IGBTとは

IGBTとは、入力部をMOSFET構造、出力部をバイポーラ構造とした半導体素子。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Transistor)の略称。MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を活かした、高入力インピーダンス、高耐圧、低オン抵抗で、比較的に高速スイッチング(MOSFETには劣る)。高耐圧、大電流のアプリケーションに適したトランジスタである。

RC-D2 IGBTディスクリート 600V インフィニオン テクノロジーズ お問い合わせはこちら
RC-D2

IGBTとダイオードを同チップ化したRC-D2 IGBTのラインナップ。RC-DF(Reverse Conducting Drives Fast) IGBTの後継品で、民生用ドライブに最適。
■優れたdi/dt制御性により電磁ノイズ低減
■対湿性向上(HV-H3TRB試験合格)
■IGBTファミリー初のSOT-223パッケージ
 (DPAKパッケージとのピン互換が可能)

ドライブアプリケーションに最適な「TRENCHSTOPTM IGBT7」 シリーズ インフィニオン テクノロジーズ お問い合わせはこちら
ドライブアプリケーションに最適な「TRENCHSTOP<sup>TM</sup>

可変速制御のドライブ向けに特化したTRENCHSTOPTM IGBTの第7世代であるIGBT7シリーズのラインナップ。新しいマイクロパターントレンチ技術を採用し、高レベルの制御性を実現。
■中速な駆動周波数の産業用ドライブアプリケーション向け
■ディスクリート、モジュールまで幅広いラインナップ
■EMIノイズ低減 
■優れた制御性

省電力化と設計の簡易化に貢献する電圧共振回路用ディスクリートIGBT 東芝デバイス&ストレージ コンタクト
省電力化と設計の簡易化に貢献する電圧共振回路用ディスクリートIGBT

【GT20N135SRA】
卓上IH調理器、IH炊飯器、電子レンジなど調理家電の電圧
共振回路用1350V耐圧のディスクリートIGBT。

 ■コレクター・エミッター飽和電圧:1.75V
 ■ダイオード順電圧:1.8V
 ■接合・ケース間熱抵抗:0.48℃/W(max)

【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引(B to B)の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。

前月のクリックランキング IGBTのクリックランキング 2022年7月 BEST10

順位 企業名 クリック割合
1 ローム 13.8%
2 STマイクロエレクトロニクス 12.1%
3 富士電機 10.3%
4 サンケン電気 8.6%
4 東芝デバイス&ストレージ 8.6%
6 ルネサス エレクトロニクス 6.9%
7 Microsemi 5.2%
7 KEC 5.2%
7 インフィニオン テクノロジーズ 5.2%
7 リテルヒューズ 5.2%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。

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