"三菱電機　半導体・デバイス" の製品情報一覧

光ファイバー通信用光デバイス

GaN高周波デバイス

移動通信システム基地局用 GaN HEMT, 衛星通信（SATCOM）地球局用GaN HEMT・MMIC

IGBTモジュール

サイリスタモジュール

400～1600V/20～400Aをラインアップ

HVIC 高耐圧ゲートドライバーIC

パルストランスやフォトカプラを用いたパワーMOSFETやIGBTのゲート駆動に代わり、マイコンなどの入力信号で直接ゲートを駆動する高耐圧IC

MOSFETモジュール

トレンチゲート構造MOSFETを搭載、ゲート・ソース信号配線にコネクタ端子を採用、温度センサー内蔵

サイリスタモジュール

400～1600V/20～400Aをラインアップ

ダイオードモジュール

一般整流用ダイオードモジュール、ACスイッチ用ダイオードモジュール、高速スイッチング用ダイオードモジュール（トランジスタモジュール用及びIGBT/IPM用に対応）などをラインアップ

IGBTモジュール

IPM/DIPIPM

光デバイス

プロジェクター用光デバイス、光ファイバー通信用光デバイス

SiC パワーモジュール

シリコンRFデバイス

3.6V/7.2V/12.5V動作 RF 高出力 MOS FET（ディスクリート）、7.2V/9.6V/12.5V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール