"東芝デバイス＆ストレージ" の製品情報一覧

TK042N65Z5は、高速ダイオード採用による高速逆回復時間が特長です（t_rr=160ns (Typ.) )。また当社最新プロセス DTMOSVI(HSD)を採用することで、ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量をDTMOSIV(HSD)製品に比べ約72%低減しており、機器の損失を低減し、高効率化に貢献します。

TPD4164Kは、エアコンや空気清浄機、ポンプなどの三相ブラシレスDCモーター駆動用の600V小型インテリジェントパワーデバイスです。
放熱性を向上させたリード挿入型パッケージで、独自のSOIプロセスを用いたシングルチップドライバーICです。

新製品は、650V/1200V耐圧で、4端子タイプのTO-247-4L(X)パッケージを採用しています。4端子タイプのため、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続することができます。そのため、ソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を低減でき、スイッチング性能が向上しました。

新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー(JBS)構造を最適化しています。これにより、低い順方向電圧1.2V(typ.) を実現しました。また、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しており、損失を低減し機器の高効率化に貢献します。

本製品は、ロードスイッチや半導体リレーなどの車載機器に適した－60V耐圧PチャネルパワーMOSFETです。SOP(Small Outline Package) Advance(WF)は、ウェッタブルフランク構造を採用した表面実装タイプのパッケージです。当社製品XPH13016MCの最大ドレイン・ソース間オン抵抗は、当社従来品と比べ、約49%低減の12.9mΩを実現しました。

「TCTH021BE」と「TCTH022BE」は、PTC(Positive Temperature Coefficient)サーミスターと組み合わせるだけのシンプルな回路構成で電子機器内の温度上昇を検出できる過熱監視ICシリーズ(Thermoflagger^TM)の第一弾です。モバイル機器、家電、産業機器などのアプリケーションに適しています。小型のSOT-553パッケージを採用、電子部品を設計通りに動作させる為の過熱監視機能を提供します。

TPH9R00CQ5は、ドレイン・ソース間オン抵抗を9.0 mΩ（max）に抑え、逆回復電荷量を34 nC (typ.)に低減し、逆回復時間を40 ns (typ.)に高速化した、150 V耐圧NチャネルパワーMOSFETです。
スイッチング時にドレイン・ソース間に発生するスパイク電圧も当社既存製品と比べて低減させており、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。

TB9032FNGはCXPIに準拠した物理層インターフェースに対応した通信ドライバー／レシーバーICです。CXPIは、LINでは実現できなかった高速応答性に優れた日本発の車載通信プロトコルの国際標準規格で、ドアロック、ドアミラー制御など車載ボディー系アプリケーションや、ゾーンECUのインターフェースに好適です。外部端子でコマンダーノードとレスポンダーノードの用途に切り替え可能です。

高放熱の新パッケージL-TOGL^TMを採用し、高ドレイン電流定格を実現した車載用NチャネルパワーMOSFET2製品を製品化しました。高ドレイン電流(DC)定格は「XPQR3004PB」が400A、「XPQ1R004PB」が200Aです。新規パッケージ技術により、大電流が求められるインバーターや半導体リレーの用途で、放熱設計の簡易化とMOSFETの員数削減による機器の小型化に貢献します。

【TLP5222】は、駆動デバイスのドレイン・ソース間電圧(VDS)またはコレクター・エミッター間電圧(VCE)を常時モニターしており、駆動デバイスに過電流が生じた場合、VDSまたはVCEの上昇を検知し、駆動デバイスを緩やかにターンオフさせる過電流保護機能を内蔵しています。
また、保護動作開始後、標準25.5μs経過すると、自動的に通常動作に戻る自動復帰機能を内蔵しています。

第3世代SiC MOSFET 「TWxxxNxxxCシリーズ」として、TW015N120Cなど10品種（1200V/650V耐圧）をラインアップに追加。
　●SBD内蔵により、低VFと高信頼性を実現（第2世代SiC MOSFET技術を
　　踏襲)
　●オン抵抗とスイッチング損失を大幅に改善
　●耐ノイズ性が高く、使いやすい
などの特長を備えています。

