製品情報 NV RAM（不揮発性RAM） メーカー9社の製品一覧
クリックランキング (2023年11月)NV RAM（不揮発性RAM）とは
NV RAM（不揮発性RAM、Non-Volatile Random Access Memory）とは、電源を供給しなくても記憶を保持するメモリで書き換え可能なものの総称。このカテゴリでは、素子としての不揮発性RAMを掲載。タイプとしては、磁気抵抗RAM（MRAM）、抵抗変化型メモリ（ReRAM）、強誘電体メモリ（FeRAM、FRAM）などがある。またSRAMとバックアップ電源によるものはnvSRAMと呼ばれる。
- 超低消費電力で高性能・高信頼性の「EXCELONTM FRAMメモリ」
- インフィニオン テクノロジーズ お問い合わせはこちら
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モバイル医療機器やウェアラブル、IoTセンサー、産業機器、車載向けデータロギングに最適な不揮発性メモリ
■超低消費電力：標準的F-RAMと比べスタンバイ電流を最大70分の1に
■パラレルI/Fと同等の速度を実現した高速インターフェース
低ピン数の108MHz Quad SPI I/Fは、35nsのバーストアクセスタイム
■インスタント不揮発性 ■無制限の読み取り/書き込みサイクル耐性
■1.8V～3.6Vの広電圧レンジ、1.71V～1.89Vの動作電圧レンジにも対応
■10mm2の8ピンGQFNパッケージで提供
- 高性能・高信頼性の不揮発性メモリ「FeRAM」- 4K～8Mビットまで提供中
- 富士通セミコンダクターメモリソリューション コンタクト
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FeRAMの特長によって、メモリの設計課題を解決できます
●課題1：データバックアップのバッテリーを無くしたいが、
SRAMの代替メモリが無い
◇高速書換えのFeRAMは、SRAMの代替が可能です
●課題2：書換え回数が少ないので、設計の開発工数が増える
◇FeRAMは最大100兆回の書換え耐性を保証します
●課題3：システムの瞬断や停電時のデータ保護対策が難しい
◇高速書込みのFeRAMで書込み中のデータを保護します
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富士通セミコンダクターメモリソリューション
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ReRAM
Resistive Random Access Memory： 抵抗変化型メモリ
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FeRAM
Ferroelectric RAM： 強誘電体メモリ
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STマイクロエレクトロニクス
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不揮発性RAM
ゼロパワーRAM（ZEROPOWER(R)）
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マイクロチップ
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Serial EERAM
システムの電源が切れたときにSRAMメモリの内容を保持するのに役立つ、シャドウEEPROMバックアップを備えたスタンドアロンSRAM
- Serial NVSRAM
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Everspin Technologies
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MRAM
磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ
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NetSol
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Parallel STT-MRAM
産業機器のコードストレージ、データロギング、バックアップ、作業用のメモリに適しており、優れた性能と不揮発性特性により、SRAM、FeRAM、nVSRAMなどに代わることができる。
- Serial STT-MRAM
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B To B）の対象です。各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
NV RAM（不揮発性RAM）のクリックランキング
2023年11月 BEST9
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | インフィニオン テクノロジーズ | 27.8% |
| 2 | アナログ・デバイセズ | 16.5% |
| 3 | STマイクロエレクトロニクス | 15.2% |
| 3 | 富士通セミコンダクターメモリソリューション | 15.2% |
| 5 | マイクロチップ | 11.4% |
| 6 | Everspin Technologies | 7.6% |
| 7 | NetSol | 3.8% |
| 8 | AGIGA Tech | 1.3% |
| 8 | Teledyne e2v Semiconductors | 1.3% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。
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