データセンターや太陽光発電パワーコンディショナーなどの
スイッチング電源向けに650 V耐圧のスーパージャンクション構造
NチャネルパワーMOSFET　DTMOSVI (ディーティーモスシックス)
シリーズ6品種を製品化。
●TK040Z65Z
●TK065N65Z、TK065Z65Z
●TK090N65Z、TK090Z65Z、TK090A65Z

バッテリー電圧低下時でも駆動可能な－4.5 V駆動の車載用－40 V耐圧
PチャネルパワーMOSFETを製品化。
　XPH3R114MC　RDS(ON)=3.1 mΩ (max) @VGS=－10 V
　XPH4R714MC　RDS(ON)=4.7 mΩ (max) @VGS=－10 V
　XPN9R614MC　RDS(ON)=9.6 mΩ (max) @VGS=－10 V

DTMOSⅤプロセスを採用した650V系スーパージャンクションMOSFET製品「TK290A65Y」。
■主な用途：各種産業・オフィス装置向け電源、ノートPC・携帯端末用アダプター・チャージャー　■低オン抵抗：RDS(ON) = 2.3 Ω (標準)
■ゲートスイッチングスピードの最適化
■プロセス最適化により低EMIを実現
※本製品を使用したリファレンスデザイン≪200W AC-DC電源≫もご用意しております。

DTMOS IV-Hプロセスを採用した高速スイッチングスーパージャンクションMOSFET製品。
■主な用途：情報通信機器用電源、産業用電源
■低オン抵抗：RDS(ON) = 0.105 Ω (標準)
■低ゲート電荷：Qgd = 15 nC (標準)
■取り扱いが容易なエンハンスメントタイプ
※本製品を使用したリファレンスデザイン≪1.6kW、80Plus Platinum級高効率 AC-DC サーバ用電源≫もご用意しております。

低耐圧トレンチ構造の最新世代U-MOS Ⅸ-Hプロセスを採用した100 V耐圧製品「TPH3R70APL」
■主な用途：情報通信機器用電源、産業用電源
■低オン抵抗：RDS(ON) = 3.1 mΩ (標準)
■低出⼒電荷量：Qoss = 74 nC (標準)
■低ゲートスイッチ電荷量：QSW = 21 nC (標準)
※本製品を使用したリファレンスデザイン≪300W 絶縁型DC-DCコンバータ≫もご用意しております。

低耐圧トレンチ構造の最新世代U-MOS Ⅸ-Hプロセスを採用した100 V耐圧製品「TPN1200APL」。
■主な用途：情報通信機器用電源、産業用電源
■低オン抵抗：RDS(ON) = 9.8 mΩ (標準)
■低出力電荷量：Qoss = 24 nC (標準)
■低ゲートスイッチ電荷量：QSW = 7.5 nC (標準)
※本製品を使用したリファレンスデザイン≪48Vバス電圧対応1.2 V/100 A出力DC-DCコンバータ≫もご用意しております。

両面放熱・低抵抗・小型化を図ったDSOP Advance(WF)パッケージを
採用した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET
「TPWR7904PB」および「TPW1R104PB」を製品化。

　■車載用途に適したAEC-Q101適合
　■AOI視認性向上
　■トッププレートとドレイン電極による両面放熱パッケージ
　■低オン抵抗、低ノイズ特性のU-MOSⅨ-Hシリーズ

データセンター、太陽光発電パワーコンディショナーなどの産業機器用電源向けに、650V耐圧の新世代スーパージャンクション パワーMOSFET
「DTMOS Ⅵ (ディーティーモス・シックス) シリーズ」の第一弾となる
「TK040N65Z」を製品化。
　
　■低RDS(ON)×Qgd化を実現し、
　　　スイッチング電源の高効率化が可能

■ モーター制御、スイッチング電源、ボディ系等の小型化・高効率化に貢献
■ OptiMOS(tm)5: 最新世代の車載対応パワーMOSFET
■ 業界最小クラスの低オン抵抗と優れたスイッチング特性を両立
■ 小さい特性ばらつきを実現
■ 極小パッケージ: S3O8(3.3x3.3mm2), SSO8(6.5x5.1mm2)
■ IPZ40N04S5L-2R8: S3O8, 40V, 40A, 2.8mΩ, Nch
■ IPC100N04S5L-1R1: SSO8, 40V, 100A, 1.1mΩ, Nch