実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICのラインアップを追加しました。
【TCK42xGシリーズ】
●チャージポンプ回路内蔵
●入力電圧に応じたゲート・ソース電圧設定 (5.6V、10V)
●過電圧保護：5V～24Vに対応
●低入力オフ電流 : I_Q(OFF)=0.5μA (max) @V_IN=5V
●パッケージ：実装面積1.2mm × 0.8mmのWCSP6Gを採用

民生機器や産業機器におけるメイン制御、モーター制御などの用途向けに、最大120MHzで動作し、最大10万回の書き換えに対応した最大512KBのフラッシュメモリーと32KBのデータフラッシュメモリー、モーター制御機能にエンコーダー、プログラマブルモーター制御を搭載した32ビットマイコン21製品をリリースしました。幅広いフラッシュメモリーサイズ／パッケージから用途に合った製品を選択いただけます。

【TLP5212】は中容量のIGBTやパワーMOSFETを使用したインバーター回路などで発生する過電流からパワーデバイスを保護する機能を搭載した2.5A出力のスマート・ゲートドライバーカプラーです。
●出力形式に、産業用機器などで広く使われている2個のNチャネルMOSFETによるトーテムポール出力形式を採用しました。
●IGBT非飽和検出機能、アクティブミラークランプ機能、FAULT出力機能などの保護機能も内蔵しています。

超低容量TVSダイオード『DF2B6M4BSL』
■超低容量 0.15pF (max.)を実現
　アンテナの受信性能に影響を与える高調波の歪を抑制
■IoT機器、モバイル機器などの電子機器における高周波アンテナ、
　高速信号ラインのESD保護
■クランプ電圧 15V (max.) @ ピークパルス電流 2A
■超小型パッケージ (0.62mm × 0.32mmサイズ) を採用

■異常検出後の復帰モード
　外部制御無しで一定時間経過後に自動的に復帰
■低消費電流
　スタンバイモードにおける消費電流　IM=1μA最大@VM=24V、 Ta=25℃
■広い動作電圧範囲
　4.5V～44Vで大電流が必要なアプリケーションに幅広く対応
■汎用性の高いピン配置の小型パッケージを採用
　E-pad付き小型面実装HSOP8ピンパッケージ

広い動作電圧範囲で駆動でき、汎用性の高いピン配置により
評価・開発が容易なブラシ付きモータードライバーIC

■低消費電流：IM=1μA最大@VM=24V、 Ta=25℃(スタンバイモード)
■広い動作電圧範囲：4.5V～44V
■汎用性の高いピン配置の小型パッケージを採用
　E-pad付き小型面実装HSOP8ピンパッケージ

3相ブラシレスDCモーター用プリドライバーIC 『TC78B011FTG』
■サーバーファンやコードレス掃除機の吸引モーターなど高速回転が必要なモーター向け
■電源電圧5.5～27V ■ホールセンサーレス制御
■正弦波駆動方式 ■オープンループ / クローズドループ制御切り替え可能
■内蔵不揮発性メモリーから IC の各種設定パラメーター読み出しにより、電源電圧変動時や負荷変動時の回転数変動抑制が可能

【TLP4590A】はオン電流定格1.2Aで、当社既存製品TLP4176Aと比べて140%アップしています。また、最大動作温度定格110℃を実現。b接点が多く使われるHVAC、セキュリティシステム、ビルオートメーションシステム機器に適しています。加えて最小絶縁耐圧5000Vrmsを実現、高い絶縁性能が必要な機器に使用可能です。
■小型パッケージ：DIP6（7.12×7.62×3.65mm）採用

業界トップクラスの高リップル圧縮度と低出力電圧ノイズを実現した新製品を発売しました。
100kHz以上のノイズ周波数でも十分なリップル圧縮度と出力電圧ノイズ特性を実現しており、DC-DCコンバーター回路などから発生するノイズを除去し電源ラインの安定化に貢献できます。
小型0.645mm x 0.645mmパッケージを採用しているため高密度実装が可能です。

