【TK040Z65Z】
【TK065N65Z】、【TK065Z65Z】
【TK090N65Z】、【TK090Z65Z】、【TK090A65Z】
データーセンターや太陽光発電パワーコンディショナーなどのスイッチング電源向け650V耐圧のスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFETDTMOSVI (ディーティーモスシックス)。

【XPH4R10ANB】　ドレイン電流定格：70A
オン抵抗：4.1mΩ (max) @V_GS=10V
【XPH6R30ANB】　ドレイン電流定格：45A
オン抵抗：6.3mΩ (max) @V_GS=10V

■用途：電源装置、LEDヘッドライトなど
■AEC-Q101適合
■ウェッタブルフランク構造のSOP Advance(WF)パッケージを採用

【XPH3R114MC】
バッテリー電圧低下時でも駆動可能な-4.5 V駆動の車載用-40 V耐圧
PチャネルパワーMOSFET。

　XPH3R114MC　RDS(ON)=3.1 mΩ (max) @VGS=-10 V
　XPH4R714MC　RDS(ON)=4.7 mΩ (max) @VGS=-10 V
　XPN9R614MC　RDS(ON)=9.6 mΩ (max) @VGS=-10 V

【TK290A65Y】
DTMOSⅤプロセスを採用した650V系スーパージャンクションMOSFET。
■主な用途：各種産業・オフィス装置向け電源、ノートPC・携帯端末用アダプター・チャージャー ■低オン抵抗：RDS(ON) = 2.3 Ω (標準)
■ゲートスイッチングスピードの最適化
■プロセス最適化により低EMIを実現
※本製品を使用したリファレンスデザイン”200W AC-DC電源”もご用意しております。

【TK25N60X】
DTMOS IV-Hプロセスを採用した高速スイッチングスーパージャンクションMOSFET製品。
■主な用途：情報通信機器用電源、産業用電源
■低オン抵抗：RDS(ON)=0.105Ω(標準) ■低ゲート電荷：Qgd=15nC(標準)
■取り扱いが容易なエンハンスメントタイプ
※本製品を使用したリファレンスデザイン”1.6kW, 80Plus Platinum級高効率 AC-DC サーバー用電源 ”もご用意しております。

【TPH3R70APL】
低耐圧トレンチ構造 最新世代U-MOS Ⅸ-Hプロセスを採用した100V耐圧製品
■主な用途：情報通信機器用電源、産業用電源
■低オン抵抗：RDS(ON) = 3.1 mΩ (標準)
■低出⼒電荷量：Qoss = 74 nC (標準)
■低ゲートスイッチ電荷量：QSW = 21 nC (標準)
※本製品を使用したリファレンスデザイン”300W 絶縁型DC-DCコンバーター”もご用意しております。

【TPN1200APL】
低耐圧トレンチ構造 最新世代U-MOS Ⅸ-Hプロセスを採用した100V耐圧製品
■主な用途：情報通信機器用電源、産業用電源
■低オン抵抗：RDS(ON) = 9.8 mΩ (標準)
■低出⼒電荷量：Qoss = 24 nC (標準)
■低ゲートスイッチ電荷量：QSW = 7.5 nC (標準)
※本製品を使用したリファレンスデザイン”48Vバス電圧対応1.2 V/100 A出力DC-DCコンバータ”もご用意しております。

【TPWR7904PB】、【TPW1R104PB】
両面放熱・低抵抗・小型化を図ったDSOP Advance(WF)パッケージを
採用した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET。

　■車載用途に適したAEC-Q101適合
　■AOI視認性向上
　■トッププレートとドレイン電極による両面放熱パッケージ
　■低オン抵抗、低ノイズ特性のU-MOSⅨ-Hシリーズ

【TK040N65Z】
データーセンター、太陽光発電パワーコンディショナーなどの
産業機器用電源向
650V耐圧の新世代スーパージャンクション パワーMOSFET。
「DTMOS Ⅵ (ディーティーモス・シックス) シリーズ」の第一弾。
　
　■低RDS(ON)×Qgd化を実現し、スイッチング電源の高効率化が可能