低オン抵抗R_DS(on) と広い安全動作領域（SOA）を両立したMOSFET
■高い最大パルス電流
■高い連続パルス電流
■堅牢なリニアモード動作
■低い導通損失
■より高い突入電流に対応可能で、起動迅速化とダウンタイム短縮を実現
■テレコム、バッテリ管理向け

■インフィニオンでは、定番のOptiMOS(TM)及びCoolMOS(TM)シリーズで表面実装型のTOリードレス（TOLL）パッケージMOSFETを豊富にご用意。
■オン抵抗 = 0.4mΩ (Max)の業界最高水準のシリコンを搭載（30V耐圧製品 IPT004N03Lの場合）。
■TO-247 、TO-220 等の挿入型パッケージと比較して、効率の向上だけでなく、BOMコスト・実装コスト低減も期待できる。
■フォークリフト、軽量電気自動車、POL、テレコム向け

■TO252 (DPAK) でクラス最高のRDS(on)280mΩを達成
■ゲートドライブ特性の最適化、V(GS)th 3 V ± 0.5 V
■ツェナーダイオードを内蔵、HBM Class2のESD特性
■280mΩ～4.5Ω、6種類のパッケージ多彩なポートフォリオ
■LED照明、アダプター/チャージャーアプリケーションに最適化

オープンフレーム電源向けに沿面距離を改善

■ピン間の沿面距離を4.25mmに拡張　
■リードフォーミングなどの対策不要でコスト削減が可能
■テレビ、PC電源、産業用電源などオープンフレーム電源向け

GaNに最も近いSi MOSFET 第7世代CoolMOS C7がフルラインナップ

■リードレス超小型表面実装パッケージ
■クラス最高の電力密度：650V/33mΩを11.7mm x 9.9mmに
■650Vで業界最高の効率性
■TOLLパッケージの低寄生ソースインダクタンスとケルビンソース採用によりスイッチング速度の高速化と高効率を両立

600V CoolMOS（TM） C7は、CoolMOS（TM） CPと比べ、ターンオフ損失（Eoss）が最大50%抑えられ、PFC、TTFその他のハードスイッチング トポロジでGaN並みの性能を発揮。効率や総所有コストが重視されるアプリケーションの場合、600V CoolMOS（TM） C7により効率を向上できます。PFCトポロジで0.3%～0.7%、LLCトポロジで0.1%の効率向上が可能です。2.5kWのサーバ電源（PSU）の場合、4ピンTO-247パッケージの600V CoolMOS（TM） C7を使用すると、PSUのエネルギー損失低減により最大10%の電力コスト削減が可能です。

CoolMOS(tm) C7シリーズは、TO-247パッケージで19mΩという世界最小クラスとなるオン抵抗（R DS(on)）/パッケージを実現したのみならず、小さいスイッチング損失によって負荷範囲全体で効率を向上させるなど、テクノロジーの画期的な進歩となるパワーMOSFET製品です。
CoolMOS(tm) C7シリーズは、連続導通モード力率改善回路（CCM PFC）、トゥートランジスタ フォワード（TTF）、ソーラーブーストといったハードスイッチング トポロジ向けに最適化されています。

● 最新のトレンチパワーMOSFETテクノロジー AlphaSGT^TM MOSFETを
　 TOLLパッケージに封入
● 低ON抵抗により、高電流アプリケーショにも使用可能な40V MOSFETで、
　 モータ駆動、バッテリー保護に最適
● AOTL66401, Nチャネル, Rds(on)<0.7mΩ, Id 400A

● 最新のSuper Junctionテクノロジーによるデバイスの発熱を低減
● スイッチング損失の低減による高効率化
● AOTF190A60L, 600V, Rds(on)<0.19Ω

●最新の低耐圧MOSFETテクノロジーXSFET^TMを使用
●多用途で使用可能なMOSFETを2個内蔵したPairFET^TMパッケージ
●高放熱特性
●超低オン抵抗 : (LS) 1.05mΩ, (HS) 7mΩ (@ 4.5Vmax)
●基板レイアウトがしやすいDFN5x6Eパッケージ