内部回路動作用レギュレーターを内蔵しており、単一電源駆動で2.5V～16Vに対応。モバイル機器やUSB駆動機器、12V電源の家電機器などのアプリケーションに幅広く使用可能。
【新製品の特長】
■最大定格18V、定格電流2.0A ■2Ch Hブリッジモータードライバー
■単一電源駆動、シンプルなPWM制御
■出力オン抵抗Ron=0.48Ω上下和、標準@VM=12V、Ta = 25°C
■スタンバイモード時の消費電流0.1μA(最大)＠Ta=25°C

新製品CMOSオペアンプTC75S103Fは、標準電源電流が100μAと低く、機器の消費電力削減が可能です。入出力許容電圧は入出力フルレンジ (入出力Rail to Rail)で、最小電源電圧は1.8Vとなっており低電圧駆動ができます。さらに、最大入力オフセット電圧が1.5mVと低く、センサーの感度向上にも貢献します。

TLP3106A他2製品は従来製品に比べてオン電流定格を大きくした2.54SOP6パッケージの大電流フォトリレーです。受光側に当社最新のトレンチ構造U-MOSプロセスのMOSFETチップを搭載し、従来製品に比べて低オン抵抗を実現しました。これにより、オン電流定格を約113～150%に大きくすることができ、各種DC/AC用途の1a接点メカニカルリレーの置き換えが容易となりました。メカニカルリレーよりも信頼性が向上し、リレードライバーを含めた省スペース設計に貢献します。

汎用ロジックICの最大動作温度125℃対応製品のラインアップを拡大しています。CMOSロジックICのTC74ACシリーズ (3品種)、TC74LCXシリーズ (5品種)とL-MOS (28品種)の36品種より順次拡大中です。さらにCMOSロジックIC (80品種)、バススイッチ (5品種)、2電源レベルシフター (5品種)を計画し、合わせて126品種となります。 これにより、最大動作温度125℃の拡張製品は、計400品種のラインアップとなります。

XK1R9F10QBは48V系車載機器のロードスイッチ、スイッチング電源、モーター駆動などに適した100V耐圧NチャネルパワーMOSFETです。最新世代プロセスを採用したトレンチ構造MOSFETを採用し、低抵抗パッケージに搭載することにより業界トップクラスの低オン抵抗を実現しました。最大オン抵抗を1.92mΩに抑え、従来製品と比べて約20%低減しました。これにより機器の低消費電力化に貢献します。

TCR3UFシリーズはIoT機器やウエアラブル端末、モバイル機器などのパワーマネジメントに適しています。低消費電流特性と、トレードオフ関係にある高リップル圧縮度・高速負荷過渡応答性能の両⽴を業界トップクラスで実現しました。過熱保護や過電流保護、突⼊電流抑制などの各種保護機能も内蔵、⻑時間動作のバッテリー駆動機器や、ノイズなどの電圧変動の影響を受けやすいセンサー向け電源に適しています。出力電圧は0.8V～5.0Vの範囲37種類、オートディスチャージあり・なしがあります。

TPH2R408QM、TPN19008QMはデータセンターや通信基地局などの産業機器向けスイッチング電源に適した最新世代プロセスを採用した、表面実装タイプパッケージの80V耐圧NチャネルパワーMOSFET です。
従来世代プロセス80V耐圧製品と比べて、ドレイン･ソース間オン抵抗を約40%低減しました。さらに、素子構造を最適化し、ドレイン･ソース間オン抵抗とゲート電荷量特性のトレードオフを改善しました。これにより、スィッチング電源の高効率化に貢献します。

データセンターや太陽光発電パワーコンディショナーなど産業機器のスイッチング電源向けに、650V耐圧の新世代スーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFET DTMOSVIシリーズにTK110N65Z他７品種のラインアップを拡充しました。DTMOSVIシリーズは、従来世代シリーズと比べて、性能指数のドレイン·ソース間オン抵抗×ゲート·ドレイン間電荷量を約40%低減し、スイッチング電源の効率を約0.36%向上させることが可能です。