スーパージャンクション(SJ) MOSFETシリーズは、さまざまなアプリケーションの典型的な課題を、クラス最高の価格性能比と優れた使いやすさを実現することで解決しています。
700V、800V、950VのCoolMOS^TM P7 スーパージャンクションMOSFET製品ファミリは、アダプタ、充電器、照明、オーディオSMPS、スマートメータ、補助電源、産業用電源など、フライバックベースの低電力SMPSアプリケーション向けに開発されています。

本製品は、記録的な高効率を実現するよう設計されています。既存シリーズや競合製品に比べ、ハードスイッチングアプリケーションの全負荷範囲において、効率が大幅に向上しています。
これは超低レベルのEoss (CoolMOS^TM CPに比べて、約50％削減)、QGの低減、また他項目とのバランスにも考慮することにより、スイッチング損失を最小化することで実現されています。Eoss やQGの削減は、高いスイッチング周波数での動作をも可能にし、回路上の磁性部品数を削減できます。

スーパージャンクション MOSFET CoolMOS^TMシリーズは、低電力SMPSにおいて、スマートフォン/タブレット充電器、ノートブックPC用アダプタ、LED照明、オーディオやTV電源などのアプリケーションに対応しています。
サーバー、テレコム、PC電源、太陽光発電、UPS、産業機器用アプリケーション向けに、インフィニオンの最新CoolMOS^TM 7 SJ MOSFETシリーズのC7、G7、CFD7、P7の各製品ファミリは、必要な機能をすべて搭載しています。
CoolMOS^TMを選択して、最高の効率性と最高のコストパフォーマンスを実現してください。

インフィニオンは、最先端のMOSFETテクノロジーと高い品質、堅牢なパッケージをベースにして、優れた性能を備えた最新の車載用MOSFET製品を常に提供します。
●トレンチテクノロジーで業界をリードするR DS(on)性能
●標準パッケージで最高の電流能力を実現
●最小のスイッチング損失と導通損失
●堅牢なパッケージテクノロジー

InfineonのOptiMOS^TMパワーMOSFETポートフォリオは、現在StrongIRFET^TMによって補完されており、強力な組み合わせを生み出しています。
12V〜300VのMOSFETをカバーするこの共同ポートフォリオは、低スイッチング周波数から高スイッチング周波数までの幅広いニーズに対応することができます。

【シングルチャネル電流レギュレータの機能を1部品化】
インフィニオンは、Nチャネル デプレッションMOSFETを提供している、世界でも数少ない半導体メーカーです。
対象となるアプリケーションには、電源のスタートアップ電力、過電圧保護、突入電流制限器、オフライン電圧参照などがあります。1つのコンポーネントだけで、シンプルな電流調整を実現できます。 製品はすべて、 車載アプリケーションに適しています。

【NチャネルとPチャネルの相補型MOSFET】
インフィニオンは、NチャネルとPチャネルのMOSFETのペアを1つのパッケージで提供しています。
製品はすべて、車載アプリケーションに適しています（SO-8パッケージを除く。詳細はお問い合わせください）。

将来の車載アプリケーション向けに開発されたsTOLLのフットプリントは、DPAK（65mm²）よりも小さい56mm²ですが、その電流容量は、標準的なD²PAK（180A）よりも大きい250Aを実現しています。
sTOLLは、インフィニオンのすぐれたOptiMOS-5^TM 40VおよびOptiMOS-6^TM 40VパワーMOSテクノロジーとの組み合わせによって、クラス最高の電力密度と電力効率を備えており、また、広く知られたインフィニオンの堅牢な車載パッケージの品質レベルを保っています。

