが抑えられ必要最小限のスナバ回路で済み、高効率、高品質のシステムを実現できます。

● 最新のトレンチパワーMOSFETテクノロジー AlphaSGT^TM MOSFETを
　 TOLLパッケージに封入
● 低ON抵抗により、高電流アプリケーショにも使用可能な40V MOSFETで、
　 モータ駆動、バッテリー保護に最適
● AOTL66401, Nチャネル, Rds(on)<0.7mΩ, Id 400A

● 最新のSuper Junctionテクノロジーによるデバイスの発熱を低減
● スイッチング損失の低減による高効率化
● AOTF190A60L, 600V, Rds(on)<0.19Ω

●最新の低耐圧MOSFETテクノロジーXSFET^TMを使用
●多用途で使用可能なMOSFETを2個内蔵したPairFET^TMパッケージ
●高放熱特性
●超低オン抵抗 : (LS) 1.05mΩ, (HS) 7mΩ (@ 4.5Vmax)
●基板レイアウトがしやすいDFN5x6Eパッケージ