XPN3R804NC他3品種はウェッタブルフランク構造のTSON Advance(WF)パッケージを採用しており、基板実装状態の自動外観検査が容易になります。さらに、当社の「U-MOS VIII-H」プロセスを採用した低オン抵抗製品のため、機器の省電力化に貢献します。性能改善により一回り大きい5×6mmサイズの従来製品を置き換えることでECUの小型化にも貢献できます。また、AEC-Q101に適合しています。

TPD7107Fは低オン抵抗の当社車載用NチャネルMOSFETと組み合わせて、負荷電流に適したハイサイドスイッチを構成できます。メカニカルリレーに比べ、接点摩耗がないため、メンテナンスフリー化と車載ECUの小型化、低消費電力化に貢献します。車載ECUに要求される高信頼性に対応した自己保護機能と、マイコンへ出力する診断機能を多数内蔵しています。昇圧回路を内蔵、コンデンサーなどの周辺部品を削減できます。スタンバイ時は最大3μAと低消費電流を実現しました。

DF2B5PCT/DF2B7PCTは既存製品と比較して、約3倍のピークパルス電流に耐え、標準ダイナミック抵抗を約50%低減しました。ピークパルス電流定格は27A、標準ダイナミック抵抗0.1Ω、を実現、低クランプ電圧を実現したことによりESD吸収性能が向上し信頼性向上に貢献します。5V電源ライン向けと3.3V電源ライン向けをラインアップしています。パッケージは、小型のSOD-882を採用いているため基板の実装面積を小さくすることができます。

TPD7106Fは当社低オン抵抗の車載用NチャネルMOSFETと組み合わせることにより、大電流アプリケーションに対応したハイサイドスイッチを構成可能です。異常発生時のMOSFET保護のため、急速ターンオフ用入出力端子があり、マイコンからの独立制御が可能です。動作温度定格は150℃で、高温環境下での動作が可能です。バッテリー逆接時のリーク電流を抑え、スタンバイ時は最大5μAと低消費電流です。小型パッケージを採用し、車載ECUの小型化と低消費電力化に貢献します。

TRS12A65F/TRS12E65Fは第2世代の改良型JBS 構造を使用しています。最大97Aの高い非繰り返しピーク順電流と標準1.45Vの低い順方向電圧、性能指数 (VF・Q_cj) を第1世代と比べて約67%に低減し、改善したことで破壊しにくく低損失の特性を実現しました。SiC SBDは、Si FRDと比べて高耐圧・低損失のため、同一サイズのパッケージでも、より高電圧・大電流の動作ができます。低損失化によって発熱が減るため、機器の高効率化や放熱設計に余裕ができます。

TLP2312/ TLP2372は2.5V LVCMOSレベルの低電圧回路で使用する場合でも、フォトカプラー用の別電源を準備する必要がなく、部品点数の削減が可能です。-40℃から125℃の動作温度範囲でスレッショルド入力電流を最大1.6mA、供給電流を最大0.5mAと低く抑えており、マイクロコントローラーからの直接駆動が可能のため、消費電力の削減ができます。パッケージは、5pin SO6で高さが最大2.3mmと低背のため、プリント基板への薄型実装や部品配置が可能です。

低トリガーLED 電流を実現した4ピンSO6パッケージのフォトリレー「TLP170AM」(阻止電圧60V)および「TLP170GM」(同350V)です。
フォトダイオードアレイの感度を上げることにより、最大トリガーLED電流1mAを実現し、入力側電力損失を低減しています。そのため、電池で駆動するセキュリティー機器や各種センサーなどのON/OFF制御する出力として使用することで、機器の低消費電力化や長期動作化に貢献します。さらに、最小絶縁耐圧3750V_rmsを実現しています。