S3O8パッケージによるインフィニオンの新しいOptiMOS^TM5 40V製品ファミリは、卓越したパワーMOSFETテクノロジーと、3.3x3.3mmのリードレスパワーパッケージの組み合わせによる、非常に小型で堅牢な車載システムソリューションです。
OptiMOS^TM 5 40V S3O8製品は、インフィニオンの最新シリコン車載用パワーMOSテクノロジーを使っており、車載用ブラシレスDCモータおよびHブリッジアプリケーションで要求されるエネルギー効率と電力密度に適合し、さらにそれを上回るように最適化したものです。

■ モーター制御、スイッチング電源、ボディ系等の小型化・高効率化に貢献
■ OptiMOS(tm)5: 最新世代の車載対応パワーMOSFET
■ 業界最小クラスの低オン抵抗と優れたスイッチング特性を両立
■ 小さい特性ばらつきを実現
■ 極小パッケージ: S3O8(3.3x3.3mm2), SSO8(6.5x5.1mm2)
■ IPZ40N04S5L-2R8: S3O8, 40V, 40A, 2.8mΩ, Nch
■ IPC100N04S5L-1R1: SSO8, 40V, 100A, 1.1mΩ, Nch

低オン抵抗R_DS(on) と広い安全動作領域（SOA）を両立したMOSFET
■高い最大パルス電流
■高い連続パルス電流
■堅牢なリニアモード動作
■低い導通損失
■より高い突入電流に対応可能で、起動迅速化とダウンタイム短縮を実現
■テレコム、バッテリ管理向け

■インフィニオンでは、定番のOptiMOS(TM)及びCoolMOS(TM)シリーズで表面実装型のTOリードレス（TOLL）パッケージMOSFETを豊富にご用意。
■オン抵抗 = 0.4mΩ (Max)の業界最高水準のシリコンを搭載（30V耐圧製品 IPT004N03Lの場合）。
■TO-247 、TO-220 等の挿入型パッケージと比較して、効率の向上だけでなく、BOMコスト・実装コスト低減も期待できる。
■フォークリフト、軽量電気自動車、POL、テレコム向け

■TO252 (DPAK) でクラス最高のRDS(on)280mΩを達成
■ゲートドライブ特性の最適化、V(GS)th 3 V ± 0.5 V
■ツェナーダイオードを内蔵、HBM Class2のESD特性
■280mΩ～4.5Ω、6種類のパッケージ多彩なポートフォリオ
■LED照明、アダプター/チャージャーアプリケーションに最適化

オープンフレーム電源向けに沿面距離を改善

■ピン間の沿面距離を4.25mmに拡張　
■リードフォーミングなどの対策不要でコスト削減が可能
■テレビ、PC電源、産業用電源などオープンフレーム電源向け

600V CoolMOS（TM） C7は、CoolMOS（TM） CPと比べ、ターンオフ損失（Eoss）が最大50%抑えられ、PFC、TTFその他のハードスイッチング トポロジでGaN並みの性能を発揮。効率や総所有コストが重視されるアプリケーションの場合、600V CoolMOS（TM） C7により効率を向上できます。PFCトポロジで0.3%～0.7%、LLCトポロジで0.1%の効率向上が可能です。2.5kWのサーバ電源（PSU）の場合、4ピンTO-247パッケージの600V CoolMOS（TM） C7を使用すると、PSUのエネルギー損失低減により最大10%の電力コスト削減が可能です。

●60V/100V シールドゲートテクノロジーを使ったMOSFETを
TO-LLパッケージで
●実装面積を30%低減 (TO-263/D2PAK比)
●代表製品：AOTL66608(60V、0.85mΩ@V_GS=10V)、AOTL66610(60V、1.2mΩ@V_GS=10V)、AOTL66912(100V、1.7mΩ@V_GS=10V)

●PFC、フライバック、LLC、ZVSフライバック、およびそ他の共振トポロジーなど、様々なハード/ソフトスイッチング方式に最適
●30%のオン抵抗低減
●AOSの300mmウェハ工場での生産
●600V、40mΩ、TO-247などをリリース
●代表製品：AOTF190A60CL、AOTF380A60CL、AOD600A70R