電源PFCの高効率化が可能な新素材シリコンカーバイド (SiC) を用いた650Vショットキーバリアダイオード (SBD)　TRS12N65FB、TRS16N65FB、TRS20N65FB、TRS24N65FBです。TO-247パッケージを採用し、直流順電流定格 は12A、16A、20A、24Aの製品で機器の大電力化に対応します。当社旧世代品と比べ、非繰り返しピーク順電流定格 を約53 %改善、標準順電圧 (Per Leg) を約6%低減しています。

開閉サージや直流に近い過電圧から半導体デバイスを保護するツェナーダイオードです。数百ナノ秒以下のESDやマイクロ秒オーダーの誘電雷サージからも半導体デバイスを保護することができます。低ダイナミック抵抗と低クランプ電圧の特性によりサージ吸収しやすく半導体デバイスに印加される電圧を抑えられます。 主要な電源ラインに対応した標準ツェナー電圧5.6 V～24 Vの範囲で6種類、パッケージが4種類（CEZ、CUZ、MUZ、MSZシリーズ）の計24品種をラインアップしています。

TLP3407SRA、TLP3475SRHA、TLP3412SRHAは最大動作温度定格125℃へ拡張した業界最小実装面積の電圧駆動型フォトリレーです。温度が高いエリアの実装、機器の温度設計マージンを確保しやくなります。S-VSON4Tパッケージ採用により、実装基板の省スペース化や、フォトリレーの搭載数増加ができます。これにより、半導体テスターやプローブカードなどへのフォトリレーの集積密度向上に貢献します。

新製品TPD7212FNは、当社最新のアナログ素子混載プロセス (BiCD) を採用し、従来品TPD7210Fに比べ小型化しました。ハイサイドNチャネルパワーMOSFETドライブ用チャージポンプ回路を内蔵しており、容易に3相フルブリッジ回路を構成することができます。各種の保護機能や診断機能を追加しており、システムへのフィードバックが可能です。車載機器で使用しやすいように－40℃から150℃の動作温度に対応しています。AEC-Q100に準拠した信頼性を実現しています。

新パッケージP-SON4は、実装面積7.2mm²(typ.)で、従来パッケージ　2.54SOP4パッケージと比べて約74%、2.54SOP6パッケージと比べて約84%小型化しました。これにより高密度実装に貢献できます。また、受光側に当社最新のMOSFETチップを使用することで、低オン抵抗化を実現しました。30V/4.5Aから100V/2AのTLP348xシリーズ３製品です。

TC75S102Fは当社CMOSプロセスを使った回路の最適化により、業界トップクラスの低消費電流を実現しました。これにより機器の電力消費が削減できるため、IoT機器やバッテリー駆動機器の長時間動作に貢献します。また、入出力許容電圧は入出力フルレンジ (入出力Rail to Rail)、最小電源電圧は1.5Vと、当社従来製品から大幅な改善を行った高性能なオペアンプです。

急速充電などに代表される将来にわたる技術要求に応えるため、低オン抵抗特性にすぐれた専用微細プロセスを開発し、SSM6N951Lに採用しました。業界トップクラスの低オン抵抗特性による低電力損失に加えて、低いゲートからの漏れ電流(低ゲート・ソース間漏れ電流)特性による低待機電力化を両立することで、バッテリーの長時間動作に貢献します。さらに、超小型かつ薄型のChip scale package を用いることで、電池パックに必要となる薄型で限られた実装エリアにも使用可能です。

ヘッドアップディスプレー、カーエアコン、ヒートポンプ等の各種バルブ制御のモーターアプリケーションに使用可能で、CLK入力方式、マイクロステップ、ストール検出機能を内蔵したステッピングモーター用ドライバー
■最大電流定格1.5A、低オン抵抗0.8Ω（上下和）
■高分解能　1/32マイクロステップ対応
■小型パッケージ　VQFN28（6mmx6mm ウエッタブル） ■ノイズ耐量向上
■ミックスディケイ電流衰退モード内蔵 ■AEC-Q100適合

遊戯機器、家電、産業機器などのアプリケーションなどでは、高速かつ高いモーター駆動能力が求められるため、ユニポーラ型ステッピングモーターが使われており、これを駆動するには60V以上の最大定格が必要です。
　■最大定格80Vの高耐圧アナログプロセスを採用。
　■モーター制御回路と出力回路をモノリシックに実現し、
　　小型パッケージ化、低消費電力化に貢献。
　■東芝独自技術で、定電流検出用の高精度な外付け抵抗が不要となり、
　　部品点数の削減に貢献。

■幅広い回転数で高効率化：東芝独自モーター駆動技術で、ホール信号とモーター出力電流の位相調整が簡単な設定で可能
■低騒音、低振動：正弦波駆動方式による滑らかな電流波形により静音化が可能、矩形波駆動方式に比べモーターの低騒音、 低振動化が実現
■小型パッケージで省スペース化
　●TC78B041FNGは、SSOP30パッケージ
　●TC78B042FTGは、VQFN32パッケージ

■ホールセンサー不要：モーター誘起電圧から回転位置を検出し
　回転を制御。150°通電矩形波により、高速回転駆動を実現。
■安定した回転数：モーター回転速度制御(クローズドループ)機能
　を内蔵し、電源電圧変動時や負荷変動時の回転数変動を
　抑制可能。速度プロファイルは内部不揮発性メモリ(NVM)で
　設定できるため外付けMCUが不要。
■多様な外付けFETに対応：FETの駆動電流を内部NVMで
　設定できるため、様々なFETが使用可能。

■幅広い回転域で効率を自動調整：位相調整の手間を
　かけることなく幅広い回転領域で高効率駆動を実現。
■安定した回転数：モーター回転速度制御(クローズドループ)
　機能を内蔵し、電源電圧変動時や負荷変動時の回転数変動を
　抑制可能。速度プロファイルは内部不揮発性メモリ(NVM)で
　設定できるため外付けMCUが不要。
■多様な外付けFETに対応：FETの駆動電流を内部NVMで
　設定できるため、様々なFETが使用可能。

エアコンや空気清浄機など家電・産業機器向けの三相BLDCモーターの
高効率化を１パッケージで実現できる600V/2A出力の正弦波ドライバー

■600V耐圧により高信頼性
　従来の500V製品とピンの互換性を保つことで、置き換えが容易
■1パッケージで正弦波PWMモータードライバー実現
　PMWモーター制御ICと600V/2AのIGBTを1パッケージ化
■低騒音・低振動　正弦波駆動方式による滑らかな電流波形

【TC78H670FTG】
バッテリー駆動のモバイル機器やUSB駆動機器、中耐圧の電圧が
必要となる機器などのアプリケーションに幅広く使用可能。
　■高分解能　1/128マイクロステップ対応
　■小型パッケージ（QFN16 3mm×3mm）
　■低オン抵抗（Ron=0.48Ω標準@VM=12V）
　■外付け電流センス抵抗不要
　■1.8V～5V系のI/Fに対応

【TCKE8xxシリーズ】
異常時に回路動作で電源ラインを遮断するため、繰り返し使うことが可能。
サーバーやノートPC、AR (Augmented Reality)/VR (Virtual Reality)
機器などの電子機器の保護に貢献。

　■国際安全規格IEC 62368-1認証取得予定
　■高速短絡保護 : t_FastOffDly=150ns (typ)

【TK040Z65Z】
【TK065N65Z】、【TK065Z65Z】
【TK090N65Z】、【TK090Z65Z】、【TK090A65Z】
データーセンターや太陽光発電パワーコンディショナーなどのスイッチング電源向け650V耐圧のスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFETDTMOSVI (ディーティーモスシックス)。

DIP4パッケージ：TLP3556A、TLP3558A、TLP241A
DIP6パッケージ：TLP3543A、TLP3545A、TLP3546A
DIP8パッケージ：TLP3547、TLP3548、TLP3549。
米国安全規格UL 508認定を取得した産業用制御機器向けフォトリレー。

■UL 1577認定製品
■ケース温度 (Max): T_c=105℃

【SSM6J808R】　－40V耐圧PchMOSFET
オン抵抗：48 mΩ (max) @V_GS=－4.5 V
【SSM6K819R】100 V耐圧NchMOSFET
オン抵抗：36.4 mΩ (max) @V_GS=4.5 V

■用途：車載ヘッドランプなどの点灯制御用スイッチ
■TSOP6Fパッケージ(SOP-8と比べて実装面積約70 %削減)
■AEC-Q101適合

【GT20N135SRA】
卓上IH調理器、IH炊飯器、電子レンジなど調理家電の電圧
共振回路用1350V耐圧のディスクリートIGBT。

　■コレクター･エミッター飽和電圧：1.75V
　■ダイオード順電圧：1.8V
　■接合･ケース間熱抵抗：0.48℃/W(max)

【TB9045FNG】 2つのDCDC コンバーター回路内蔵により、5V電源の他に1V系の電源も内蔵。トラッカー電源を3Ch内蔵することによりセンサーの冗長化に対応。

■電源やMCU の異常に対する豊富な監視機能を内蔵
　　(機能安全を考慮)
■監視状態をSPI通信により外部システムに伝達可能

【DF2B6M4ASL】
高速信号ライン(タブレット、ノートPC、ゲーム機など)の保護に適した低容量化と高ESD耐量を実現したTVS(ESD保護)ダイオード。

　■低端子間容量：Ct=0.15pF (typ.)
　■高ESD耐量：V_ESD ±15kV(typ.)
　■小型面実装パッケージ：SL2
　　 (パッケージコード : SOD-962、0.62×0.32×0.3mm (typ.))

【TTC1949】
家電・車載・ウェアラブルなど各種セット用 汎用中電流トランジスター。

■VCEO：50V
■IC：500mA
■hFE：120～390
■TTA1713とコンプリメンタリ
■小型パッケージ：SC-59(2.9ｘ2.5x1.1mm)

【CUHS20F40】、【CUHS20S40】
スマートフォンやタブレット、ノートPCに代表される携帯機器のバックライトLED駆動用の昇圧回路に適した30V/40V耐圧ショットキーバリアダイオード (SBD)。
　■順電圧と逆電流の両立した低順電圧タイプ：
　　　「CUHS20F40」　標準順電圧0.39V (IF=1 A)
　■順電圧をさらに低減した超低順電圧タイプ：
　　　「CUHS20S40」　標準順電圧0.32V (IF=1 A)

【TA75S393F】
コストの制約と耐圧の両立が必要な、白物家電・情報・通信機器
FA/産業機器などに最適。
■業界標準の393タイプコンパレーター
■オープンコレクタ出力段　■電源電圧範囲：2V～36V
■低消費電流：0.4mA (typ.)　■応答時間：1.3μs (typ.)
■SOT-25 (2.9 x 2.8 x 1.1mm)パッケージ搭載

【1SS352】
低コストで高い耐圧と小型が必要な100mA以下の整流回路に最適。
民生機器だけでなく車載にも対応。
■平均整流電流：100mA　■逆電圧：80V
■SOD-323 (2.5×1.25×0.9 mm)パッケージ搭載
■その他に小型パッケージのラインアップ有
　　1SS387 (SOD-523 1.6×0.8×0.6 mm)､
　　1SS427 (SOD-923 1.0×0.6×0.4 mm)

【DF2S14P2FU】
USB Vbusや電源ラインなどで発生する静電気サージやノイズを高い保護性能とESD自身の耐量で半導体部品を保護。

■使いやすい2.5x1.25mmパッケージ
■12V保護に最適 VRWM 12.6V
■高いESD除去能力 低クランプ電圧
■静電気耐量 30kV

【TCK401G】　世界最小クラスのNch MOSFETドライバーIC。
外付けMOSFET(SSM6K513NU)を用いて極小面積で超低RONの電源スイッチを実現。
■入力電圧範囲: 2.7 ～ 28 V (最大定格 40V)
■チャージポンプ回路/突入電流抑制回路/過電圧保護回路内蔵
■超小型パッケージ：WCSP6E (1.2 x 0.8 x 0.55mm)
※本製品を使用したリファレンスデザイン”MOSFETドライバーIC TCK401G応用と回路 ”もご用意。

【TCK107AF】
長時間駆動に必要な低消費電流と低RON抵抗を業界トップクラスで実現。
ウェアラブル機器、IoT機器向けの低消費の電源スイッチに最適。
■動作入力電圧範囲：1.1V～5.5V
■最大連続電流：1.0A
■超低消費電流 : 0.11μA　■低オン抵抗 : 63mΩ（typ.）
■オートディスチャージ機能内蔵（オプション）
■リードパッケージ：SOT-25（2.9 x 2.8 x 1.1 mm）

【TCK32 シリーズ】
2系統の電源を安全に切り替えて出力することが可能な36V耐圧の
SPDTのロードスイッチIC 。
■低オン抵抗 : 98 mΩ （標準） at VIN = 4.5 V、 IOUT = 1.0 A
■入力切替にブレークビフォーメイク機能搭載
■OVLO/UVLO回路内蔵
※本製品を使用したリファレンスデザイン”ロードスイッチTCK321G、TCK322G、TCK323G応用と回路”もご用意しております。

【TLP7920】 入力側にΔΣAD 変換回路を備えたDIPタイプの光結合型
アイソレーションアンプ（アナログ出力）。
■0.02 % (typ).の高精度リニアリティを実現
■DIP8タイプの弊社各種リードフォーミングにも対応しており、
　多種の基板への実装可能性が広がります
■1次側消費電流の入力電圧依存性を改善。低消費電力設計に貢献。
※本製品を使用したリファレンスデザイン”アイソレーションアンプTLP7920応用回路(電流検出) ”もご用意しております。

【TLP7820】
入力側にΔΣAD 変換回路を備えた薄型表面実装タイプの
光結合型アイソレーションアンプ（アナログ出力）です。
■0.02 % (typ).の高精度リニアリティを実現
■SO8L薄型パッケージの採用により実装スペース削減に貢献
■1次側消費電流の入力電圧依存性を改善。低消費電力設計に貢献
※本製品を使用したリファレンスデザイン”アイソレーションアンプ TLP7820　応用回路（電圧検出） ”もご用意しております。

【TB67H420FTG】
家電、OA機器向けの高耐圧大電流駆動に対応した
小型面実装型ブラシモータードライバーIC。
　■高耐圧50Vと大電流9Aを両立したモータードライバーを実現
　■小型で放熱特性の優れるQFNパッケージを採用、
　　超低オン抵抗(0.17Ω標準)によるモーター駆動時の低発熱の実現
　■モーターの負荷がオープンになったことを検出する負荷オープン検出機能
　　を新たに搭載

【TC78H653FTG】
DCブラシ付きモーターやステッピングモーター向けに
低電圧1.8V駆動かつ大電流5.0A (ピーク)定格を実現した
8V/5A定格のデュアルHブリッジドライバーIC。
　■大電流駆動(5Aピーク)に対応
　■低オン抵抗(0.11Ω標準)により、モータードライバーでの電圧ドロップに
　　よるロスを低減し、モータートルクの向上に貢献
　■高速出力スイッチング特性により、500kHzのPWM制御が可能

【TB9058FNG】
車載ボディ系ネットワークであるLIN 2.0のマスターと通信可能な
LINスレーブ機能を搭載したDCモータードライバー。

　■ソフトウェア開発不要、LIN通信によるモーター制御可能
　■オン抵抗(上下和)：2.2Ω(typ)
　■消費電流：10μA以下(スリープモード)

【TBD62xxx シリーズ】
ベストセラーTD62xxxシリーズの後継機種、DMOSトランジスタアレイ。

■最新のBiCDプロセスを全製品に採用、出力DMOS FETにより、
　従来のバイポーラトランジスタタイプと比較し高効率駆動を実現
■パッケージは、リード挿入型DIP、面実装型SOP/SOL/HSOPに加え、
　超小型SSOP製品を追加ラインアップ、機器の小型化に貢献